1.一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述封装装置包括：
陶瓷体（1），所述陶瓷体（1）为一板状物，在所述陶瓷体（1）表面设有金属框放置区（11）、芯片放置区（12）及焊金线区（13），所述金属框放置区（11）处于陶瓷体的上表面外围，所述焊金线区（13）位于芯片放置区（12）的两侧，所述金属框放置区（11）、芯片放置区（12）及焊金线区（13）镀有能进行焊接的可焊接材料，所述焊金线区（13）穿孔并在孔内填满银胶（9），在所述陶瓷体（1）的底面设有三个焊盘（10）,包括正极焊盘、负极焊盘及热沉，所述正负、极焊盘（10）导通；
金属框（2），所述金属框（2）置于金属框放置区（11），所述金属框（2）围绕陶瓷体（1）的上表面外围而设置，所述金属框（2）与陶瓷体（1）围成一“凹”字形结构，所述金属框（2）表面镀有可焊接材料；
半导体发光芯片（3），所述半导体发光芯片（3）的波长在100nm～3000nm，所述半导体发光芯片（3）置于芯片放置区（12），所述半导体发光芯片（3）与陶瓷体（1）之间设有固晶材料（4）；
金线（5），所述金线（5）置于焊金线区（13），用于连接半导体发光芯片（3）焊盘及焊金线区（13）；
玻璃（6），所述玻璃（6）设于金属框（2）上，所述玻璃（6）上与所述金属框（2）相接之处镀有可焊接材料；
其中，所述陶瓷体（1）与金属框（2）之间设有第一预置焊片（7），所述金属框（2）与玻璃（6）之间设有第二预置焊片（8），所述第二预置焊片（8）的熔点低于第一预置焊片（7）的熔点。
2.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述可焊接材料选自金、钯、银及金锡中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述固晶材料（4）选自银胶、金锡、锡银铜、锡锑、无助焊剂的可焊接金属材料的一种或助焊剂。
4.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述第一预置焊片可改（7）的熔点大于300度，所述第二预置焊片（8）的熔点为150～300度。
5.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述金属框（2）相对的一侧设有阶梯状的支撑部（21），所述玻璃（6）设置于支撑部（21）之上，所述玻璃（6）与所述支撑部（21）之间设有第二预置焊片（8）。
6.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，
所述半导体发光芯片（3）为垂直结构，其设有一个焊线区及一个固晶区，所述焊线区和固晶区上镀有可接焊接材料，所述焊线区和固晶区穿孔并在孔内填满银胶，和设置于陶瓷体（1）底面的正负极焊盘（10）导通；
所述半导体发光芯片（3）可为倒装芯片，其设有二个不导通的固晶区，固晶区镀上可接焊接材料，固晶区穿孔并在孔内填满银胶，和设置于陶瓷体（1）底面的正负极焊盘（10）导通。
7.根据权利要求1所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述玻璃（6）为水平板状玻璃、球状对称透镜及非对称光学透镜中的一种。
8.根据权利要求5所述的一种视窗气密无硅胶的半导体发光芯片的封装结构，其特征在于，所述第一预置焊片（7）可由第一无助焊剂焊料替代，所述第二预置焊片（8）可由第二无助焊剂焊料替代，第二无助焊剂的焊料的熔点低于第一无助焊剂的焊料的熔点，无助焊剂的焊接材料选自为锡锑镍、锡银铜、锡铋银及锡铋中的一种或多种。
9.一种陶瓷体与金属框及玻璃的焊接工艺，其特征在于，其中陶瓷体与金属框之间的焊接是第一预置焊片或者焊料来完成的，具体包括以下步骤：
金属框、第一预置焊片或焊料和陶磁体去油去污清洗，干燥；
在真空环境下，加上氢氧气氛气体或隋性气体下, 加热到熔点以上，进行钎焊工艺，使得金属框固定在陶磁体之上；
金属框与玻璃之间的焊接是基于第二预置焊片或者焊料来完成的，具体包括如下步骤：
第二预置焊片或焊料、玻璃去油去污清洗，干燥；
在真空环境下，加上氢氧气氛体或隋性气体，加热第二预置焊片或焊料熔点以上，进行钎焊工艺，使得玻璃固定在金属框之上。