一种阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，阵列基板一般是通过在衬底基板上制备薄膜晶体管阵列图形得到的；但是这种阵列基板的制作工艺比较复杂，为了降低制作成本，在阵列基板的实际制作过程中，人们一般会利用阵列基板中的栅极层同时加载两种信号(如Com信号和Gate信号)，且为了避免两种信号的引线发生重合，需要在栅极绝缘层上开设添加跳线膜层的栅极过孔；同时，为了使漏极和像素电极连接，实现漏极给像素电极充电，还会在钝化层上开设漏极过孔，使像素电极通过漏极过孔与漏极相连；且在制作阵列基板的过程中，栅极过孔和漏极过孔是通过刻蚀工艺通过一次构图工艺完成开设。
[0003]但是，由于钝化层的厚度与栅极绝缘层的厚度不同，因此，当漏极过孔中钝化层的绝缘材料被刻蚀完后，栅极过孔中的栅极绝缘层材料还有残余。为了保证栅极过孔和漏极过孔内的绝缘材料被完全刻蚀，一般在刻蚀时通过过刻解决此问题；但是这样会使漏极和钝化层的接触界面上的绝缘材料出现过刻，而栅极过孔的跳线膜层和漏极过孔中的引线均为ITO膜，这种ITO膜对于过刻的容错能力比较差，当漏极和钝化层的接触界面上的绝缘材料出现过刻时，极易发生断裂，导致信号无法正常传输。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，在源漏极和钝化层的接触界面上的绝缘材料出现过刻的情况下，解决信号无法正常传输的问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域；所述非显示区域包括在衬底基板上间隔设置的第一层叠结构和第二层叠结构，所述第一层叠结构和所述第二层叠结构之间的间隙构成连接孔；所述第一层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第一金属层、第一栅极绝缘层以及第一钝化层；所述第二层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第二栅极绝缘层、第二金属层以及第二钝化层；其中，
[0007]所述第一钝化层上开设有贯穿所述第一钝化层和所述第一栅极绝缘层的第一过孔，所述第一过孔的孔壁上开有沿所述第一过孔高度方向的第一缺口，所述第一缺口的长度与所述第一过孔的高度相同；所述第二钝化层上开设有贯穿所述第二钝化层的第二过孔，所述第二过孔的孔壁上开有沿所述第二过孔高度方向的第二缺口，所述第二缺口的长度与所述第二过孔的高度相同；所述第一过孔通过所述第一缺口与所述连接孔连通，所述第二过孔通过所述第二缺口与所述连接孔连通，所述第一过孔、第二过孔以及连接孔形成非显示区域过孔；所述第一金属层、所述第二金属层通过设在所述第一过孔、所述连接孔和所述第二过孔内的导电膜相连。
[0008]优选的，所述第一金属层和所述第二金属层均与栅极相连；或，
[0009]所述第一金属层和所述第二金属层均与公共电极相连；或，
[0010]所述第一金属层和所述第二金属层均与源漏极相连。
[0011]优选的，所述导电膜与所述显示区域中像素电极的材料相同，且所述导电膜与所述像素电极相连。
[0012]优选的，所述第一栅极绝缘层和所述第一钝化层之间设有第一有源层，所述第二栅极绝缘层和所述第二金属层之间设有第二有源层。
[0013]本发明还提供的上述技术方案所述的阵列基板的制作方法，包括:
[0014]步骤S1:在衬底基板上形成第一层叠结构和第二层叠结构；其中，所述第一层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第一金属层、第一栅极绝缘层以及第一钝化层；所述第二层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第二栅极绝缘层、第二金属层以及第二钝化层；所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层相连，所述第一钝化层和所述第二钝化层相连形成钝化层；
[0015]步骤S2:在所述第一层叠结构和所述第二层叠结构之间形成间隙，使所述第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隙构成连接孔，相连的所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层分离，相连的所述第一钝化层和所述第二钝化层分离；在所述第一钝化层上开设贯穿所述第一钝化层和所述第一栅极绝缘层的第一过孔，在所述第二钝化层上开设贯穿所述第二钝化层的第二过孔；其中，
[0016]所述第一过孔的孔壁上开有沿所述第一过孔高度方向的第一缺口，所述第一缺口的长度与所述第一过孔的高度相同；所述第二过孔的孔壁上开有沿所述第二过孔高度方向的第二缺口，所述第二缺口的长度与所述第二过孔的高度相同；所述第一过孔通过所述第一缺口与所述连接孔连通，所述第二过孔通过所述第二缺口与所述连接孔连通，所述第一过孔、所述第二过孔以及所述连接孔形成非显示区域过孔；
[0017]步骤S3:在所述第一过孔、所述连接孔和所述第二过孔内形成导电膜，使所述第一金属层、所述第二金属层通过所述导电膜相连。
[0018]优选的，所述步骤SI的具体过程为:
[0019]在衬底基板上形成位于非显示区域的第一金属层；
[0020]在所述第一金属层上形成位于非显示区域的第一栅极绝缘层，在所述衬底基板上形成位于非显示区域的第二栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层连接在一起；
[0021]在所述第二栅极绝缘层上形成位于非显示区域的第二金属层，且所述第二金属层、所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层形成裸露孔；
[0022]在所述第二金属层上、所述第一栅极绝缘层上以及所述裸露孔内形成位于非显示区域的钝化层；
[0023]所述步骤S2的具体过程为:在所述钝化层与所述第一栅极绝缘层对应的区域内开设第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一栅极绝缘层，以及所述钝化层与所述第一栅极绝缘层对应的区域；在所述钝化层与所述第二金属层对应的区域内开设第二过孔，所述第二过孔贯穿所述钝化层与所述第二金属层对应的区域；在所述钝化层与所述裸露孔对应的区域内开设连接孔，所述连接孔贯穿所述第二栅极绝缘层，以及所述钝化层与所述裸露孔对应的区域；所述连接孔分别与所述第一过孔和所述第二过孔相连通，使连接在一起的所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层分离，且在所述第一栅极绝缘层上得到第一钝化层，在所述第二金属层上得到第二钝化层。
[0024]优选的，所述导电膜的材料与像素电极的材料相同时，所述导电膜和像素电极通过一次构图工艺形成。
[0025]较佳的，所述第一金属层和所述第二金属层均与源漏极相连时，在非显示区域的所述第一过孔、所述连接孔和所述第二过孔中形成导电膜的过程为:在非显示区域的所述第一钝化层、所述第二钝化层，所述第一过孔、所述第二过孔以及所述连接孔中形成像素材料层，然后通过一次构图工艺在所述第一过孔、所述第二过孔以及所述连接孔中形成导电膜。
[0026]优选的，所述第一过孔、所述第二过孔、所述连接孔通过一次构图工艺形成；其中，
[0027]所述第一金属层和栅极的材料相同，且所述第一金属层和所述栅极通过一次构图工艺形成；所述第二金属层和源漏极材料相同，且所述源漏极、所述第二金属层以及所述裸露孔通过一次构图工艺形成。