一种差模电感绕线结构的制作方法

本实用新型涉及差模电感，尤其涉及一种差模电感绕线结构。

背景技术：

目前行业内差模电感使用的绕线方式较为简单，许多电感在实际工作中难以达到理想的滤波效果，在更换其他绕线方式后也无法实现，而此时很多人则会采用增加成本的方式进行解决，例如增大电感尺寸、增加一级滤波电路或者增加吸收电路；这些方案不仅增加成本，而且会使电路工作效率减低。

技术实现要素：

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种可以非常有效的减小绕组线间电压差，从而减小产品的寄生电容，提高各频率段的阻抗，以达到更好的滤波效果的差模电感绕线结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种差模电感绕线结构，包括一环形的磁芯及绕制于其上、互为镜像结构的上侧绕线组和下侧绕线组，所述上侧绕线组和下侧绕线组均包括各占四分之一磁芯的右侧绕线组和左侧绕线组，所述右侧绕线组和左侧绕线组的进线端均穿过所述磁芯，且右侧绕线组和左侧绕线组的进线端由所述磁芯一侧的中间位置向另一侧进行绕线，所述右侧绕线组和左侧绕线组的出线端位于所述磁芯的另一侧。

作为上述方案的进一步改进，所述右侧绕线组包括自磁芯进线端往磁芯下端均匀绕制的第一组第一层、与其反向均匀绕制的第一组第二层以及与第一组第一层同向均匀绕制的第一组第三层，所述左侧绕线组包括包括自磁芯自磁芯下端往出线端均匀绕制的第二组第一层、与第二组第一层反向均匀绕制的第二组第二层以及与第二组第一层同向均匀绕制的第二组第三层，所述右侧绕线组和左侧绕线组为同一铜线绕制而成。

作为上述方案的进一步改进，所述第一组第一层包括5圈，所述第一组第二层包括5圈，其反向均匀绕制于第一组第一层的间隙中，所述第一组第三层包括4圈且绕制在所述第一组第一层和第一组第二层的间隙中。

作为上述方案的进一步改进，所述第二组第一层包括5圈，所述第二组第二层包括5圈，其反向均匀绕制于第二组第一层的间隙中，所述第二组第三层包括4圈且绕制在所述第二组第一层和第二组第二层的间隙中。

本实用新型的有益效果：

本实用新型一种差模电感绕线结构，在使用相同磁芯的情况下使用新型绕法结构可以非常有效的减小绕组线间电压差，从而减小产品的寄生电容，提高各频率段的阻抗，以达到更好的滤波效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图：

图1为本实用新型较佳实施例结构示意图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。

参照图1，一种差模电感绕线结构，包括一环形的磁芯3及绕制于其上、互为镜像结构的上侧绕线组1和下侧绕线组2，所述上侧绕线组1和下侧绕线组2均包括各占四分之一磁芯3的右侧绕线组11和左侧绕线组12，所述右侧绕线组11和左侧绕线组12的进线端均穿过所述磁芯3，且右侧绕线组11和左侧绕线组12的进线端由所述磁芯3一侧的中间位置向另一侧进行绕线，所述右侧绕线组11和左侧绕线组12的出线端位于所述磁芯3的另一侧。

所述右侧绕线组11包括自磁芯3进线端往磁芯3下端均匀绕制的第一组第一层111、与其反向均匀绕制的第一组第二层112以及与第一组第一层111同向均匀绕制的第一组第三层113，所述左侧绕线组12包括包括自磁芯3自磁芯3下端往出线端均匀绕制的第二组第一层121、与第二组第一层121反向均匀绕制的第二组第二层122以及与第二组第一层121同向均匀绕制的第二组第三层123，所述右侧绕线组11和左侧绕线组12为同一铜线绕制而成。

所述第一组第一层111包括5圈，所述第一组第二层112包括5圈，其反向均匀绕制于第一组第一层111的间隙中，所述第一组第三层113包括4圈且绕制在所述第一组第一层111和第一组第二层112的间隙中。所述第二组第一层121包括5圈，所述第二组第二层122包括5圈，其反向均匀绕制于第二组第一层121的间隙中，所述第二组第三层123包括4圈且绕制在所述第二组第一层121和第二组第二层122的间隙中。

当第二组第三层123绕组完成后未达到所需圈数，则继续以此绕线方式绕制，继续的层数为5、7、9等单数，直至达到所需圈数为止。在使用相同磁芯3的情况下，使用这种绕线结构可以非常有效的减小绕组线间电压差，从而减小产品的寄生电容，提高各频率段的阻抗，以达到更好的滤波效果。

以上是对本实用新型的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。