技术总结
本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，包括背面金属电极、衬底、外延层、氧化层、正面金属电极、势垒金属层、保护环及过渡外延层，其中，背面金属电极、衬底、过渡外延层及外延层四者由下至上顺次层叠设置。外延层上端面中央部位向下凹陷形成中心槽，保护环水平设置于处延层内且环绕中心槽设置，保护环上端面与外延层上端面平齐。氧化层覆盖于保护环上端面靠近保护环外侧的区域、以及外延层上端面位于保护环外侧的区域，势垒金属层覆盖于外延层和保护环两者上端面相对覆盖氧化层区域外的区域，正面金属电极覆盖于氧化层和势垒金属层两者的上端面。本实用新型具有良好的防静电性能和抗瞬态干扰性能，进而便于推广应用。
技术研发人员：王作义;陈小铎;崔永明;马洪文;白磊
受保护的技术使用者：四川广瑞半导体有限公司
文档号码：201620673493
技术研发日：2016.06.30
技术公布日：2016.11.30