取向膜材料及其制备方法、取向膜、显示基板制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于光取向技术领域，具体涉及一种取向膜材料及其制备方法、取向膜、显示基板制备方法。
【背景技术】
[0002]在液晶显示装置中，取向膜是重要结构之一，其用于使与其接触的液晶分子产生特定的取向。取向膜通常由聚酰亚胺(PI)材料构成，为使其能产生取向作用，故需要对其进行取向。
[0003]—种现有的取向方法是摩擦取向，即用带有细毛的摩擦辊对取向膜表面进行摩擦，从而在其中形成许多微小的沟槽，作为取向结构。但摩擦取向方法存在会引入污染物、易损伤取向膜等许多问题。
[0004]为此，人们发展了光取向技术，即在将取向膜材料涂布在基底(如玻璃基底)上之后，用具有特定偏振方向的线偏振紫外光照射取向膜材料，使其中特定方向的分子链断裂，从而生成所需的取向结构。光取向方法避免了摩擦取向中的许多问题，但是，在分子链断裂的同时会生成许多作为副产品的裂解产物，这些裂解产物的存在会影响取向膜性能。因此，在进行光照后，还要对取向膜进行后烘加热，以将裂解产物挥发除去。这样，一方面后烘工艺的存在导致光取向方法工艺复杂、能耗大、耗时长;另一方面，裂解产物是在取向膜内部生成的且有渗透、吸附等作用，故在光照后在进行加热很难将其彻底除去，从而会影响取向膜产品的质量。
【发明内容】
[0005]本发明针对现有的光取向方法工艺复杂、产品质量不好的问题，提供一种工艺简单、产品质量好的取向膜材料及其制备方法、取向膜、显示基板制备方法。
[0006]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种取向膜材料，其包括:
[0007]基材，用于通过光取向形成取向膜基体；
[0008]光热转换材料，用于在紫外光照射下产生热量。
[0009]优选的，所述光热转换材料包括水滑石类插层材料、金纳米材料、碳纳米管、石墨烯中的任意一种或多种。
[0010]进一步优选的，所述水滑石类插层材料包括锌铝水滑石类插层材料、镁铝水滑石类插层材料、锌铁水滑石类插层材料、锌铬水滑石类插层材料中的任意一种或多种。
[0011]进一步优选的，所述水滑石类插层材料经过改性基团改性，所述改性基团包括磷酸二氢根阴离子、亚氨基二乙酸阴离子、氨基三亚甲基膦酸阴离子中的任意一种或多种。
[0012]优选的，所述光热转换材料为颗粒状，其粒径在10nm至lOOnm之间。
[0013]优选的，在所述取向膜材料中，光热转换材料的质量百分含量在0.01%至10 %之间。
[0014]进一步优选的，在所述取向膜材料中，光热转换材料的质量百分含量在1%至8%之间。
[0015]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种取向膜，其由上述的取向膜材料经光取向形成。
[0016]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种取向膜材料的制备方法，其包括:
[0017]将光热转换材料与基材混合，得到取向膜材料;其中，基材用于通过光取向形成取向膜基体，光热转换材料用于在紫外光照射下产生热量。
[0018]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板制备方法，其包括:
[0019]将上述取向膜材料涂布在显示基板上，形成未取向膜层；
[0020]用线偏振的紫外光对所述未取向膜层进行照射，使所述未取向膜层转变为取向膜。
[0021]本发明的取向膜材料中含有光热转换材料，光热转换材料可在光照时生热以使裂解产物挥发，由此不需要单独后烘，工艺简单；同时，由于光热转换材料混于基材中，故其可从内部对取向膜的各位置进行均匀加热，又由于光热转换材料在光照的同时即生热，故裂解产物生成后会立刻挥发，而无法渗透、吸附等，因此裂解产物可被有效的彻底除去。
【附图说明】
[0022]图1为本发明的实施例的取向膜的局部剖面结构示意图；
