本实用新型涉及一种电热连接结构，具体涉及一种基板材料与芯片三维电热连接结构，属于芯片连接结构技术领域。
背景技术：
通常所说的多芯片组件都是指二维的，它的所有元器件都布置在一个平面上，不过它的基板内互连线的布置已经是三维，随着微电子技术的进一步发展，芯片的集成程度大幅度提高，对封装的要求也越严格，二维封装的缺点也逐渐暴露出来，目前的二维组装效率可达到85％，接近二维组装所能达到的最大理论极限，已成为混合集成电路持续发展的障碍，为了改变这种状况，三维芯片组件应运而生。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种基板材料与芯片三维电热连接结构，解决了现有技术中问题，整体结构简单合理、其封装效率高，组装方便、推动了微电子的进一步发展。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
一种基板材料与芯片三维电热连接结构，若干个倒装式芯片单体，倒装式芯片单体的两端均设有叠层凸起，倒装式芯片单体通过叠层凸起叠加呈一整体。
上述的倒装式芯片单体包括芯片本体和载体基板，芯片本体和载体基板之间设有凸点并填充有树脂。
上述的载体基板采用的材料为ALN、Si、金刚石中的一种。
本实用新型至少具有如下技术效果或优点：倒装式芯片单体之间通过两端的叠层凸起叠加呈一整体，具有结构简单合理、封装效率高、组装方便的优点，推动了微电子的进一步发展。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请的整体结构示意图。
图中，1为倒装式芯片单体，2为叠层凸起，3为芯片本体，4为载体基板，5为凸点，6为树脂。
具体实施方式
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
实施例1
参照图1，为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种基板材料与芯片三维电热连接结构，若干个倒装式芯片单体1，倒装式芯片单体1的两端均设有叠层凸起2，倒装式芯片单体1通过叠层凸起2叠加呈一整体，整体结构简单、封装效率高。
上述的倒装式芯片单体1包括芯片本体3和载体基板4，芯片本体3和载体基板4之间设有凸点5并填充有树脂6。
上述的载体基板4采用的材料为ALN、Si、金刚石中的一种，能够保持良好的散热。
上述实施方式至少具有以下优点：倒装式芯片单体1之间通过两端的叠层凸起2叠加呈一整体，结构简单合理、其封装效率高，组装方便、推动了微电子的进一步发展。
尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。