技术总结
本发明提供一种内置光栅半导体激光器，包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层，其中上波导层包括第一上波导层和第二上波导层，第一上波导层为有源层的上一层，第二上波导层为上包层的下一层，且第一上波导层与第二上波导层之间设置有光栅层。本发明通过在第一上波导层与第二上波导层之间设置光栅层，可以大大提高半导体激光器的光谱质量和温度稳定性，并且可以降低激光器的功耗和体积。
技术研发人员：廖柯
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十四研究所
文档号码：201610945233
技术研发日：2016.11.02
技术公布日：2017.01.11