一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装 置。
【背景技术】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显不 器）的阵列基板如图1所示，一般包括显示区域A-A和周边电路绑定区域B-B (这两个区域 以封框胶为界而划分），其中，显示区域包括多条交叉阵列的栅线和数据线，栅线和数据线 交叉形成多个显示单元，每个显示单元包括一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极和 漏极，其中，每个显示单元包括一个像素电极，漏极与像素电极连接，栅极与栅线连接、源极 与数据线连接，薄膜晶体管液晶显示器通过栅线和数据线向像素电极充电以实现显示单元 的显示。周边电路绑定区域形成有与栅线和数据线连接的栅线引线和数据线引线。柔性线 路板与栅线引线以及数据线引线连接，以向栅线和数据线输入电压信号。
[0003] 图2为现有的TFT-IXD阵列基板横截面的示意图，包括：衬底基板1、形成在衬底 基板1上的栅极11、栅线引线12、栅绝缘层13、有源层14、源极15和漏极16。其中，栅极 11位于显示区域A-A、栅线引线12位于周边电路绑定区域B-B。栅绝缘层13-般包括第 一子层131和第二子层132。其中，第一子层131使得栅极11与有源层14绝缘，第二子层 132的致密度大于第一子层131的致密度，以有利于提高薄膜晶体管的性能。
[0004] 为了使得栅线引线与柔性线路板实现电连接，现有技术中一般在栅绝缘层上形成 有过孔，在过孔中填充导电材料，栅线引线和柔性线路板通过过孔中的导电材料实现电连 接。然而，由于第二子层132的致密度大于第一子层131的致密度，则第二子层刻蚀速率小， 第一子层的刻蚀速率大，则形成的过孔在第二子层的最大孔径小于第一子层的最大孔径， 则过孔顶部有突起，会导致导电材料容易在突起处断开，从而与栅线引线的接触特性差，降 低了产品的良率。
【发明内容】
[0005] 本发明的实施例提供一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置，所述绝缘层 上的过孔坡度小且平滑，可以提高导电材料在过孔处的沉积，有利于导通绝缘层两侧的电 极。
[0006] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0007] -方面，本发明实施例提供了一种绝缘层，所述绝缘层上经过一次刻蚀形成有过 孔，所述绝缘层包括：形成在衬底基板上的第一子层以及位于所述第一子层上、且与所述第 一子层接触的第二子层；其中，所述第一子层的致密度大于所述第二子层的致密度；
[0008] 所述过孔在对应所述第一子层和所述第二子层的同一位置处，贯穿所述第一子层 和所述第二子层。
[0009] 可选的，所述绝缘层还包括位于所述第二子层上、且与所述第二子层接触的第三 子层；其中，所述第三子层的致密度大于所述第二子层的致密度。
[0010] 可选的，所述第三子层的致密度大于所述第一子层的致密度。
[0011] 可选的，所述第二子层的厚度不小于100 A,
[0012] 可选的，所述第二子层和所述第三子层的厚度之和为所述绝缘层厚度的 15% -30%〇
[0013] 另一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板以及形成在所述衬 底基板上的栅金属层、覆盖所述栅金属层的栅绝缘层；所述栅金属层包括栅极和栅线引线； 所述栅绝缘层为本发明实施例提供的绝缘层，且所述第一子层与所述栅金属层接触；
[0014] 所述过孔位于对应所述栅线引线的位置处。
[0015] 可选的，所述第三子层位于所述栅极位置的上方。
[0016] 可选的，还包括：位于所述第三子层上的有源层。
[0017] 可选的，所述第三子层和所述有源层的图案相同。
[0018] 可选的，还包括位于所述有源层上的源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极 以及覆盖所述过孔的连接电极，所述连接电极在所述过孔处与所述栅线引线直接接触。
[0019] 另一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
[0020] 在栅金属层上形成栅绝缘层，其中，所述栅金属层包括栅极和栅线引线；所述形成 栅绝缘层具体包括：
[0021] 在所述栅金属层上依次形成第一栅绝缘薄膜和第二栅绝缘薄膜；其中，所述第一 栅绝缘薄膜的致密度大于所述第二栅薄膜的致密度；
[0022] 在所述第一栅绝缘薄膜和所述第二栅绝缘薄膜对应所述栅线引线的同一位置处 一次刻蚀形成过孔，以形成第一子层和第二子层。
[0023] 可选的，所述形成栅绝缘层还包括：
[0024] 在所述第一栅绝缘薄膜和所述第二栅绝缘薄膜对应所述栅线引线的同一位置处 一次刻蚀形成过孔之前，在所述第二栅绝缘薄膜上形成第三栅绝缘薄膜；其中，所述第三栅 绝缘薄膜的致密度大于所述第二栅绝缘层的致密度；
[0025] 对所述第三栅绝缘薄膜构图，形成第三子层。
[0026] 可选的，所述在所述栅金属层上依次形成第一栅绝缘薄膜和第二栅绝缘薄膜以及 在所述第二栅绝缘薄膜上形成第三栅绝缘薄膜具体包括：
[0027] 采用第一速率沉积绝缘材料，以形成第一栅绝缘薄膜；
[0028] 采用第二速率沉积绝缘材料，以形成第二栅绝缘薄膜；
[0029] 采用第三速率沉积绝缘材料，以形成第三栅绝缘薄膜；其中，所述第一速率小于所 述第二速率，所述第三速率小于所述第二速率。
[0030] 可选的，所述第三速率小于所述第一速率。
[0031] 可选的，所述制作方法还包括：
[0032] 在对所述第三栅绝缘薄膜构图之前，在所述第三栅绝缘薄膜上形成有源层；
[0033] 所述对所述第三子层构图具体包括：
[0034] 以所述有源层为掩膜，对所述第三栅绝缘薄膜构图。
[0035] 可选的，所述在所述衬底基板上形成有源层，以所述有源层为掩膜，对所述第三栅 绝缘薄膜构图具体包括：
[0036] 在第三栅绝缘薄上沉积半导体材料，以形成半导体薄膜；
[0037] 在所述半导体薄膜上形成光刻胶；
[0038] 对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留部分，其中，所述光刻胶保留部分 位于对应所述栅极的位置处，所述光刻胶去除部分至少位于对应所述栅线引线的位置处；
[0039] 依次刻蚀所述光刻胶去除部分的半导体薄膜和第三栅绝缘薄膜，以形成有源层和 第三子层；
[0040] 将所述光刻胶剥离。
[0041] 可选的，在所述第三栅绝缘薄膜上形成有源层之后，所述方法还包括：
[0042] 形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极、漏极以及填充在所述过孔位置处的 连接电极，所述连接电极在所述过孔处与所述栅线引线直接接触。
[0043] 再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基 板。
[0044] 本发明的实施例提供一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置，绝缘层包括 第一子层和位于第一子层上的第二子层，第一子层的致密度大于第二子层的致密度，绝缘 层上具有贯穿第一子层和第二子层的过孔，则过孔在第二子层的开口宽度大于过孔在第一 子层的开口宽度，形成的过孔侧壁平缓，有利于材料在该过孔处的沉积。