1.一种高压覆晶LED芯片，包括衬底(4)，其特征在于：衬底(4)端面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10)，衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)，不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离，隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11)，N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15)，电极之间通过连接桥(12)相连。
2.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的衬底(4)上至少包括两个及以上的LED芯片单元，各个芯片单元之间通过连接桥(12)进行串联。
3.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的热扩散件(1)为板式结构，其中底面设有高压绝缘层，总面积大于LED晶片的面积。
4.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的绝缘荧光层(11)由绝缘材料和荧光材料制备而成，绝缘材料可以采用通常使用的SiO2或者其它绝缘类材料。
5.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的增透膜(10)采用SiON材料，厚度为LED发光波长的四分之一。
6.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的增透膜(10)除覆盖ITO层(9)上方外，还覆盖ITO层(9)上表面至N型层(6)的侧面，且ITO层(9)上方的增透膜(10)具有圆柱状微结构。
7.根据权利要求1所述的一种高压覆晶LED芯片，其特征在于：所述的绝缘膜(3)为陶瓷绝缘膜，采用气相沉积方法固定于衬底(4)的下面。