芯片埋入基板的封装方法及其结构与流程

本发明涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片埋入基板的封装方法及其结构。

背景技术：
随着信息社会的发展，各种电子设备的信息处理量不断增大，对于高频、高速信号传输的需求日益增长。将半导体芯片埋入封装基板，因其可有效缩短半导体与封装基板的连接距离，可为高频、高速信号传输提供有力的保证，同时裸芯片埋入基板可以满足封装结构高集成度以及电子产品微型化的发展需求。在半导体封装有一类特殊的裸芯片，例如金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）、二极管（diode）和晶体管等有源器件，具有单面或双面电气连接结构，且不同种类有源器件具有不同的厚度。将不同厚度的半导体芯片埋入基板，由于绝缘性的需要，要求基板的厚度与裸芯片的厚度不一样时，由于丝网印刷等制程需要，需保证芯片至少一面与基板共面，同时保证芯片单面或双面与基板具有良好的电气连接，现有技术通常通过层压的方式实现，层压时需要很大的压力，同时需要激光钻孔、沉铜和电镀等工序来实现电气连接，给裸芯片的完好性带来很大的风险。

技术实现要素：
本发明实施例提供了芯片埋入基板的封装方法及其结构，用于解决芯片整体封装时芯片与基板的共面性以及芯片接触面与下层线路之间的电气连接问题，提高芯片封装可靠性。依据本发明一实施例提供的一种芯片埋入基板的封装方法，所述芯片具有第一接触面和第二接触面，包括以下步骤：步骤S1：在所述基板设置至少一个芯片埋入部，所述芯片埋入部为通孔和/或凹槽，所述芯片埋入部的数目与所需封装芯片的数目相同，所述芯片埋入部的深度与所需封装的芯片厚度匹配；步骤S2：将所述芯片埋入所述芯片埋入部；步骤S3：在芯片的第一接触面和/或第二接触面布线，以及基板上对应布线，形成布线层，使得所述基板和所述芯片之间电气连接。依据本发明又一实施例提供的一种芯片埋入基板的封装结构，所述芯片埋入基板的封装结构包括基板、芯片和布线层，所述基板设置有至少一个芯片埋入部，所述芯片具有第一接触面和第二接触面，所述芯片埋入部为通孔和/或凹槽，所述芯片埋入部的深度与对应埋入的芯片的厚度匹配，所述布线层包括布设在所述芯片第一接触面和/或第二接触面的布线，以及基板上对应所述芯片的布线而布设的用于实现所述芯片与基板之间电气连接的布线。从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：（1）通过深度不同的凹槽放置厚度不同的芯片，且凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，保证不同厚度的芯片封装入该基板后保持共面；（2）根据芯片一面设置焊盘还是两面都设有焊盘的不同焊盘设置方式选择不同的连接方式对芯片进行电气连接，使得封装工艺具有良好的扩展性，适用性强。附图说明图1是本发明实施例一的芯片埋入基板的封装方法流程示意图；图2a至图2g是本发明实施例一的芯片埋入基板的封装方法应用实例一的工序步骤示意图；图3a至图3g是本发明实施例一的芯片埋入基板的封装方法应用实例二的工序步骤示意图；图4a至图4h是本发明实施例一的芯片埋入基板的封装方法应用实例三工序步骤示意图；图5是本发明实施例一的芯片埋入基板的封装方法应用实例四步骤示意图；图6是本发明实施例二的芯片埋入基板的封装方法流程示意图；图7a至图7c是本发明实施例二的芯片埋入基板的封装方法应用实例工序步骤示意图；图8是本发明实施例三的芯片埋入基板的封装方法流程示意图；图9a至图9d是本发明实施例三的芯片埋入基板的封装方法应用实例工序步骤示意图；图10是本发明实施例四的芯片埋入基板的封装结构示意图；图11是本发明实施例五的芯片埋入基板的封装结构示意图；图12是本发明实施例六的芯片埋入基板的封装结构示意图。具体实施方式本发明实施例提供了芯片埋入基板的封装方法及其结构，用于解决芯片封装中芯片与基板的共面性和电气连接问题，实现电信号的高频和高速传输。以下将结合具体实施例详细描述本发明的实施过程，对本领域技术人员一些较常用的工艺技术手段不做详细描述，以避免造成对本发明不必要的限制。