阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
[0003]液晶显示器根据光源的不同分为透射式、反射式和半透半反式，其中，透射式液晶显示器是以背光源发出的光线作为光源；反射式液晶显示器是以外界的自然光作为光源；而半透半反液晶显示器是介于前两者之间，即在阵列基板上设置部分区域为透射区，部分区域为反射区，这样既可以通过背光源从透射区提供光源，避免对外界光源的依赖，又可以利用外界光源，节约能耗。
[0004]不管是反射式还是半透半反式的液晶显示器，均需要在反射区制作用于反射光线的反射层，且所制作的反射层的光反射性能能够直接影响到液晶显示器的显示效果，因此，如何提高其中的反射层的光反射效果是目前亟待解决的问题。
【发明内容】
[0005](一 )要解决的技术问题
[0006]本发明要解决的技术问题是:如何提高阵列基板中的反射层的光反射效果。
[0007]( 二)技术方案
[0008]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，还包括在所述衬底基板上形成反射层，所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状。
[0009]优选地，在所述衬底基板上形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极、所述钝化层和所述反射层包括:
[0010]在所述衬底基板上依次形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层；
[0011]在形成有所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层的衬底基板上采用铜材料形成源漏金属薄月吴;
[0012]采用半透膜曝光工艺在所述源漏金属薄膜上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述源漏极的区域，所述光刻胶半保留区域对应所述反射层的区域；
[0013]去除所述光刻胶去除区域的源漏金属薄膜；
[0014]利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
[0015]采用包含有卤素元素的物质对所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜进行等离子体处理，从而使所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜的表面形成凹凸不平状的结构；
[0016]去除剩余的光刻胶，并依次形成所述钝化层和所述反射层，且所述钝化层以及所述反射层厚度均匀，从而使得所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状的结构。
[0017]优选地，所述包含有卤素元素的物质为以下的至少一种:Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI。
[0018]优选地，在所述等离子体处理中，所述衬底基板的温度小于200摄氏度。
[0019]优选地，所述钝化层的厚度为300埃米?1000埃米。
[0020]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，所述衬底基板上还形成反射层，所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状。
[0021]优选地，所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极和所述钝化层依次设置在所述衬底基板上，所述反射层设置在所述钝化层的表面上，所述钝化层以及所述反射层厚度均匀，所述反射层与所述衬底基板之间还设置有与所述源漏极同层制作的铜金属层，且所述铜金属层朝向所述反射层的表面为采用包含有卤素元素的物质进行等离子体处理后形成的凹凸不平状的结构。
[0022]优选地，所述包含有卤素元素的物质为以下的至少一种:Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI。
[0023]优选地，所述钝化层的厚度为300埃米?1000埃米。
[0024]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本发明提供的阵列基板的制作方法，通过将反射层的表面设为凹凸不平状，使外界光能够在反射层的表面发生漫反射，从而能够有效提高反射层的光反射效果，实现液晶显示器显示效果的提升。
【附图说明】
[0027]图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
[0028]图2?8是本发明实施方式提供的一种制作阵列基板的示意图。
【具体实施方式】
[0029]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0030]本发明实施方式提供了一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层，该方法还包括在所述衬底基板上形成反射层，所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状。
[0031]本发明实施方式提供的阵列基板的制作方法，通过将反射层的表面设为凹凸不平状，使外界光能够在反射层的表面发生漫反射，从而能够有效提高反射层的光反射效果，实现液晶显示器显示效果的提升。
[0032]其中，本发明中的阵列基板的制作方法，不但可以用于制作反射式液晶显示器的阵列基板，还可以用于制作半透半反式液晶显示器的阵列基板；
[0033]图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的制作方法的流程图，该制作方法包括:
[0034]S1:在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层；
[0035]例如，当用于制作FFS模式的阵列基板时，如图2所示，在衬底基板10上先后制作栅极(Gate) 20和公共电极层30、栅极绝缘层40 (GI层)，然后形成有源层(Active层)50 ;
[0036]其中，制作栅极20的材料可以是Cu、T1、Mo、Al、W、Cr等金属或者合金；栅极绝缘层40可以是Ti02、Yi2O3, Al2O3, SiNx, S1N, S12中的任一种形成的单层结构，也可以为由上述多种材料形成的复合层；有源层50的材料可以是a-Si，也可以是Oxide半导体材料，如 IGZ0、ΙΖ0、I GO、GZO、ZnO、ITZO 等一系列 Oxide 半导体材料；
[0037]S2:在形成有所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层的衬底基板上采用铜材料形成源漏金属薄月吴;
[0038]具体地，在图2所示的基板上沉积一层铜薄膜60 (源漏金属薄膜)，得到如图3所示的结构；
[0039]S3:采用半透膜曝光工艺在所述源漏金属薄膜上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述源漏极的区域，所述光刻胶半保留区域对应所述反射层的区域；
[0040]具体地，在该步骤中，可以首先在图3所示的基板上涂覆一层光刻胶，采用半色调掩膜(H/T Mask)或者灰色调掩膜(G/T Mask)对涂覆的光刻胶进行曝光，其中，对位于TFT沟道区以及透射区的光刻胶进行完全曝光工艺，对位于反射区的光刻胶进行半曝光，而后通过显影工艺在基板上形成光刻胶完全保留区域71、光刻胶半保留区域72和光刻胶去除区域；
[0041]S4:去除所述光刻胶去除区域的源漏金属薄膜；
[0042]如图4所示，通过刻蚀工艺后，从而在有源层的上方形成源漏极(包括源极61和漏极62)，在反射区形成铜金属层63 ;
[0043]S5:利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶；
[0044]如图5所示，通过进行02灰化处理，将反射区的光刻胶去除，裸露反射区的铜金属层63 ；
[0045]S6:采用包含有卤素元素的物质对所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜进行等离子体处理，从而使所述光刻胶半保留