技术总结
本发明提供了用于在脉冲等离子体室中处理衬底的实施方式。处理装置具有由板分隔的两个室，该板流体连接所述室，该处理装置包括连续波(CW)控制器、脉冲控制器，以及系统控制器。CW控制器设置用于与上电极耦合的第一射频(RF)功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于通过耦合到下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间。系统控制器能操作以设置参数来调节在室之间的物质的流量以有助于负离子蚀刻，有助于中和在OFF期间的余辉过程中在晶片表面上的过量正电荷，且有助于在ON期间再激发在下室中的下部等离子体。
技术研发人员：阿列克谢·马拉赫塔诺夫;拉金德·丁德萨;埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
文档号码：201610643245
技术研发日：2012.08.17
技术公布日：2016.11.16