技术特征：
技术总结
本发明公开了一种等离子体处理装置，包含：处理腔体；所述处理腔体内的底部设有基座；所述基座的上方设有静电夹盘，所述静电夹盘用于承载硅片；硅片顶针，竖向穿过所述基座与所述静电夹盘，并与基座及静电夹盘分别留有间隙，所述间隙作为硅片顶针的通道，在等离子体刻蚀工艺过程中，所述的硅片顶针的顶端始终接触硅片的下表面，以保证在硅片的表面形成划痕；所述静电夹盘内部埋设有夹持电极。本发明还公开了一种在高功率射频下的硅片温度测量方法。本发明利用热膨胀原理，间接测量硅片的温度，适应于高射频功率高温环境，并不受射频等电学因素的干扰。
技术研发人员：吴磊;涂乐义;黄国民
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2018.05.08