1.用于等离子处理室的边缘环组件，其包括：
上边缘环，其被配置成围绕静电卡盘(ESC)，所述ESC被配置用于与RF电源电连接，所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕所述顶表面的环形阶梯，所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板，所述上边缘环被设置在所述环形搁板的上方，所述上边缘环由电绝缘材料限定；
下内边缘环，其被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板的上方，所述下内边缘环由导电材料限定，所述下内边缘环与所述ESC电绝缘；
下外边缘环，其围绕所述内边缘环，所述下外边缘环被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并设置在所述环形搁板的上方，所述下外边缘环由电绝缘材料限定。
2.根据权利要求1所述的边缘环组件，所述下内边缘环和所述ESC之间的介电分离被配置以提供预定电容，其中，从所述RF电源输送到所述ESC的功率以由所述预定电容决定的预定相对量被输送到所述下内边缘环。
3.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述上边缘环由石英材料限定。
4.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述下外边缘环由石英材料限定。
5.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述下内边缘环由铝材料限定。
6.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述下内边缘环具有提供与所述ESC的所述电绝缘的阳极氧化的铝表面。
7.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中所述下内边缘环和所述下外边缘环被直接设置在所述ESC的所述环形搁板的上方。
8.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，在等离子体处理过程中施加所述RF电源的RF功率到所述ESC提供所述下内边缘环与所述ESC的电容耦合。
9.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，在等离子体处理过程中的所述电容耦合导致在等离子体处理过程中限定的等离子体鞘在所述上边缘环上基本限定的空间区域中径向延伸。
10.用于等离子体处理的系统，其包括：
处理室；
静电卡盘(ESC)，其被设置在所述处理室中，所述ESC具有被配置成支撑等离子体处理过程中的衬底的顶表面，所述ESC进一步包括围绕所述顶表面的环形阶梯，所述环形阶梯限定在高度低于所述顶表面处的环形搁板；
上边缘环，其被设置在所述环形搁板的上方，所述上边缘环由电绝缘材料限定；
下内边缘环，其被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板的上方，所述下内边缘环由导电材料限定，所述下内边缘环与所述ESC电绝缘；
下外边缘环，其围绕所述内边缘环，所述下外边缘环被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板的上方，所述下外边缘环由电绝缘材料限定；
偏置电极，其被布置在所述ESC中，所述偏置电极被配置为从第一RF电源接收RF功率，以在所述衬底上产生偏压。