带内置光栅半导体激光器的制作方法

技术特征：

1.一种内置光栅半导体激光器，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层，其中所述上波导层包括第一上波导层和第二上波导层，所述第一上波导层为所述有源层的上一层，所述第二上波导层为所述上包层的下一层，且所述第一上波导层与所述第二上波导层之间设置有光栅层。

2.根据权利要求1所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述有源层采用InGaAsP化合物材料制成，且所述有源层的厚度为组分In、Ga的摩尔分数依次为0～0.25、0.75～1，组分As、P的摩尔分数依次为0.7～0.9、0.1～0.3。

3.根据权利要求1所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述第一上波导层、第二上波导层和下波导层都采用不掺杂的InGaP化合物材料制成，组分In、Ga的摩尔分数都依次为0.49和0.51，厚度都为0.2～0.4μm。

4.根据权利要求1所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述第一上波导层、第二上波导层和下波导层的厚度都为0.4μm。

5.根据权利要求1或3所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述上包层包括由下至上依次设置的第一上包层、第二上包层和第三上包层，其中所述第一上包层为所述第二波导层的上一层，所述第三上包层为所述顶层的下一层。

6.根据权利要求5所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述第一上包层与所述第二上包层之间设置有第一过渡层，且所述第二上包层与所述第三上包层之间设置有第二过渡层。

7.根据权利要求5所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述第一上包层、第三上包层和下包层都采用InGaAlP化合物材料制成，所述第二上包层采用GaAlAs化合物材料制成，所述第一上包层和所述下包层中组分In、Ga、Al的摩尔分数依次为0.5、0.25和0.25，所述第二上包层中组分Al的摩尔分数为0.85，所述第三上包层中组分In、Ga、Al的摩尔分数依次为0.5、0.45和0.05，所述第一上包层和第二上包层的厚度都为0.1μm，所述第三上包层和下包层的厚度都为1.25μm，所述第三上包层的带隙能量低于所述第一上包层。

8.根据权利要求6所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述第一过渡层和所述第二过渡层都采用GaAlAs化合物材料制成，且组分Al的摩尔分数都为0.1，厚度都为

9.根据权利要求1所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，所述顶层的掺杂浓度大于10¹⁹cm^-3，厚度为0.2μm。

10.根据权利要求1所述的内置光栅半导体激光器，其特征在于，激光器的KL取值范围为0.2-0.3，其中K为0.0625/mm，L表示激光器腔长。