2、设于所述TFT基板最 左端的第S条形区域53、及设于所述TFT基板最右端的第四条形区域54。 W48] 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述TFT基板的上表面于所述边缘区域50中形成数 个测试凹槽60,所述测试凹槽60贯穿所述TFT层。
[0049] 具体的，在所述第一条形区域51、第二条形区域52、第=条形区域53、及第四条形 区域54中分别形成数个测试凹槽60;优选的，在所述第一、第二、第=、及第四条形区域51、 52、53、54中分别形成3个测试凹槽60。
[0050] 优选的，所述测试凹槽60的开口呈lOmmX 10mm的矩形。
[0051] 优选的，所述测试凹槽60的深度为45350A。 阳0巧步骤3、在所述TFT基板的上表面、及所述测试凹槽60中印刷配向膜，所述测试凹 槽60中印刷的配向膜的参数与所述TFT基板上表面印刷的配向膜的参数一致。
[0053] 具体的，所述测试凹槽60中印刷的配向膜形成于所述缓冲层12的表面。
[0054] 步骤4、分别测量所述数个测试凹槽60中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试 凹槽60中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述TFT基板上的配向膜厚度。 阳化5] 请参阅图6、图7、图8,本发明还提供一种CF基板上的配向膜厚度测量方法，包括 如下步骤：
[0056] 步骤1、提供第二基板70,在所述第二基板70上依次形成黑色矩阵71、及彩色光阻 层72。
[0057] 具体的，所述彩色光阻层72包括数个红、绿、蓝色色阻块。
[0058] 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述彩色光阻层72、及黑色矩阵71的边缘区域中形 成数个贯穿所述彩色光阻层72及黑色矩阵71的通孔80。
[0059] 步骤3、在所述彩色光阻层72上涂布有机材料，形成外覆层73,所述外覆层73覆 盖所述彩色光阻层72并包覆数个通孔80,在数个通孔80内分别形成数个测试凹槽60'；
[0060] 从而得到一CF基板，所述CF基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域30'、位 于所述数个显示区域30'之间的间隔区域40'、及分布于所述数个显示区域30'四周的边缘 区域50'；所述边缘区域50'中设有数个测试凹槽60'。
[0061] 具体的，所述CF基板为矩形结构，所述边缘区域50'包括设于所述CF基板最上端 的第一条形区域51'、设于所述CF基板最下端的第二条形区域52'、设于所述CF基板最左 端的第S条形区域53'、及设于所述CF基板最右端的第四条形区域54'。
[0062] 具体的，所述第一条形区域51'、第二条形区域52'、第=条形区域53'、及第四条 形区域54'中均设有数个测试凹槽60' ；优选的，所述第一、第二、第=、及第四条形区域 51'、52'、53'、54'中均设有3个测试凹槽60'。
[0063] 优选的，所述测试凹槽60'的开口呈lOmmX10mm的矩形。 W64] 优选的，所述测试凹槽60'的深度为32说放基。 W65] 步骤3、在所述CF基板的上表面、及所述测试凹槽60'中印刷配向膜，所述测试凹 槽60'中印刷的配向膜的参数与所述CF基板上表面印刷的配向膜的参数一致。
[0066] 具体的，所述测试凹槽60'中印刷的配向膜与所述CF基板上表面印刷的配向膜一 样，也是与外覆层73相接触，因而可使后续配向膜的测量值更准确。
[0067] 步骤4、分别测量所述数个测试凹槽60'中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试 凹槽60'中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述CF基板上的配向膜厚度。
[0068] 综上所述，本发明提供的TFT基板上的配向膜厚度测量方法及CF基板上的配向 膜厚度测量方法，分别通过在TFT基板或CF基板的边缘区域设置数个测试凹槽，使得在整 个TFT基板或CF基板上印制配向膜后，可通过测量数个测试凹槽中的配向膜的厚度来测量 TFT基板或CF基板上的配向膜的厚度，操作简单，仅需一道挖孔制程，即可制得位于边缘区 域的测试凹槽，使得配向膜的膜厚测量变得简单易行，并且与传统的测量方法相比，测量结 果更加准确，可靠性更高。
[0069] W上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可W根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有运些改变和变形都应属于本发明后附的权利 要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供TFT基板，所述TFT基板包括第一基板（10)、设于所述第一基板（10)上的 缓冲层（12)、及设于所述缓冲层（12)上的TFT层； 所述TFT基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域（30)、位于所述数个显示区域 (30)之间的间隔区域（40)、及分布于所述数个显示区域（30)四周的边缘区域（50); 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述TFT基板的上表面于所述边缘区域（50)中形成数个 测试凹槽（60)，所述测试凹槽（60)贯穿所述TFT层； 步骤3、在所述TFT基板的上表面、及所述测试凹槽（60)中印刷配向膜，所述测试凹槽 (60)中印刷的配向膜的参数与所述TFT基板上表面印刷的配向膜的参数一致； 步骤4、分别测量所述数个测试凹槽（60)中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试凹 槽（60)中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述TFT基板上的配向膜厚度。