Tft基板上的配向膜厚度测量方法及cf基板上的配向膜厚度测量方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其设及一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法及CF 基板上的配向膜厚度测量方法。
【背景技术】
[0002] 液晶显示模组因具有低福射性、体积轻薄短小及耗电低等特点，已广泛应用于手 机、个人数字助理、笔记本电脑、个人电脑及电视等领域。
[0003] 液晶显示模组通常包括薄膜晶体管（TFT)基板、彩色滤光片（C巧基板和液晶层。 所述薄膜晶体管基板和所述彩色滤光片基板相对设置，所述液晶层位于所述薄膜晶体管基 板和所述彩色滤光片基板之间。其中，所述薄膜晶体管基板和所述彩色滤光片基板上与所 述液晶层相接触的表面通常设有配向膜。
[0004] 现有的TFT基板或CF基板的生产制程中，一直无法做到实时监控TFT基板或CF 基板上的配向膜的膜厚，如图1所示，为一种现有的配向膜厚度测试方法，提供一与TFT基 板或CF基板厚度及大小相同的玻璃基板400,在玻璃基板400上对应于TFT基板或CF基板 上显示区域的位置形成数块IT0薄膜500,然后在具有IT0薄膜500的玻璃基板400上印制 配向膜，最后在所述数块IT0薄膜500上分别选取数个测试点600来测量配向膜的厚度，W 此来监控TFT基板或CF基板上印制的配向膜厚度。 阳〇化]然而，现有的TFT基板及CF基板的膜层结构都非常复杂，如图2所示，为现有的CF基板的结构示意图，所述CF基板包括从下到上依次设置的玻璃基板100、黑色矩阵110、彩 色光阻层120、及外覆层130 ;
[0006] 如图3所示，为现有的TFT基板的结构示意图，所述TFT基板包括从下到上依次 设置的玻璃基板200、遮光层210、缓冲层220、多晶娃层230、栅极绝缘层240、栅极金属层 250、层间绝缘层260、源漏极金属层270、平坦层280、公共电极层290、第一纯化层300、第= 金属层310、第二纯化层320、像素电极层330 ; 阳007] 由此可见，印制配向膜时，CF基板的基础膜层为外覆层130,TFT基板的基础膜层 为像素电极层330和第二纯化层320,由于基础膜层的材料、厚度不同，因此，印制配向膜时PI(聚酷亚胺）液的附着性存在差异，使得最后在不同基板上印制的配向膜的厚度不同。
[0008] 图1所示的传统的配向膜厚度测试方法，配向膜印制于具有IT0薄膜500的玻璃 基板400上，该基板的膜层结构单一，基础膜层为IT0层，由于TFT基板上印制配向膜的基 础膜层为像素电极层330和第二保护层320,CF基板上印制配向膜的基础膜层为外覆层 130,考虑到不同材料上PI液附着性有着差异，相同制程条件下IT0薄膜500上印制的配向 膜的膜厚不等同于TFT基板或者CF基板上印制的配向膜的膜厚，致使现有的配向膜膜厚量 测不能定量，只能定性，配向膜膜厚监控无法做到及时有效。
[0009] 随着LCD行业产品规格不断提升，由于配向膜膜厚变异造成的缺陷也日益凸显， 配向膜膜厚对产品特性的影响也越来越大，传统的配向膜膜厚监控手段已无法满足安全生 产的需求，可能造成大量的异常品产出。因此，有必要提出一种新型的配向膜膜厚检测方 法，W解决目前LCD生产制程中存在的技术问题。
【发明内容】
[0010] 本发明的目的在于提供一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法，可准确测量TFT 基板上印制的配向膜的厚度。
[0011] 本发明的目的还在于提供一种CF基板上的配向膜厚度测量方法，可准确测量CF 基板上印制的配向膜的厚度。
[0012] 为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法，包括如下 步骤：
[0013] 步骤1、提供TFT基板，所述TFT基板包括第一基板、设于所述第一基板上的缓冲 层、及设于所述缓冲层上的TFT层；
[0014] 所述TFT基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域、位于所述数个显示区域之 间的间隔区域、及分布于所述数个显示区域四周的边缘区域；
[0015] 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述TFT基板的上表面于所述边缘区域中形成数个 测试凹槽，所述测试凹槽贯穿所述TFT层；
[0016] 步骤3、在所述TFT基板的上表面、及所述测试凹槽中印刷配向膜，所述测试凹槽 中印刷的配向膜的参数与所述TFT基板上表面印刷的配向膜的参数一致；
[0017] 步骤4、分别测量所述数个测试凹槽中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试凹槽 中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述TFT基板上的配向膜厚度。
[0018] 所述缓冲层为氮化娃与氧化娃的复合层；所述TFT层包括在所述缓冲层上向上依 次设置的多晶娃层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极金属层、平坦层、公共电 极层、第一纯化层、第=金属层、第二纯化层、及像素电极层。
