技术总结
一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。
技术研发人员：克里斯多弗·丹尼斯·本彻;丹尼尔·李·迪尔;慧雄·戴;曹勇;许廷军;郑伟民;谢鹏
受保护的技术使用者：应用材料公司
文档号码：201610796315
技术研发日：2014.05.02
技术公布日：2016.11.30