技术总结
本申请公开了一种降低接触电阻的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、生长SiInGaN/SiGaN超晶格层、降温冷却。如此方案，在生长生长掺杂Mg的P型GaN层之后，引入生长SiInGaN/SiGaN超晶格层的步骤，将SiInGaN/SiGaN超晶格层作为接触层，也就是说，在PGaN层和ITO之间插入一层功函数非常小的SiInGaN/SiGaN超晶格层，有效的降低了接触电阻，降低了LED的驱动电压，提升了LED的光效品质。
技术研发人员：张宇
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201610837668
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2016.11.16