实施例一参考图1，所示为本实施例芯片埋入基板的封装方法流程示意图，一种芯片埋入基板的封装方法，其中芯片具有第一接触面和第二接触面，包括以下步骤：S101，在基板设置至少一个芯片埋入部，芯片埋入部为通孔和/或凹槽，芯片埋入部的数目与所需封装芯片的数目相同，芯片埋入部的深度与所需封装的芯片厚度匹配；S102，将芯片埋入芯片埋入部；S103，在芯片的第一接触面和/或第二接触面布线，以及基板上对应布线，形成布线层，使得基板和芯片之间电气连。对于芯片埋入部为通孔和/或凹槽，在不同的应用实施例中，至少一个芯片埋入部可以都为凹槽或通孔，也可以凹槽和通孔都有。其中基板可以为单面板，双面板或是已经加工好内层线路的多层板，实施例中为了更直观的表述工序过程，以双面板为例对工序过程进行详述。以下将对芯片埋入基板封装方法的具体应用实例作更详细的说明，可以理解的是，以下实施例中各步骤中的方式可以结合使用。参考图2a至图2g，所示为对单个芯片封装的工序步骤示意图，其过程如下：图2a，选择一具有第一金属层101、介电层100和第二金属层102的基板，将基板从第一金属层101至介电层100开一凹槽；其中基板的第一金属层101和第二金属层102为覆铜层，即基板为覆铜基板，也可以根据实际应用的要求选择铝或其他的金属。介电层100为绝缘材料，可以为环氧树脂（EpoxyResin）、氰酸酯（CyanateEster）、玻璃纤维（GlassFiber）、聚酰亚胺（Polyimide）、双马来酰亚胺三嗪（BismaleimideTriazine，BT）或以上绝缘材料的混合物，或其它绝缘介质。凹槽的制作工艺采用控深铣，所谓控深铣就是控制Z方向的深度的一种铣床技术，由于受到铣床Z方向控深铣精度的限制，为了保证第二金属层102层的完好性，也可以使用铣床铣到一个保险的深度后，再使用激光烧蚀将介电层烧透。凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。凹槽的形状可以为规则的长方体，或为梯形体，或阶梯状，可以根据实际的工艺要求进行设计，在此不做限制，说明书附图中为了较直观的表述，统一的将凹槽表示成长方体的形状。图2b，将非导电粘结材料涂覆于凹槽底面，形成粘结层103；此种粘结层103涂覆方式适用于芯片与凹槽底面接触时，芯片的第一接触面没有焊盘的情况，非导电粘结材料可以通过钢网印刷或点胶机点胶的方式涂覆，通过粘结层粘接于基板凹槽的芯片和基板之间具有更大的附着力，使得连接的可靠性更高。图2c，将芯片107第一接触面与粘结层103对接粘结，使得芯片107埋入凹槽；通过这一步骤，完成了芯片107初步固定于基板的凹槽的步骤。图2d，在第一金属层101和芯片第二接触面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆层108；图2e，凹槽与芯片四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的绝缘填充材料进行填充；通过对凹槽与芯片四周孔隙的填充可使芯片和基板之间的固定效果更好。图2f，将芯片第二接触面上的焊盘的间隙部位阻挡；通过感光材料涂覆层108曝光、显影和固化，将芯片第二接触面上的焊盘的间隙部位阻挡，并阻挡住第一金属层101的需保留铜面的部分。图2g，在芯片的第一接触面和第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线，形成布线层。可通过溅射或沉铜、电镀、曝光、显影、蚀刻等技术，在芯片的第二接触面设置布线，并在与第二接触面对应的基板第一金属层101设置布线，形成布线层，同时，在粘结层103设置布线，并在与粘结层103对应的基板第二金属层102设置布线，形成布线层。此时，双面板的制作已经完成，如果需要增层，便可以采取层压技术或者增层法继续制作多层线路。以下两个应用实例将针对芯片的第一接触面上也有焊盘的情况进行描述。第一接触面上也有焊盘，第一接触面上也需要与基板的电气连接，因此不能采用应用实例一中直接将非导电粘结材料涂覆于凹槽底面，形成粘结层的方式对芯片进行粘结。参考图3a至图3g，所示为实施例的芯片埋入基板的封装方法又一应用实例的工序步骤示意图，包括以下步骤：图3a，选择一具有第一金属层101、介电层100和第二金属层102的基板，在基板上开设从第一金属层101贯通至介电层100的凹槽；凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当该基板需埋设有多个厚度不同的芯片的时候，保证不同厚度的芯片封装入该基板后保持共面，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。