技术总结
本实用新型提供了一种凹面载板，是对板式PECVD工艺中的硅片载板的结构改进，在载板上开设有用于装载硅片的槽，在槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，承载面采用曲面形式，曲面布置在被承载硅片的至少两个侧边上，曲面与硅片的边缘之间为线接触。本实用新型把载板的硅片承载接触面从现有的平台阶面改进为凹面，进而将硅片边缘与载板接触由面接触变为线接触，能够极大地降低边缘效应的影响，同时避免绕镀的发生。
技术研发人员：周桂宏
受保护的技术使用者：南京仁厚科技有限公司
文档号码：201621466229
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.06.20