1.一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，其特征在于，包括背面金属电极（1）、衬底（2）、外延层（3）、氧化层（4）、正面金属电极（5）、势垒金属层（6）、保护环（7）及过渡外延层（8），所述背面金属电极（1）、衬底（2）、过渡外延层（8）及外延层（3）四者由下至上顺次层叠设置，所述过渡外延层（8）的掺杂浓度大于衬底（2）的掺杂浓度且小于外延层（3）的掺杂浓度；所述外延层（3）上端面中央部位向下凹陷形成开口向上的中心槽，所述保护环（7）水平设置于处延层（3）内且环绕中心槽设置，保护环（7）上端面与外延层（3）上端面平齐，且其底部的水平高度低于中心槽底部的水平高度；所述氧化层（4）覆盖于保护环（7）上端面靠近保护环（7）外侧的区域、以及外延层（3）上端面位于保护环（7）外侧的区域，所述势垒金属层（6）覆盖于外延层（3）和保护环（7）两者上端面相对覆盖氧化层（4）区域外的区域，所述正面金属电极（5）覆盖于氧化层（4）和势垒金属层（6）两者的上端面。
2.根据权利要求1所述的一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，其特征在于，所述保护环（7）包括内层保护环和外层保护环，所述内层保护环的横截面为半圆形状，外层保护环的横截面为二分之一圆弧状，外层保护环与内层保护环同轴设置且包覆在内层保护环上；所述内层保护环的掺杂浓度大于外层保护环的掺杂浓度。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层（4）覆盖保护环（7）上端面外侧的二分之一环状区域，势垒金属层（6）覆盖保护环（7）上端面内侧的二分之一环状区域。