[0019] 所述TFT基板为矩形结构，所述边缘区域包括设于所述TFT基板最上端的第一条 形区域、设于所述TFT基板最下端的第二条形区域、设于所述TFT基板最左端的第S条形区 域、及设于所述TFT基板最右端的第四条形区域；所述步骤2中在第一、第二、第=、第四条 形区域中分别形成数个测试凹槽。
[0020] 所述步骤2中在所述第一、第二第三及第四条形区域中分别形成3个测试凹槽。
[0021] 所述测试凹槽的开口呈lOmmX10mm的矩形；所述测试凹槽的深度为45350A。
[0022] 本发明还提供一种CF基板上的配向膜厚度测量方法，包括如下步骤：
[0023] 步骤1、提供一第二基板，在所述第二基板上依次形成黑色矩阵、及彩色光阻层；
[0024] 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述具有彩色光阻层、及黑色矩阵的边缘区域中形 成数个贯穿所述彩色光阻层及黑色矩阵的通孔；
[0025] 步骤3、在所述彩色光阻层上涂布有机材料，形成外覆层，所述外覆层覆盖所述彩 色光阻层并包覆数个通孔，在数个通孔内分别形成数个测试凹槽；
[00%] 从而得到一CF基板，所述CF基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域、位于所 述数个显示区域之间的间隔区域、及分布于所述数个显示区域四周的边缘区域；所述边缘 区域中设有数个测试凹槽；
[0027] 步骤4、在所述CF基板的上表面、及所述测试凹槽中印刷配向膜，所述测试凹槽中 印刷的配向膜的参数与所述CF基板上表面印刷的配向膜的参数一致；
[0028] 步骤5、分别测量所述数个测试凹槽中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试凹槽 中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述CF基板上的配向膜厚度。
[0029] 所述步骤3制得的CF基板为矩形结构，所述边缘区域包括设于所述CF基板最上 端的第一条形区域、设于所述CF基板最下端的第二条形区域、设于所述CF基板最左端的第 S条形区域、及设于所述CF基板最右端的第四条形区域；所述第一、第二、第S、第四条形 区域中均设有数个测试凹槽。
[0030] 所述第一、第二、第=、及第四条形区域中均设有3个测试凹槽。
[0031] 所述测试凹槽的开口呈lOmmX 10mm的矩形；所述测试凹槽的深度为32000A。
[0032] 所述彩色光阻层包括数个红、绿、蓝色色阻块。
[0033] 本发明的有益效果：本发明提供的TFT基板上的配向膜厚度测量方法及CF基板上 的配向膜厚度测量方法，分别通过在TFT基板或CF基板的边缘区域设置数个测试凹槽，使 得在整个TFT基板或CF基板上印制配向膜后，可通过测量数个测试凹槽中的配向膜的厚度 来测量TFT基板或CF基板上的配向膜的厚度，操作简单，仅需一道挖孔制程，即可制得位于 边缘区域的测试凹槽，使得配向膜的膜厚测量变得简单易行，并且与传统的测量方法相比， 测量结果更加准确，可靠性更高。
【附图说明】
[0034] 为了能更进一步了解本发明的特征W及技术内容，请参阅W下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加W限制。
[0035] 附图中，
[0036] 图1为现有的配向膜厚度测试方法的示意图；
[0037] 图2为现有的CF基板的剖面结构示意图；
[0038] 图3为现有的TFT基板的剖面结构示意图；
[0039] 图4-5为本发明的TFT基板上的配向膜厚度测量方法的步骤2的示意图；
[0040] 图6为本发明的CF基板上的配向膜厚度测量方法的步骤2的示意图；
[0041] 图7-8为本发明的CF基板上的配向膜厚度测量方法的步骤3的示意图。
【具体实施方式】
[0042] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，W下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0043] 请参阅图4、图5,本发明首先提供一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法，包括如 下步骤：
[0044] 步骤1、提供TFT基板，所述TFT基板包括第一基板10、设于所述第一基板10上的 缓冲层12、及设于所述缓冲层12上的TFT层。
[0045] 所述TFT基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域30、位于所述数个显示区域 30之间的间隔区域40、及分布于所述数个显示区域30四周的边缘区域50。
[0046] 具体的，所述缓冲层12为氮化娃与氧化娃的复合层；所述TFT层包括在所述缓冲 层12上向上依次设置的多晶娃层13、栅极绝缘层14、栅极金属层15、层间绝缘层16、源漏 极金属层17、平坦层18、公共电极层19、第一纯化层20、第立金属层21、第二纯化层22、及 像素电极层23。所述公共电极层19及像素电极层23的材料为ITO。所述基板10与缓冲 层12之间还可W设有遮光层（未图示）。
[0047]具体的，所述TFT基板为矩形结构，所述边缘区域50包括设于所述TFT基板最上 端的第一条形区域51、设于所述TFT基板最下端的第二条形区域5