1.一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器，包括：衬底，衬底之上依次为下波导包层、下限制层、级联结构有源区、上限制层、上波导包层及接触层，在接触层与下波导包层之间存在双沟窄脊台面，双沟中填入半绝缘InP层，为有源区提供横向散热通道；在其特征在于，还包括
横向分别限制层，位于双沟的底部，半绝缘InP层的下方，用于增强横向光模式限制。
2.如权利要求1所述的波导优化的掩埋异质结量子级联激光器，其特征在于，还包括SiO2钝化层，置于包覆整个台面，起电绝缘作用，留有电注入窗口；一正面电极，均匀制备在SiO2钝化层之上，窗口区域与接触层接触；一背面电极，均匀制备在衬底背面。
3.如权利要求1所述的掩埋异质结量子级联激光器结构，其中所述的横向分别限制层内填充材料为高折射率半绝缘材料，该高折射率半绝缘材料包括掺Fe的半绝缘InGaAs，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同，并且有效折射率高于有源区。
4.如权利要求3所述的波导优化掩埋异质结量子级联激光器，其特征在于，所述横向分别限制层内填充的材料为掺Fe的半绝缘InGaAs时，该掺Fe的半绝缘InGaAs的厚度为0～120nm。
5.如权利要求4所述的波导优化掩埋异质结量子级联激光器，其特征在于，该掺Fe的半绝缘InGaAs的厚度为50nm。
6.如权利要求1所述的波导优化掩埋异质结量子级联激光器，其特征在于，所述的上限制层及下限制层为折射率高于有源区的材料，增大了与波导包层的折射率差，提高了光场限制因子，上限制层及下限制层厚度在一个真空波长范围内且厚度一致。
7.如权利要求2所述的波导优化掩埋异质结量子级联激光器，其特征在于，预留的所述电注入窗口为3μm电极窗口，在所述的电极窗口制备N型正面电极，在衬底的背面制备N型背面电极，解离管芯，倒装焊在热沉上，从而制作成量子级联激光器。
8.如权利要求1所述的波导优化掩埋异质结量子级联激光器，可在各波段各种类型的半导体量子级联激光器中应用。