技术总结
本发明公开了一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片，包括N型InP衬底、N型InP层、铟镓砷本征吸收层、N型InP帽层、氮化硅扩散掩膜层、载流子侧向收集扩散阻挡区，扩散形成的PN结区和载流子侧向收集区；在光敏元四周生长单层Au形成P电极，在芯片表面淀积二氧化硅形成二氧化硅增透层，通过湿法腐蚀工艺打开P电极孔，依次生长Cr、Au形成加厚电极；所述载流子侧向收集扩散阻挡区至少有两个，形状为矩形，边长尺寸为5～10μm，线列或者面阵排列，中心距相同；所述P电极和加厚电极均为环形遮盖电极，内围尺寸相同。本发明减少了热扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，在保持光敏元响应均匀的同时降低器件的暗电流和盲元率。
技术研发人员：邓洪海;郭兴龙;杨清华;杨波;王强;马青兰;邵海宝;王志亮;尹海宏;黄静;李毅;李雪;龚海梅
受保护的技术使用者：南通大学
文档号码：201610998192
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2017.01.11