1.一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是包括以下步骤：
1）在轻掺杂半导体外延材料即第一层光刻图形上旋涂第一层光刻胶，并光刻出A直径的第一层圆形阳极接触孔；
2）在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶，并光刻出B直径的第二层阳极接触孔，使其圆心与第一层光刻的阳极接触孔圆心重合；B直径大于A直径；
3）蒸发阳极肖特基接触金属，并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除，同时剥离出T型阳极接触金属；
4）旋涂光刻胶并光刻，使阳极接触孔以及阳极电极板图形无光刻胶，而空气桥下方有光刻胶作为支撑；
5）在第一层光刻图形上旋涂第二层光刻胶并光刻，形成空气桥以及阳极电极板上层胶图形；
6）蒸发空气桥及阳极电极板金属，并用有机溶剂丙酮将两层光刻胶去除，同时剥离出阳极电极板以及连接电极板与阳极接触金属的空气桥结构，完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是轻掺杂半导体材料是InP、GaAs或GaN，其掺杂浓度为1×1016cm-3到1×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是所述的蒸发肖特基阳极接触金属，如TiPtAu，金属总厚度大于第一层光刻胶厚度并小于两层光刻胶总厚度，完成蒸发后用有机溶剂丙酮溶液浸泡，使第一、第二两层光刻胶溶解，并使附着在第一层光刻胶上的金属剥离，留下T型阳极接触金属附着在轻掺杂半导体外延材料上，同时剥离出T型阳极电极板及跨接电极板与阳极接触金属的空气桥结构，完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作。
4.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是光刻胶旋涂厚度为0.2微米到6微米，光刻出阳极接触孔，使其圆心与阳极接触金属圆心重合，直径小于阳极接触金属上层圆盘直径，同时光刻出阳极电极板图形，距离阳极接触金属1微米到50微米。
5.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是所述第一层光刻图形上旋涂厚度为0.1微米到10微米的第一层光刻胶，光刻出的A直径为0.1微米到10微米的第一层圆形阳极接触孔。
6.根据权利要求5所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是所述的第一层光刻图形上旋涂厚度为0.2微米到15微米的第二层光刻胶，并光刻出的B直径0.2微米到15微米的第二层圆形阳极接触孔，圆心与第一层圆形阳极接触孔重合。
7.根据权利要求5所述的一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法，其特征是所述的上层阳极电极板图形重合的下层阳极电极板图形、以及连接阳极电极板与阳极接触孔的连接区，宽度在0.1微米到10微米之间。