芯片的第一接触面有焊盘，凹槽的底面与第二金属层102相通，即凹槽贯通第一金属层101和介电层100，抵达第二金属层102，可更方便的实现后续芯片的第一接触面与基板的电气连接。当然，芯片的第一接触面有焊盘时，凹槽的底面也可不抵接至第二金属层204，通过采用金属导盲通孔的方式实现芯片第一接触面与基板的电气连接。图3b，将导电粘结材料在凹槽的底面形成焊点104；此步骤中可采用丝网印刷或点胶机点胶的方式在凹槽的底面形成焊点104。图3c，将芯片107第一接触面与焊点104对接粘结，使得芯片107固设于凹槽；图3d，在第一金属层101和芯片107第二接触面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆层108；图3e，凹槽与芯片107四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的绝缘填充材料进行填充，使得芯片107更好的固定在基板的凹槽；图3f，将芯片107第二接触面上的焊盘之间的间隙部位阻挡；此步骤中通过感光材料涂覆层108曝光、显影和固化将芯片第二接触面上焊盘之间的间隙部位阻挡。图3g，通过溅射或沉铜、电镀、蚀刻等技术，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线，形成布线层。本实施例中芯片107的第一接触面和第二接触面都有焊盘，可通过溅射或沉铜、电镀、曝光、显影、蚀刻等技术，在芯片的第一接触面和第二接触面设置布线，并在基板上设置对应的与芯片上的布线连接的布线，实现芯片与基板的电气连接。此时，双面板的制作已经完成，如果需要增层，便可以采取传统层压的技术或者增层法继续制作多层线路。参考图4a到图4h，所示为实施例的芯片埋入基板的封装方法又一应用实例的工序步骤示意图，包括以下步骤：图4a，选择具有第一金属层101、介电层100和第二金属层102的基板，在基板上开设从第一金属层101至介电层100的凹槽；凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当基板需埋入多个不同厚度的芯片时，保证不同厚度的芯片封装入该基板的凹槽后共面，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。芯片的第一接触面有焊盘，凹槽的底面与第二金属层102相通，即凹槽贯通第一金属层101和介电层100，可方便后续实现芯片第一接触面与基板的电气连接。当然，芯片的第一接触面有焊盘时，凹槽的底面也可不与第二金属层204相通，后续通过采用金属导盲通孔的方式实现芯片第一接触面与基板的电气连接。图4b，在凹槽底面打出相对应的凹坑105；凹坑105可通过激光钻机工艺或蚀刻技术在凹槽底面形成。图4c，在凹坑105内植入锡球或点上导电粘结材料，形成焊点106；本实施例采用凹坑105内形成焊点106的方式实现后续芯片107和焊点106的粘结，增加第二金属层102和焊点106的接触面积，芯片107和焊点106的粘结效果更好。图4d，将芯片107第一接触面与焊点106对接粘结，从而使得芯片107埋入凹槽；图4e，在第一金属层101和芯片第二接触面上涂覆感光材料，形成感光材料涂覆层108；图4f，凹槽与芯片四周的孔隙109也可填入感光材料或使用其他的绝缘填充材料进行填充；图4g，将芯片第二接触面上的焊盘的间隙部位阻挡，并阻挡住第一金属层101的需保留铜面的部分，通过感光层曝光、显影和固化等工序完成；图4h，通过溅射或沉铜、电镀、蚀刻等技术，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线，形成布线层，使得芯片与基板电气连接。本实施例中芯片的第一接触面和第二接触面都有焊盘，可通过溅射或沉铜、电镀、曝光、显影、蚀刻等技术，在芯片的第一接触面和第二接触面设置布线，并在基板上设置对应的与芯片上的布线连接的布线，形成布线层，实现芯片与基板的电气连接。此时，双面板的制作已经完成，如果需要增层，便可以采取层压技术或者增层法继续制作多层线路。