一种硅高频低噪声晶体三极管的制作方法

本实用新型涉及晶体三极管技术领域，具体为一种硅高频低噪声晶体三极管。

背景技术：

三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。其中硅高频低噪声三极管是通信系统接收端的关键电子器件，在军用、民用电子设备中有着广泛的应用，其典型应用主要在通讯、雷达（含导航）和电子对抗等领域。由于晶体管内大量带电微粒(载流子)的无规则运动会产生噪声干扰，晶体管的噪声决定了晶体管所能放大的微弱信号的下限，若噪声越大，接收信号灵敏度越低，严重影响了设备正常工作。

技术实现要素：

针对以上问题，本实用新型提供了一种硅高频低噪声晶体三极管，结构简单，噪声低功耗小，且散热性能好，能够实现大功率工作，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种硅高频低噪声晶体三极管，包括底座，所述底座的上表面固定安装有管帽，所述管帽内安装有三极管芯片，所述三极管芯片的侧边引出三个电极，左边为基极，中间为发射极，右边为集电极，电极上均焊接有引脚，引脚从管帽内伸出至底座的外边沿，所述底座上对应引脚的位置开设有引脚凹槽；所述三极管芯片与底座之间连接有焊接片，焊接片上表面涂覆有导电层；所述底座的底端还开设有安装孔，安装孔通过螺丝固定有散热片；所述三极管芯片内部分为基区、发射区和集电区，所述基区位于芯片中间，发射区紧贴基区上表面，集电区紧贴基区下表面。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述三极管芯片采用硅制成，其中所述基区厚度为0.5μm，发射区厚度为6μm，集电区厚度为2μm。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述底座和管帽均采用铝合金制成，底座的边缘安装有卡扣，管帽通过卡扣连接在底座上。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该硅高频低噪声晶体三极管，通过设置超薄基区，提高了功率增益；设置发射区厚度为集电区厚度的三倍，实现了浅扩散，大大降低了管子噪声；设置散热片，提高管子散热性能；设置卡扣，是管帽安装拆卸更加方便，从而实现了循环利用；本实用新型结构简单，工作频率高，噪声干扰小，提高了管子的灵敏度，降低了生产成本。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型剖面结构示意图。

图中：1-底座；2-管帽；3-三极管芯片；4-基极；5-发射极；6-集电极；7-引脚；8-引脚凹槽；9-焊接片；10-导电层；11-安装孔；12-散热片；13-基区；14-发射区；15-集电区；16-卡扣。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：

请参阅图1和图2，本实用新型提供一种技术方案：一种硅高频低噪声晶体三极管，包括底座1，所述底座1的上表面固定安装有管帽2，所述管帽2内安装有三极管芯片3，所述三极管芯片3的侧边引出三个电极，左边为基极4，中间为发射极5，右边为集电极6，电极上均焊接有引脚7，引脚7从管帽2内伸出至底座1的外边沿，所述底座1上对应引脚7的位置开设有引脚凹槽8；所述三极管芯片3与底座1之间连接有焊接片9，焊接片9上表面涂覆有导电层10；所述底座1的底端还开设有安装孔11，安装孔11通过螺丝固定有散热片12；所述三极管芯片3内部分为基区13、发射区14和集电区15，所述基区13位于芯片中间，发射区14紧贴基区13上表面，集电区15紧贴基区13下表面；所述三极管芯片3采用硅制成，其中所述基区13厚度为0.5μm，发射区14厚度为6μm，集电区15厚度为2μm；所述底座1和管帽2均采用铝合金制成，底座1的边缘安装有卡扣16，管帽2通过卡扣16连接在底座1上。

本实用新型的工作原理：所述底座1用于安装芯片承载散热装置，采用铝合金制作减轻重量还降低了铜耗，所述管帽2用于将内部芯片与外界隔开，保护芯片延长使用寿命；所述三极管芯片3的基区13设计成超薄基区，提高杂质浓度梯度，加快载流子的输运过程，提高产品的特征频率和功率增益，所述发射区14厚度设计为集电区15厚度的三倍，有利于实现浅扩散，从而降低管子噪声；所述引脚7将基极4、发射极5、集电极6从芯片内部引出，便于进行焊接安装，所述引脚凹槽8用于固定引脚7；所述焊接片9将三极管芯片3焊接在底座1上，并通过导电层10加强电气连接；所述安装孔11通过螺丝能够方便地安装和拆卸散热片12，所述散热片12能够将三极管在大电流工作时及时散热，保证管子的正常特性；所述卡扣16将管帽2直接扣接在底座1上，可以方便打开更换芯片，实现循环利用。

该硅高频低噪声晶体三极管，通过设置超薄基区13，提高了功率增益；设置发射区14厚度为集电区15厚度的三倍，实现了浅扩散，大大降低了管子噪声；设置散热片12，提高管子散热性能；设置卡扣16，是管帽安装拆卸更加方便，从而实现了循环利用；本实用新型结构简单，工作频率高，噪声干扰小，提高了管子的灵敏度，降低了生产成本。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。