技术特征：
技术总结
本申请提供一种在晶片表面形成复杂曲面的方法，该方法包括：在晶片的表面形成光刻胶；利用具有第一灰度分布的光掩模图形对所述光刻胶进行曝光，并使曝光后的光刻胶显影，以将所述光掩模图形中的所述第一灰度分布转化为所述光刻胶的第一厚度分布，从而在所述光刻胶表面形成曲面；刻蚀光刻胶，对所述光刻胶的表面和所述晶片的表面进行刻蚀，以将所述光刻胶表面的曲面转移到所述晶片的表面。根据本申请能够在晶片表面形成曲面。
技术研发人员：徐元俊;顾佳烨
受保护的技术使用者：上海新微技术研发中心有限公司
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2018.07.03