1.一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于，由如下步骤组成：
首先提供一氮化镓衬底；
于所述衬底表面高温、低压及低速生长P型氮化镓层；其生长温度高于或等于1000℃，生长压力小于或等于100 torr，生长速率小于或等于0.6μm/h；
于所述P型氮化镓层表面生长应力释放层；
于所述应力释放层上生长发光层，所述发光层包括量子垒层和量子阱层，所述发光层的量子垒层生长温度小于或等于850℃；
于所述发光层表面低温生长N型氮化镓层，其生长温度与所述量子垒层的生长温度相同，为提高低温生长的N型氮化镓层晶体质量，生长用镓源采用三乙基镓；
所述P型氮化镓层、应力释放层、发光层和N型氮化镓层组成发光二极管外延层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：于所述P型氮化镓层和应力释放层之间增加高温退火处理步骤，具体为：停止所述P型氮化镓层的生长，将腔室温度稳定于950℃以上，对所述P型氮化镓层进行高温退火处理，活化所述P型氮化镓层中掺杂杂质。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述P型氮化镓层的生长温度为1000～1200℃。
4.根据权利要求2所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述P型氮化镓层的退火温度为950～1100℃，退火时间为1～5min。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述N型氮化镓层的生长温度为750～850℃。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述P型氮化镓层的杂质浓度范围为5×1018cm-3～1×1021cm-3。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述P型氮化镓层的厚度小于或等于200埃。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述N型氮化镓层的厚度为0.5～1.5μm。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述N型氮化镓层的杂质浓度范围为1×1019cm-3～5×1020cm-3。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述N型氮化镓层的生长压力为100～200 torr。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于：所述发光二极管的外延层厚度为2.5～3μm。
12.一种发光二极管外延层，其通过权利要求1~11任何一项所述的方法制备而成，由一氮化镓衬底及依次位于所述衬底上的P型氮化镓层、应力释放层、发光层和N型氮化镓层组成。