参考图5，所示为实施例的芯片埋入基板的封装方法又一应用实例的工序步骤示意图，用于封装不同厚度的多个芯片，包括以下步骤：图5所示为基板200A-A面的剖视图，将基板200从第一金属层203至介电层202开出深度不同的与所需封装的芯片个数相同的凹槽201；采用控深铣工艺刻出凹槽，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，可保证埋入多个芯片时芯片正面的共面性，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。芯片的第一接触面没有焊盘时，凹槽的底面与第二金属层204相通或不与第二金属层204相通；芯片的第一接触面有焊盘时，凹槽的底面与第二金属层204相通，可保证芯片的第一接触面容易形成电气连接，当然，芯片的第一接触面有焊盘时，凹槽的底面也可不与第二金属层204相通，而是采用金属导盲通孔的方式实现芯片第一接触面与基板的电气连接。因以下步骤过程同上应用实例的实施过程，因此没有给出以下各步骤的示意图，包括：将具有第一接触面和第二接触面的芯片的第一接触面与第一金属层连接的方式对应的埋入与其对应的凹槽；此步骤与上述的应用例相同，按照实际工艺需求，可采取凹槽底面涂覆非导电粘结材料、直接在凹槽底面形成焊点或先在凹槽底面打出相对应的凹坑再形成焊点的方式对芯片与基板进行粘结。可通过溅射或沉铜、电镀、曝光、显影、蚀刻等技术，在芯片的第一接触面和第二接触面设置布线层，并在基板上设置对应的与芯片上的布线层连接的布线层，实现芯片与基板的电气连接，布线层由溅射Ti/Cu、沉积Cu、电镀Cu或其它导电金属组成。实施例二参考图6，所示为芯片埋入基板的封装方法又一实施例的流程示意图，芯片具有第一接触面和第二接触面，包括以下步骤：S601，将基板开至少一个通孔，通孔的数目与所需封装芯片的数目相同，通孔贯通基板；其中，基板可以为单面板，双面板或多层板。S602，取厚铜箔蚀刻出与通孔位置分布一致的凸部；S603，将基板和厚铜箔通过绝缘介质层进行层压连接，通孔与凸部形成凹槽，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当该基板需埋设有多个不同厚度芯片的时候，用于保证不同厚度的芯片封装入该基板后保持共面；S604，将芯片埋入凹槽；S605，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线，形成布线层，使得基板和芯片之间电气连接。以下结合图7a至图7e对本实施例的具体应用实例作更详细的说明。参考图7a至图7c，所示为工序封装步骤示意图，本实施例提供的一种芯片埋入基板的封装方法，用于封装不同厚度的多个芯片，包括以下步骤：图7a，将基板300开出与所需封装的芯片个数相同的通孔301，通孔贯通第一金属层303、介电层302和第二金属层304；图7b，取厚铜箔305蚀刻出与通孔位置分布一致的凸部；其中凸部的高度根据芯片的厚度进行设计，凸部的高度与芯片厚度成反比例关系。图7c，将基板300和厚铜箔305通过绝缘介质层306进行层压连接，通孔301与凸部形成凹槽；凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当该基板需埋设有多个厚度不同的芯片的时候，保证不同厚度的芯片封装入该基板后保持共面，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。将具有第一接触面和第二接触面的芯片的第一接触面与第一金属层连接，埋入与芯片对应的凹槽；在芯片的第一接触面和第二接触面设置，以及基板上对应设置形成布线层，用于实现基板与芯片的电气连接。上述两步骤与前述应用实例的实施方式相同，所以没有图示出，按照实际工艺需求，可采取凹槽底面涂覆非导电粘结材料、直接在凹槽底面形成焊点或先在凹槽底面打出相对应的凹坑再形成焊点的方式对芯片与基板进行粘结，再根据需要实现基板和芯片之间的电气连接。