一种基于片式超小轻薄设计的大功率金属化薄膜电容器的制作方法

文档序号:12196399阅读:357来源:国知局

本实用新型涉及电容器技术领域,具体为一种基于片式超小轻薄设计的大功率金属化薄膜电容器。



背景技术:

电容器是电路中常用的电子元件之一,传统的薄膜电容器多由金属箔作为电极与塑料薄膜卷绕而成,体积较大,电容器单位容积体积也大,重量较重,同时功率较小,而常见的金属膜电容器多采用单面金属薄膜做电极,电容的电阻较大,降低了电路中的电流值增大了电路消耗的功率,一定程度上降低了电容器的有效功率值。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种基于片式超小轻薄设计的大功率金属化薄膜电容器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案一种基于片式超小轻薄设计的大功率金属化薄膜电容器,包括电容主体、导线、镀锡层、包铜层、钢芯、上包封层、阳极上金属蒸镀膜、阳极层、阳极下金属蒸镀膜、镇充层、下包封层、阴极下金属蒸镀膜、阴极层和阴极上金属蒸镀膜,所述电容主体与导线焊接,所述导线外层电镀镀锡层,所述镀锡层内部通过包铜层与钢芯连接,所述电容主体上侧与上包封层固定连接,所述上包封层下侧设置有阳极层,所述阳极层上下两侧蒸镀有阳极上金属蒸镀膜和阳极下金属蒸镀膜,所述阳极层通过填充层与阴极层连接,所述阴极层上下两侧蒸镀有阴极上金属蒸镀层和阴极下金属蒸镀膜,所述阴极层下侧与下包封层固定连接。

优选的,所述阳极层与阴极层互相平行,呈片状,且采用双面金属镀膜。

优选的,所述阳极上金属蒸镀膜、阳极下金属蒸镀膜、阴极下金属蒸镀膜和阴极上金属蒸镀膜采用蒸镀工艺且各层膜厚度仅为1.5mm。

优选的,所述电容主体体积仅为1立方厘米。

优选的,所述电容主体与导线采用端面焊接工艺技术,接触电阻仅为1欧姆。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本装置体积较小,电容单位容量所占体积小,且采用聚乙烯薄膜两面蒸镀金属层作为电极材料,做成片状,有效降低装置体积的同时,增加了装置承载大电流的能力,提高了装置的功率,同时本装置采用镀锡包铜钢芯导线,与主体采用端面焊接工艺,降低了连接处的电阻,增加了装置中的有效电流。

附图说明

图1为本实用新型外观结构示意图。

图中:1、电容主体,2、导线,3、镀锡层,4、包铜层,5、钢芯,6、上包封层,7、阳极上金属蒸镀膜,8、阳极层,9、阳极下金属蒸镀膜,10、镇充层,11、下包封层,12、阴极下金属蒸镀膜,13、阴极层,14、阴极上金属蒸镀膜。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1,本实用新型提供一种技术方案:一种基于片式超小轻薄设计的大功率金属化薄膜电容器,包括电容主体1、导线2、镀锡层3、包铜层4、钢芯5、上包封层6、阳极上金属蒸镀膜7、阳极层8、阳极下金属蒸镀膜9、镇充层10、下包封层11、阴极下金属蒸镀膜12、阴极层13和阴极上金属蒸镀膜14,电容主体1与导线2焊接,电容主体1体积仅为1立方厘米,方便装置的安装,增加电路中可安装本装置的数量,导线2外层电镀镀锡层3,电容主体1与导线2采用端面焊接工艺技术,增加本装置的有效功率,接触电阻仅为1欧姆镀锡层3内部通过包铜层4与钢芯5连接,电容主体1上侧与上包封层6固定连接,上包封层6下侧设置有阳极层8,阳极层8上下两侧蒸镀有阳极上金属蒸镀膜7和阳极下金属蒸镀膜9,阳极层8通过填充层10与阴极层13连接,阳极层8与阴极层13互相平行,呈片状,且采用双面金属镀膜,采用金属镀层作为电极材料,降低装置的体积,阴极层13上下两侧蒸镀有阴极上金属蒸镀层14和阴极下金属蒸镀膜12,阳极上金属蒸镀膜7、阳极下金属蒸镀膜9、阴极下金属蒸镀膜12和阴极上金属蒸镀膜14采用蒸镀工艺且各层膜厚度仅为1.5mm,降低装置体积的同时增加装置的有效功率与稳定性,使装置更加轻薄,阴极层13下侧与下包封层11固定连接。

工作原理:电流通过导线2进入电容主体1,导线采用镀锡包铜钢芯导线,镀锡层3降低导线的电阻,钢芯5增加导线的强度,上包封层6和下包封层11将电容器与外界隔离,成为绝缘体,同时保护电容器内的部件安全,阳极层8和阴极层14上下两侧蒸镀有金属膜层,作为电极材料,同时两个电极之间安装有填充层10,使得电子无法通过填充层10在两个电极之间流通,形成一个绝缘体,保证电容器的形成。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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