[0023]图2为本发明的实施例的光热转换材料含量不同的取向膜材料的紫外光吸收图谱；
[0024]图3为本发明的实施例的光热转换材料含量不同的取向膜材料在取向中生成的二氧化碳浓度对比图；
[0025]其中，附图标记为:
[0026]11、取向膜基体;12、光热转换材料;9、基底。
【具体实施方式】
[0027]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0028]实施例1:
[0029]本实施例提供一种取向膜材料，其包括:
[0030 ]基材，用于通过光取向形成取向膜基体；
[0031]光热转换材料，用于在紫外光照射下产生热量。
[0032]也就是说，以上取向膜材料中，除了用于通过光取向形成取向膜的常规材料(基材)外，还包括光热转换材料。在光取向过程中取向膜材料受到紫外光照射，基材分解产生裂解产物，而同时光热转换材料吸收紫外光并生热，使取向膜材料温度升高，将裂解产物挥发除去。
[0033]本实施例的取向膜材料中含有光热转换材料，其可在光照时生热以使裂解产物挥发，由此不需要单独后烘，工艺简单；同时，由于光热转换材料混于基材中，故其可从内部对取向膜的各位置进行均匀加热，又由于光热转换材料在光照的同时即生热，故裂解产物生成后会立刻挥发，而无法渗透、吸附等，因此裂解产物可被有效的彻底除去。
[0034]其中，以上的基材是指用于生成现有取向膜的常规材料，其通常以聚酰亚胺为主要成分，且其中还可含有光敏物质等其他已知组分。也就是说，本实施例的取向膜材料也可看作在常规取向膜材料(此处称为基材)中添加了光热转换材料而得，因此，以上基材可采用市售的取向膜材料产品，其具体成分等在此不再详细描述。
[0035]优选的，光热转换材料包括水滑石类插层材料、金纳米材料(即尺寸处于纳米量级的金微粒)、碳纳米管、石墨烯中的任意一种或多种。
[0036]也就是说，优选采用以上的各类物质作为光热转换材料，因为这些物质比较适用于取向膜中，当然，应当理解，光热转换材料并不限于此，只要是能在紫外光照射下生热且不会对取向膜性能造成不良影响的物质，都可作为光热转换材料。
[0037]其中，水滑石类插层材料(LDHs)是指由层状水滑石类插层材料(LDH，LayeredDoub 1 e Hydroxide)插层组装而成的材料，其包括主体层板和位于层板之间的层间阴离子；水滑石类插层材料具有层板化学组成可调控、层间离子可调控、晶粒尺寸及分布可调控等一系列独特的性质。
[0038]更优选的，以上水滑石类插层材料包括锌铝水滑石类插层材料、镁铝水滑石类插层材料、锌铁水滑石类插层材料、锌铬水滑石类插层材料中的任意一种或多种。
[0039]也就是说，以上水滑石类插层材料具体可为锌铝水滑石类插层材料(ZnAl-C03LDHs)、镁铝水滑石类插层材料(AlMg-C03LDHs)、锌铁水滑石类插层材料(ZnFe-COsLDHs)、锌铬水滑石类插层材料(ZnCr-COsLDHs)等。这些材料中部分键(如Ζη_0键)能吸收紫外线，并使基态电子发生跃迀，处于激发态的电子回迀过程会导致这些键产生振动并发热，从而在紫外光照射下生热。
[0040]优选的，水滑石类插层材料经过改性基团改性，改性基团包括磷酸二氢根阴离子、亚氨基二乙酸阴离子、氨基三亚甲基膦酸阴离子中的任意一种或多种。
[0041]也就是说，可用以上改性基团对水滑石类插层材料进行改性处理，从而在其中引入改性基团(包括置换材料插层中的阴离子、在材料外侧接枝、附着在材料外侧等)，这些改性基团能够加强水滑石类插层材料对紫外线的吸收，并可促进热能释放，提高其生热效;同时，以上改性基团多为有机物或与有机物性质比较近似，故当要把水滑石类插层材料加入基材(主要成份为聚酰亚胺)中时，改性基团也有利于使水滑石类插层材料更好的与基材融合，分布更均匀。
[0042]优选的，光热转换材料为颗粒状，其粒径在10nm至lOOnm之间。
[0043]也就是说，光热转换材料优选为纳米级的颗粒状，以便均匀分布于基材之中。
[0044]优选的，在取向膜材料中，光热转换材料的质量百分含量在0.01%至10 %之间。