技术特征：
技术总结
本发明公开了一种单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存为单浮接闸极，其在半导体基底上设置晶体管及电容结构，晶体管于导电闸极两侧的半导体基底内具有两个离子掺杂区作为源极和汲极，电容结构如同晶体管结构，并具有轻掺杂汲极来当作电容，使得写入时可以使用最少的控制电压种类及最少的元件，以大幅减少控制线路，达到缩小整体面积的目的，从而减少非挥发性内存的成本。
技术研发人员：黄文谦;林信章
受保护的技术使用者：亿而得微电子股份有限公司
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.08.08