技术总结
本发明是一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法：包括在轻掺杂半导体材料上光刻出A直径的阳极接触孔；在A直径阳极接触孔上套刻出B直径阳极接触孔；采用蒸发剥离工艺形成T型阳极接触金属；光刻形成空气桥下层胶；光刻形成空气桥上层胶；采用蒸发剥离工艺形成空气桥金属,连接T型阳极接触金属与阳极电极板,完成肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作；优点：采用T型阳极空气桥电极制作方法,可有效降低阳极电极寄生电容,提升肖特基二极管截止频率。
技术研发人员：牛斌;吴少兵;范道雨
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
文档号码：201611157185
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2017.05.17