1.一种有机发光显示面板，其具有一基本结构，所述基本结构包括：
阵列基板，所述阵列基板具有相对设置的第一阵列基板面和第二阵列基板面；
电致发光结构，设置于所述阵列基板的第一阵列基板面之上；以及，
薄膜封装结构，其设置于所述电致发光结构背离所述阵列基板的一侧，且用于封装所述电致发光结构，
所述基本结构具有周向的侧面，
其特征在于：
所述有机发光显示面板还包括一水汽阻隔膜层，
所述水汽阻隔膜层完全覆盖所述基本结构的周向的侧面，且所述水汽阻隔膜层为原子层沉积薄膜。
2.如权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述基本结构具有位于所述薄膜封装结构背离所述阵列基板一侧之上的第一表面，和位于所述阵列基板的第二阵列基板面一侧之下的第二表面；
所述水汽阻隔膜层从所述周向的侧面向所述第一表面延伸至部分覆盖所述第一表面，并且，所述水汽阻隔膜层从所述周向的侧面向所述第二表面延伸且至少部分覆盖所述第二表面。
3.如权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述水汽阻隔膜层从所述周向的侧面向所述第二表面延伸并且完全覆盖所述第二表面。
4.如权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述水汽阻隔膜层在所述第一表面的覆盖区域在所述阵列基板上的投影落入所述阵列基板的非显示区内。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述水汽阻隔膜层的厚度为30nm～100nm。
6.如权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述水汽阻隔膜层在所述第一表面上延伸的端面与被所述水汽阻隔膜层覆盖的第一表面之间的夹角小于90度，大于0度。
7.如权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述水汽阻隔膜层的材料采用氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或者其任意组合。
8.如权利要求1至4中任意一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述薄膜封装结构包括第一无机膜层、第二无机膜层以及位于所述第一无机膜层和第二无机膜层之间的有机膜层，所述第一无机膜层直接接触并覆盖所述电致发光结构，所述第一无机膜层与第二无机膜层在所述有机膜层的周围直接接触。
9.如权利要求1至4中任意一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述基本结构还包括覆盖设置于所述薄膜封装结构背离所述阵列基板一侧的上贴膜。
10.如权利要求1至4中任意一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，
所述基本结构还包括覆盖设置于所述阵列基板背离所述电致发光结构一侧的下贴膜。
11.一种有机发光显示面板的制作方法，包括：
制备基本结构，其中所述基本机构具有周向侧面，所述基本结构的制作过程包括以下步骤：
制作一阵列基板，所述阵列基板具有相对设置的第一阵列基板面和第二阵列基板面；
在所述阵列基板的第一阵列基板面上制作一电致发光结构；以及
在所述电致发光结构背离所述阵列基板的一侧制作一薄膜封装结构以封装所述电致发光结构；
其特征在于：
所述制作方法还包括在所述基本结构的周向的侧面上形成一水汽阻隔膜层的过程，形成所述水汽阻隔层的过程包括采用原子层沉积工艺形成一个完全覆盖所述基本结构的周向的侧面的水汽阻隔膜层。
12.如权利要求11所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于：
所述基本结构具有位于所述薄膜封装结构背离所述阵列基板一侧之上的第一表面，和位于所述阵列基板的第二阵列基板面一侧之下的第二表面；
所述形成水汽阻隔膜层的过程包括以下步骤：
T1：在所述第一表面贴覆一层部分覆盖所述第一表面的保护膜，所述保护膜的外周缘与所述第一表面的外周缘之间有留空，且所述保护膜在所述阵列基板上的投影覆盖所述阵列基板的显示区；
T2：进行原子层沉积工艺，在上述步骤T1所获得的产品上整体地形成一层将其完全包裹的水汽阻隔膜层；以及，
T3：去除所述保护膜，最终形成的水汽阻隔膜层完全覆盖所述基本结构的周向的侧面，且从所述周向的侧面向所述第一表面延伸至部分覆盖所述第一表面，且从所述周向的侧面向所述第二表面延伸直至完全覆盖所述第二表面。
13.如权利要求12所述的一种有机发光显示面板的制作方法，其特征在于：
所述基本结构的制作过程还包括在所述薄膜封装结构背离所述电致发光结构一侧贴覆一层上贴膜，在所述阵列基板的第二阵列基板面贴覆一层下贴膜。
14.一种显示器，其采用如权利要求1至10中任意一项所述的有机发光显示面板，或者其采用如权利要求11至13中任意一项所述的制作方法获得的有机发光显示面板。