实施例三图8所示为芯片埋入基板的封装方法又一实施例的流程示意图，芯片具有第一接触面和第二接触面，包括以下步骤：S801，将基板开至少一个通孔，通孔的数目与所需封装芯片的数目相同；S802，在第二金属层所在面涂覆一层感光材料，形成感光材料层；S803，将芯片的第二接触面与感光材料层连接，使得芯片埋入通孔；S804，将芯片与通孔存在的间隙中填入粘结材料，用于固定芯片；S805，去除感光材料层；S806，在第一接触面印刷导电浆料；S807，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线，形成布线层，使得所述基板和所述芯片之间电气连接。以下结合图9a至图9d对上述步骤作进一步的说明，所示为芯片埋入基板的封装方法又一实施例的具体应用实例工序步骤示意图，本实施例提供的一种芯片埋入基板的封装方法，包括以下步骤：图9a，基板400开出与所需封装的芯片个数相同的通孔401，通孔401贯通第一金属层403、介电层402和第二金属层404；图9b，在第二金属层404所在面粘接一层UV膜405，UV膜是一种具有粘接作用的膜状物质，在UV光照射后失去粘性；图9c，将芯片406的第二接触面与UV膜405粘结；通过共面的UV膜和不同厚度芯片的第二接触面之间的粘结，可保证不同厚度芯片的共面性。图9d，将芯片406与通孔401之间的间隙中填入粘结材料，形成填充粘结材料层407，用于固定芯片406；粘结材料层407为感光树脂或其它粘结材料，粘结材料的导热导电或导热非导电，根据电气连接需要而定。填充粘结材料层407与芯片406固定后，去除UV膜405；在芯片第二接触面印刷感光树脂；在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置，以及基板上对应设置形成布线层，使得基板与芯片之间电气连接。以上工序步骤中和上述应用实施例相同的步骤，在此不再赘述。以下详细说明芯片埋入基板的封装结构。一种芯片埋入基板的封装结构包括基板、芯片和布线层，基板设置有至少一个芯片埋入部，芯片具有第一接触面和第二接触面，芯片埋入部为通孔或凹槽，芯片埋入部的深度与对应埋入的芯片的厚度匹配，布线层包括布设在芯片第一接触面和/或第二接触面的布线，以及基板上对应芯片的布线而布设的用于实现芯片与基板之间电气连接的布线。对于芯片埋入部为通孔和/或凹槽，在不同的应用实施例中，至少一个芯片埋入部可以都为凹槽或通孔，也可以凹槽和通孔都有。其中基板可以为单面板，双面板或是已经加工好内层线路的多层板，实施例中为了更直观的表述，以双面板为例对芯片埋入基板封装结构进行详述。以下将对芯片埋入基板封装结构的具体应用实例作更详细的说明，可以理解的是，以下实施例中相对应的各结构可以结合使用。实施例四参考图10，所示为芯片埋入基板的封装结构一实施例的结构示意图，一种芯片埋入基板的封装结构，包括：基板，具有第一金属层101、介电层100和第二金属层102；凹槽，从基板的第一金属层101至介电层100开槽形成；凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，可保证埋入多个芯片时芯片共面性，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片。芯片107，具有第一接触面和第二接触面，通过设置于凹槽底面的焊点103将芯片的第一接触面与凹槽底面连接，芯片初步埋入凹槽，为了使得芯片与凹槽的固定效果更好，凹槽与芯片四周的孔隙109填入感光材料或使用其他的绝缘填充材料进行填充；布线层，在芯片的第一接触面和第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线形成，使得基板与芯片之间电气连接。接着进行增层线路的制作，绝缘介质层110，线路层111由溅射铜或沉积铜、电镀铜等生成，或者也可以由其他导电金属组成。实施例五芯片埋入基板的封装结构的又一实施例的结构包括：基板；开设于基板的至少一个凹槽，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当基板需埋入多个不同厚度的芯片时，保证不同厚度的芯片封装入该基板的凹槽后共面，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片；至少一个芯片，芯片具有第一接触面和第二接触面，芯片埋设于对应的凹槽；布线层，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线形成，使得基板和芯片之间电气连接。