过孔，减少了在阵列基板上过孔的数目，使阵列基板的实际利用率提高。
[0055]需要说明的是，上述实施例提供的阵列基板的非显示区域中可以将原来去掉的有源层保留，保留的有源层包括设于第一栅极绝缘层2和第一钝化层3之间的第一有源层，第二有源层设于第二栅极绝缘层5和第二金属层6之间的第二有源层。
[0056]请参阅图1-3，本发明上述技术方案的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0057]步骤S1:在衬底基板4上形成第一层叠结构和第二层叠结构；其中，第一层叠结构包括依次层叠设置在衬底基板4上的第一金属层1、第一栅极绝缘层2以及第一钝化层3 ;第二层叠结构包括依次层叠设置在衬底基板4上的第二栅极绝缘层5、第二金属层6以及第二钝化层7 ;第一栅极绝缘层2和第二栅极绝缘层5相连，第一钝化层3和第二钝化层7相连形成钝化层；
[0058]步骤S2:在第一层叠结构和第二层叠结构之间形成间隙，使第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隙构成连接孔90，相连的第一栅极绝缘层2和第二栅极绝缘层5分离，相连的第一钝化层3和第二钝化层7分离；在第一钝化层3上开设贯穿第一钝化层3和第一栅极绝缘层2的第一过孔91，在第二钝化层7上开设贯穿第二钝化层7的第二过孔92 ;其中，
[0059]第一过孔91的孔壁上开有沿第一过孔91高度方向的第一缺口，第一缺口的长度与第一过孔91的高度相同；第二过孔92的孔壁上开有沿第二过孔92高度方向的第二缺口，第二缺口的长度与第二过孔92的高度相同；第一过孔91通过第一缺口与连接孔90连通，第二过孔92通过第二缺口与连接孔90连通，第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90形成非显示区域过孔9;
[0060]步骤S3:在所述第一过孔91、连接孔90和第二过孔92内形成导电膜8，使第一金属层1、第二金属层6通过导电膜8相连。
[0061]本实施例提供的阵列基板制作方法与上述阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
[0062]请参阅图4-7，上述步骤SI的具体过程包括以下步骤:
[0063]步骤Sll:在衬底基板4上形成位于非显示区域的第一金属层I ;
[0064]步骤S12:在第一金属层I上形成位于非显示区域的第一栅极绝缘层2，在衬底基板4上形成位于非显示区域的第二栅极绝缘层5 ;第一栅极绝缘层2和第二栅极绝缘层5连接在一起；
[0065]步骤S13:在第二栅极绝缘层5上形成位于非显示区域的第二金属层6，且第二金属层6、第一栅极绝缘层2以及第二栅极绝缘层5形成裸露孔10 ;
[0066]步骤S14:在第二金属层6上、第一栅极绝缘层2上以及裸露孔10内形成位于非显示区域的钝化层。
[0067]请参阅图2和图8，上述步骤S2的具体过程包括以下步骤:在钝化层与第一栅极绝缘层2对应的区域内开设第一过孔91，第一过孔91贯穿第一栅极绝缘层2，以及钝化层与第一栅极绝缘层2对应的区域；在钝化层与第二金属层6对应的区域内开设第二过孔92，第二过孔92贯穿钝化层与第二金属层6对应的区域；在钝化层与裸露孔10对应的区域内开设连接孔90，连接孔90贯穿第二栅极绝缘层5，以及钝化层与裸露孔10对应的区域，连接孔90分别与第一过孔91和第二过孔92相连通，使连接在一起的第一栅极绝缘层2和第二栅极绝缘层5分离，且在第一栅极绝缘层2上得到第一钝化层3，在第二金属层6上得到第二钝化层7。
[0068]上述提供的阵列基板制作方法中，通过在第二栅极绝缘层5上形成位于非显示区域的第二金属层6，且使第二金属层6、第一栅极绝缘层2以及第二栅极绝缘层5形成裸露孔10，而非显示区域的钝化层有一部分形成在裸漏孔中，因此，在钝化层与裸露孔10对应的区域内开设连接孔90时，可以采用与第一过孔91和第二过孔92同样的开设方法开设连接孔90 ;使第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90 —次完成开设；同时，由于第二金属层6、第一栅极绝缘层2以及第二栅极绝缘层5形成裸露孔10，因此，被连接孔90贯穿的第二栅极绝缘层5的上方没有第二金属层6的遮挡，使第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90一次完成开设。
[0069]需要说明的是，上述实施例虽然只公开了阵列基板的非显示区域的制作方法，但是由于阵列基板的显示区域结构与常规制作方法相同。因此，即使没有公开阵列基板的显示区域制作方法，采用上述制作方法也是可以制作阵列基板的。
[0070]而且，一般来说，非显示区域的第一金属层I与显示区域的栅极一起制作，非显示区域的连接在一起的第一栅极绝缘层2和第二栅极绝缘层5与显示区域的栅极绝缘层一起制作；非显示区域的第二金属层6和显示区域的源漏极一起制作，非显示区域的导电膜8可以和显示区域的像素电极一起制作。
[0071]优选的，导电膜8的材料与像素电极的材料相同时，导电膜8和像素电极通过一次构图工艺形成；而且，第一金属层I和第二金属层6均与源漏极相连时，在非显示区域的第一过孔91、连接孔90和第二过孔92中形成导电膜8的过程为:在非显示区域的第一钝化层3、第二钝化层7、第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90中形成像素材料层，然后通过一次构图工艺形成第一过孔91、第二过孔92以及连接孔90中的导电膜8。由于第一金属层I和第二金属层6均与源漏极相连，非显示区域中第一金属层I和第二金属层6通过导电膜8与信号提供电源相连，实现了像素电极和源漏极的相连，避免了在显示区域内开设用于像素电极和源漏极相连的过孔。
[0072]另外，为了方便操作，第一过孔91、第二过孔92、连接孔90通过一次构图工艺形成时，第一金属层I和栅极的材料相同，第一金属层I和栅极通过一次构图工艺形成；第二金属层6和源漏极材料相同，源漏极、第二金属层6以及裸露孔10通过一次构图工艺形成。由于材料相同，在一次构图时，可以采用相同条件的构图工艺，从而避免改变构图工艺条件所造成的时间浪费问题。
[0073]当非显示区域中还保留有有源层时，有源层的形成方法为:在第一栅极绝缘层2上形成第一有源层，在第二栅极绝缘层5上形成与第一有源层相连的第二有源层，第二金属层6形成在第二有源层上，钝化层与第一栅极绝缘层2对应的区域形成在第一有源层上，第一有源层、第二有源层、第一栅极绝缘层2、第二栅极绝缘层5、第二金属层6形成裸露孔10 ;当连接孔90分别与第一过孔91和第二过孔92相连通时，相连的第一有源层和第二有源层分离。
[0074]需要说明的是，上述一次构图工艺一般是通过掩膜版结合光刻工艺实现的，但不排除其他可实现的工艺。
[0075]本发明实施例提供的显示装置包括上述技术方案的阵列基板。
[0076]与现有技术相比，本实施例提供的显示装置的有益效果与上述阵列基板相同，此处不做赘述。
[0077]上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0078]在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0079]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围