1.一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，其特征在于：包括N型InP衬底和依次外延生长在衬底上的N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层和氮化硅扩散掩膜层蚀刻形成的载流子侧向收集扩散阻挡区，相邻载流子侧向收集扩散阻挡区之间为子像元扩散窗口区，子像元扩散窗口区处经扩散形成子像元PN结区，载流子侧向收集扩散阻挡区下方未扩散区域形成载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，其特征在于：芯片背面设有抛光后淀积单层Au形成的N电极。
3.根据权利要求1所述的平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，其特征在于：所述铟镓砷本征吸收层的厚度为1～3μm。
4.根据权利要求1所述的平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，其特征在于：所述PN结区的PN结为浅结。