基板可以为单面板、双面板或多面板，芯片第一接触面没有焊盘时，采用非导电粘结材料在凹槽底面形成粘结层，通过粘结层将第一接触面和凹槽底面连接。芯片第二接触面有焊盘时，在第二接触面焊盘采用导电粘结材料形成与焊盘对应的焊点，通过焊点将第一接触面和凹槽底面连接，或者在第二金属层蚀刻与第二接触面焊盘对应的凹坑，再在凹坑中植入锡球或点上导电粘结材料形成焊点，通过焊点将第二接触面和凹槽底面连接，再通过金属盲孔的方式连接布线层和第二接触面焊点。如图11所示，芯片埋入基板封装结构包括：基板，其进一步包括绝缘层300，第二金属层形成的线路301，第一金属层层压绝缘介质或以其它形式涂布的绝缘介质303之后，再经曝光显影和通过溅射、化学沉积、电镀、蚀刻等工序后形成的导通线路302，线路301和线路302由第一金属层、溅射Ti/Cu或其它金属、化学铜、电镀铜等组成；因需要埋入的芯片具有不同的厚度，开设于基板的四个凹槽具有与所需埋入的芯片匹配的深度，凹槽对应的埋入单面导通芯片306或双面导通芯片308，凹槽与芯片之间的间隙用底部填充料304进行填充。为了实现双面导通芯片的与凹槽底面的接触面与线路301的连接，可通过设置焊点309和导盲通孔310与线路301连通，或者通过芯片308的焊点直接与线路301连通。通过设置导通孔307实现了线路301和线路302之间的电连接。通过以上封装结构可以看出，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当基板需埋入多个不同厚度的芯片时，保证不同厚度的芯片封装入该基板的凹槽后共面，且能方便的实现芯片的单面与基板的电气连接或双面同时与基板的电气连接。实施例六一种芯片埋入基板的封装结构，其特征在于，芯片埋入基板的封装结构包括：基板，基板具有与所需封装芯片个数相同的通孔；铜箔，铜箔具有与通孔位置分布一致的凸部，凸部的高度与芯片厚度成反比关系；绝缘介质层，用于连接基板和铜箔，以使通孔和凸部嵌合形成凹槽，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当基板需埋入多个不同厚度的芯片时，保证不同厚度的芯片封装入该基板的凹槽后共面，凹槽的长度、宽度的都大于所需埋入芯片的尺寸，以使凹槽能足够容纳所需埋入的芯片；至少一个芯片，芯片具有第一接触面和第二接触面，采用第一接触面与凹槽底面连接的方式将芯片埋入凹槽；布线层，在芯片的第一接触面和/或第二接触面设置布线，以及基板上对应设置布线形成，使得所述基板和所述芯片之间电气连接。基板可以为单面板、双面板或多面板，芯片第一接触面没有焊盘时，采用非导电粘结材料在凹槽底面形成粘结层，通过粘结层将第一接触面和凹槽底面连接。芯片第二接触面有焊盘时，在第二接触面焊盘采用导电粘结材料形成与焊盘对应的焊点，通过焊点将第一接触面和凹槽底面连接，或者在第二金属层蚀刻与第二接触面焊盘对应的凹坑，再在凹坑中植入锡球或点上导电粘结材料形成焊点，通过焊点将第二接触面和凹槽底面连接，再通过金属盲孔的方式连接布线层和第二接触面焊点。如图12所示，芯片埋入基板封装结构包括：基板，进一步包括绝缘层300，第二金属层形成的线路301，第一金属层层压绝缘介质或以其它形式涂布的绝缘介质303之后，再经曝光显影和通过溅射、化学沉积、电镀、蚀刻等工序后形成的导通线路302，线路301和线路302由第一金属层、溅射Ti/Cu或其它金属、化学铜、电镀铜等组成；因需要埋入的芯片具有不同的厚度，开设于基板的四个凹槽具有与所需埋入的芯片匹配的深度匹配，对应的埋入单面导通芯片306或双面导通芯片308，凹槽与芯片之间的间隙用填充料304进行填充。为了实现双面导通芯片的与凹槽底面的接触面与线路301的连接，通过设置导电粘结材料层308和厚铜箔形成的线路309与线路301连通，通过设置导通孔307实现线路301和线路302之间的电连接，通过设置导通盲孔310实现线路层301与外部连接。通过以上封装结构可以看出，凹槽的深度与所需埋入的芯片厚度匹配，当基板需埋入多个不同厚度的芯片时，保证不同厚度的芯片封装入该基板的凹槽后共面，且能方便的实现芯片的单面与基板的电气连接或双面同时与基板的电气连接。以上对本发明所提供的芯片埋入基板封装方法及其结构进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。