2. 如权利要求1所述的TFT基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述缓冲层 (12)为氮化硅与氧化硅的复合层；所述TFT层包括在所述缓冲层（12)上向上依次设置的 多晶硅层（13)、栅极绝缘层（14)、栅极金属层（15)、层间绝缘层（16)、源漏极金属层（17)、 平坦层（18)、公共电极层（19)、第一钝化层（20)、第三金属层（21)、第二钝化层（22)、像素 电极层（23)。3. 如权利要求1所述的TFT基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述步骤1 中，所述TFT基板为矩形结构，所述边缘区域（50)包括设于所述TFT基板最上端的第一条 形区域（51)、设于所述TFT基板最下端的第二条形区域（52)、设于所述TFT基板最左端的 第三条形区域（53)、及设于所述TFT基板最右端的第四条形区域（54); 所述步骤2中在所述第一、第二、第三、第四条形区域（51、52、53、54)中分别形成数个 测试凹槽（60)。4. 如权利要求3所述的TFT基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述步骤2中 在所述第一、第二、第三、第四条形区域（51、52、53、54)中分别形成3个测试凹槽（60)。5. 如权利要求1所述的TFT基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述测试凹槽 (60)的开口呈IOmmX IOmm的矩形，所述测试凹槽（60)的深度为45350 JL6. -种CF基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一第二基板（70)，在所述第二基板（70)上依次形成黑色矩阵（71)、及彩色 光阻层（72); 步骤2、通过一道挖孔制程，在所述彩色光阻层（72)、及黑色矩阵（71)的边缘区域中形 成数个贯穿所述彩色光阻层（72)及黑色矩阵（71)的通孔（80); 步骤3、在所述彩色光阻层（72)上涂布有机材料，形成外覆层（73)，所述外覆层（73) 覆盖所述彩色光阻层（72)并包覆数个通孔（80)，在数个通孔（80)内分别形成数个测试凹 槽（60' ）； 从而得到一 CF基板，所述CF基板的上表面包括数个间隔设置的显示区域（30'）、位于 所述数个显示区域（30'）之间的间隔区域（40'）、及分布于所述数个显示区域（30'）四周 的边缘区域（50'）；所述边缘区域（50'）中设有数个测试凹槽（60'）； 步骤4、在所述CF基板的上表面、及所述测试凹槽（60'）中印刷配向膜，所述测试凹槽 (60'）中印刷的配向膜的参数与所述CF基板（2)上表面印刷的配向膜的参数一致； 步骤5、分别测量所述数个测试凹槽（60'）中的配向膜的厚度，并计算所述数个测试凹 槽（60'）中配向膜厚度的平均值，该平均值即为所述CF基板上的配向膜厚度。7. 如权利要求6所述的CF基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述步骤3制 得的CF基板为矩形结构，所述边缘区域（50'）包括设于所述CF基板最上端的第一条形区 域（5Γ)、设于所述CF基板最下端的第二条形区域（52'）、设于所述CF基板最左端的第三 条形区域（53'）、及设于所述CF基板最右端的第四条形区域（54'）；所述第一、第二、第三、 第四条形区域（51'、52'、53'、54'）中均设有数个测试凹槽（60'）。8. 如权利要求7所述的CF基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述第一、第 二、第三、及第四条形区域（51'、52'、53'、54'）中均设有3个测试凹槽（60'）。9. 如权利要求6所述的CF基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述测试凹槽 (60'）的开口呈IOmmXlOmm的矩形；所述测试凹槽（60'）的深度为32000A。10. 如权利要求6所述的CF基板上的配向膜厚度测量方法，其特征在于，所述彩色光阻 层（72)包括数个红、绿、蓝色色阻块。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板上的配向膜厚度测量方法及CF基板上的配向膜厚度测量方法，分别通过在TFT基板或CF基板的边缘区域设置数个测试凹槽，使得在整个TFT基板或CF基板上印制配向膜后，可通过测量数个测试凹槽中的配向膜的厚度来测量TFT基板或CF基板上的配向膜的厚度，操作简单，仅需一道挖孔制程，即可制得位于边缘区域的测试凹槽，使得配向膜的膜厚测量变得简单易行，并且与传统的测量方法相比，测量结果更加准确，可靠性更高。
【IPC分类】G02F1/13, G02F1/1337
【公开号】CN105182574
【申请号】CN201510544021
【发明人】叶晓龙
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月28日