覆盖层、包括所述覆盖层的OLED显示面板和电子设备的制作方法

技术特征：

1.一种设置于OLED显示面板阴极之上的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的材料包括具有式(I)结构的含N化合物：

式(I)中，n为大于等于2的整数；

B为不存在，或选自具有至少2个断键的取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种；

当B不存在时，n为2；

A₁、A₂均各自独立地选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基、取代或未取代的苯丙五元杂环或中的任意一种，且A₁、A₂中至少有一个选自取代或未取代的苯丙五元杂环或X₅选自氧原子、硫原子或中的任意1种；Ar选自键接于五元环碳碳双键的取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一种。

2.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，n为大于等于2的偶数。

3.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，B为不存在或取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一种。

4.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述取代或未取代的苯丙五元杂环选自如下结构中的任意一个：

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆均各自独立的选自氢原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的链状烷基、取代或未取代的C2～C6的链状烯烃基、取代或未取代的C5～C10的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30杂环芳香基中的任意一种。

5.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，A₁、A₂中至少有一个选自中的任意1种。

6.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述化合物包括：

中的任意1种。

7.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的折射率n需要满足如下条件：

450～650nm波长之间的折射率n_450～650nm>1.75，且450～650nm波长之间的消光系数在0.1以下；

450nm的折射率和530nm的折射率之差n_450nm-n_530nm<0.2；

510nm的折射率和620nm的折射率之差n_510nm-n_620nm<0.1。

8.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层的厚度为40～100nm。

9.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述覆盖层形成于所述OLED显示面板的半透明阴极远离基板一侧之后，能够使覆盖层和半透明阴极形成的叠层对450～650nm之间的光透过率≥65％。

10.如权利要求1所述的覆盖层，其特征在于，所述半透明阴极材料选自金属银、镁银合金、银镱合金中的任意1种或至少2种，且所述半透明阴极材料中银元素的含量大于80wt％。

11.一种OLED显示面板，其特征在于，包括由下到上基板、阳极、有机叠层、阴极和覆盖层，所述阴极为半透明阴极；

所述覆盖层为权利要求1～10之一所述的覆盖层。

12.如权利要求11所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机叠层至少包括发光层，所述发光层包括蓝色发光颜色像素区域、绿色发光颜色像素区域、红色发光颜色像素区域中的任意1种或至少2种的组合。

13.如权利要求11所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绿色发光颜色像素区域和红色发光颜色像素区域采用磷光材料；

所述蓝色发光颜色像素区域采用荧光材料。

14.如权利要求12所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机叠层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任意1种或至少2种的组合。

15.如权利要求11所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机叠层和覆盖层通过蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀的方式形成。

16.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求11～15之一所述的OLED显示面板。