[0028]优选的，还包括在所述第一栅极绝缘层上形成第一有源层，在所述第二栅极绝缘层上形成与所述第一有源层相连的第二有源层，所述第二金属层形成在所述第二有源层上，所述钝化层与所述第一栅极绝缘层对应的区域形成在所述第一有源层上，所述第一有源层、所述第二有源层、以及所述第二金属层形成所述裸露孔；所述连接孔分别与所述第一过孔和所述第二过孔相连通时，相连的所述第一有源层和所述第二有源层分离。
[0029]本发明提供的一种显示装置，包括上述技术方案所述的阵列基板。
[0030]与现有技术相比，本发明提供的阵列基板的非显示区域中，第一层叠结构中的第一钝化层上开设有第一过孔，第二层叠结构中的第二钝化层上开设有第二过孔，第一过孔的孔壁上还开有沿第一过孔高度方向的第一缺口，第一缺口的长度与第一过孔的高度相同，第二过孔的孔壁上开有沿第二过孔高度方向的第二缺口，第二缺口的长度与第二过孔的高度相同；因此，第一过孔和第二过孔实质上为半封闭的过孔，而且第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隙还构成连接孔，同时第一过孔通过第一缺口与连接孔连通，第二过孔通过第二缺口与连接孔连通；这样连接孔和实质上为半封闭孔的第一过孔和第二过孔连通成一个封闭的非显示区域过孔；且由于第一过孔贯穿第一钝化层和第一栅极绝缘层使第一金属层裸露于第一过孔的底部，第二过孔贯穿第二钝化层使第二金属层裸露于第二过孔的底部，因此，当第一过孔、第二过孔与连接孔连通形成一个封闭式的非显示区域过孔时，只要在第一过孔、第二过孔以及连接孔中布置导电膜，第一金属层和第二金属层就能导通，即使第二金属层和第二钝化层的接触界面上的绝缘材料发生过刻现象，导致位于第二过孔的导电膜发生断裂，第二过孔底部的第二金属层也能够通过设在连接孔和第一过孔中的导电膜正常传输信号。
【附图说明】
[0031]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0032]图1为本发明实施例提供的阵列基板中非显示区域的结构示意图；
[0033]图2为图1的俯视图；
[0034]图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中非显示区域的制作流程图；
[0035]图4为图3中步骤SI的具体流程图；
[0036]图5为图4中步骤Sll得到的结构示意图；
[0037]图6为图1中步骤S12得到的结构示意图；
[0038]图7为图1中步骤S13得到的结构示意图；
[0039]图8为图3中步骤S2得到的结构示意图。
[0040]附图标记:
[0041]1-第一金属层，2-第一栅极绝缘层；
[0042]3-第一钝化层，4-衬底基板；
[0043]5-第二栅极绝缘层，6-第二金属层；
[0044]7-第二钝化层，8-导电膜；
[0045]9-非显示区域过孔，90-连接孔；
[0046]91-第一过孔；92-第二过孔；
[0047]10-裸露孔。
【具体实施方式】
[0048]为了进一步说明本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0049]请参阅图1，本发明实施例提供的阵列基板包括:显示区域和非显示区域；非显示区域包括设在衬底基板4上间隔设置的第一层叠结构和第二层叠结构；第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隔构成连接孔90，第一层叠结构包括依次层叠设置在衬底基板4上的第一金属层1、第一栅极绝缘层2以及第一钝化层3 ;第二层叠结构包括依次层叠设置在衬底基板4上的第二栅极绝缘层5、第二金属层6以及第二钝化层7 ;第一金属层I设在衬底基板4上，第二栅极绝缘层5设在衬底基板4上；其中，
[0050]请参阅图2，第一钝化层3上开设有贯穿第一钝化层3和第一栅极绝缘层2的第一过孔91，第一过孔91的孔壁上开有沿第一过孔91高度方向的第一缺口，第一缺口的长度与第一过孔91的高度相同；第二钝化层7上开设有贯穿第二钝化层7的第二过孔92，第二过孔92的孔壁上开有沿第二过孔92高度方向的第二缺口，第二缺口的长度与第二过孔92的高度相同；第一过孔91通过第一缺口与连接孔90连通，第二过孔92通过第二缺口与连接孔90连通；第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90形成非显示区域过孔9 ;第一金属层1、第二金属6通过设在第一过孔91、连接孔90和第二过孔92内的导电膜8相连。
[0051]当需要在电极上加载信号时，第一金属层I和第二金属层6同时通过导线与需要加载信号的电极相连，导电膜8与提供信号的电压源相连；这样电压源提供的信号就能通过导电膜8以及与导电膜8相连的第一金属层I和第二金属层6传输到需要加载信号的电极上。
[0052]通过上述阵列基板的非显示区域的信号传输过程可以看出，本实施例提供的阵列基板的非显示区域中，第一层叠结构中的第一钝化层3上开设有第一过孔90，第二层叠结构中的第二钝化层7上开设有第二过孔92，第一过孔91的孔壁上还开有沿第一过孔91高度方向的第一缺口，第一缺口的长度与第一过孔91的高度相同；第二过孔92的孔壁上开有沿第二过孔92高度方向的第二缺口，第二缺口的长度与第二过孔92的高度相同；因此，第一过孔91和第二过孔92实质上为半封闭的过孔，而且第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隙构成连接孔90，同时第一过孔91通过第一缺口与连接孔90连通，第二过孔92通过第二缺口与连接孔90连通；这样连接孔90实质上为半封闭孔的第一过孔91和第二过孔92连接成一个封闭的非显示区域过孔9 ;且由于第一过孔91贯穿第一钝化层3和第一栅极绝缘层2，使第一金属层I裸露于第一过孔91的底部，第二过孔92贯穿第二钝化层7使第二金属层6裸露于第二过孔92的底部，因此，当第一过孔91、第二过孔92与连接孔90连通形成一个封闭式的非显示区域过孔9时，只要在第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90中布置导电膜8，第一金属层I和第二金属层6就能导通，即使第二金属层6和第二钝化层7的接触界面上的绝缘材料发生过刻现象，导致位于第二过孔92的导电膜8发生断裂，第二过孔92底部的第二金属层6也能够通过设在连接孔90和第一过孔91中的导电膜8正常传输信号。
[0053]而且，第一金属层I和第二金属层6可以共同加载各种信号，如栅极信号、公共端信号或源漏极信号；当加载栅极信号时，第一金属层I和第二金属层6通过导电膜8与栅极相连，当加载公共端信号时，第一金属层I和第二金属层6通过导电膜8与公共电极相连，当加载源漏极信号时，第一金属层I和第二金属层6通过导电膜8与源漏极相连。
[0054]此外，为了传输信号，上述导电膜8的材料可以为任意导电性材料，如常见的金属材料、IT0(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)材料；优选的，上述导电膜8的材料与像素电极的材料相同，这样在制备像素电极时，能够一并制备导电膜8，无需重新制作导电膜8，减少了工艺的复杂程度。另外，当第一金属层I和第二金属层6通过导电膜8与源漏极相连时，阵列基板的显示区域不用特别制作用于连接像素电极和源漏极的