全频带手机天线结构的制作方法

文档序号:12538707阅读:397来源:国知局
全频带手机天线结构的制作方法与工艺

本实用新型涉及一种天线结构,尤其涉及一种全频带手机天线结构。



背景技术:

现有技术中,全金属背壳天线的实现,一般需要在金属背壳上进行三段式开槽,即在金属背壳上开两条平行设置的槽,将金属背壳分为接地的中框和位于中框两侧的辐射体。有的甚至需要加开窗成为五段式的结构,这种设计破坏了金属背壳的整体性,不利于美观。且由于手机内部环境和净空的原因,现有手机天线的载波聚合要在一个状态下覆盖全频带实现起来比较困难,因为带宽不够,谐振点不多。

因此,有必要提供一种新型的全频带手机天线结构。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种不影响金属背壳完整性的全频带手机天线结构。

本实用新型的技术方案如下:一种全频带手机天线结构,其包括金属背壳和设于所述金属背壳下方的电路板,其特征在于,所述金属背壳具有接地的中框和作为天线辐射体的辐射部,所述中框具有主体部和分别自所述主体部两侧弯折延伸的侧边,所述辐射部位于所述中框一端并与所述中框之间留有一绝缘填充的缝隙,所述辐射部的两端分别与所述侧边的端部相对并间隔设置形成绝缘填充的断缝,所述电路板靠近所述辐射部的一侧与所述中框边缘平齐从而使得所述电路板与所述辐射部之间形成净空区;

该手机天线结构还包括设于所述辐射部上的馈电点、至少一个接地点以及调谐电路,所述馈电点靠近其中一所述断缝设置,所述接地点包括距离所述馈电点较近的第一接地点和距离所述馈电点较远的第二接地点。

优选的,所述第一接地点和所述第二接地点均位于所述馈电点同一侧。

优选的,所述缝隙和所述断缝的宽度均不大于1.5毫米。

优选的,所述调谐电路包括相互并联的第一电感、第二电感和第一电容、可在第一电感、第二电感以及第一电容之间切换且与所述第一接地点电连接的第一开关、以及用于控制所述第二接地点是否接地的第二开关。

本实用新型的有益效果在于:缝隙位于靠近金属背壳的底部边缘,不影响金属背壳的完整性,且通过接地点的位置和调谐电路可以实现主天线覆盖全频段的要求。

【附图说明】

图1为本实用新型一种全频带手机天线结构的主视图;

图2为本实用新型的全频带手机天线结构中图1的分解图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

如图1和图2所示,一种全频带手机天线结构100包括金属背壳101和电路板105。

金属背壳101包括接地的中框102和作为天线辐射体的辐射部103。中框102具有主体部102A和自主体部102A两侧弯折延伸的侧边102B。辐射部103位于中框102的底部并与中框102之间设有一绝缘填充的缝隙104。且辐射部103的两端分别与两条侧边102B的端部相对并间隔设置形成绝缘填充的断缝102C。电路板105靠近辐射部103的一侧与中框102的边缘平齐从而使得电路板105与辐射部103之间形成净空区。缝隙104和断缝102C是连通的,其宽度应尽量不超过1.5mm。并且缝隙104和断缝102C均通过绝缘材料进行填充。由于靠近金属背壳101的底部设置,因此不会破坏金属背壳101的整体性。

全频带手机天线结构100还包括设于辐射部103上的馈电点106和至少一个接地点。馈电点106靠近断缝102C设置。在本实用新型中,接地点包括距离馈电点106较近的第一接地点107、距离馈电点106较远的第二接地点108以及位于第一接地点107和第二接地点108之间的第三接地点109。第一接地点107和第二接地点108位于馈电点106的同一侧。电路板105通过一导体直接对辐射部103上的馈电点106馈电。第一接地点107、第二接地点108以及第三接地点109均通过导体与接地的中框102直接电连接。

此外,全频带手机天线结构100还包括调谐电路。调谐电路包括相互并联的第一电感和第二电感、可在第一电感和第二电感之间切换的第一开关S1。该第一开关S1可控制第一电感和第二电感与第一接地点107是否电连接。调谐电路还包括第一电容以及控制第一电容与第二接地点108是否电连接的第二开关S2。在本实用新型中,第一电感值为22nH,第二电感值为9nH,第一电容值为1.5pF。

当第一开关S1将第一电感与第一接地点107电连接,且第二开关S2处于断开状态时,全频带手机天线结构的辐射频率在700-824MHz。

当第一开关S2将第二电感与第一接地点107电连接,且第二开关S2处于断开状态时,全频带手机天线结构的辐射频率在824-960MHz。

当第一开关S2将第一电容与第一接地点107电连接,且第二开关S2处于闭合状态时,全频带手机天线结构的辐射频率在1710-2690MHz。

因此,本实用新型可通过开关S1和S2切换高低频,且低频可由两个状态覆盖700-960MHz,效率基本大于30%。中高频可由一个状态覆盖,效率基本大于25%,可以满足载波聚合在一个状态下覆盖全频带的要求。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

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