用于激光器的陶瓷垫片及激光器的制作方法

本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及一种激光器封装用的陶瓷垫片。

背景技术：

目前，光纤通信因其具有通信容量大、传输距离远、抗电磁干扰能力强等众多优点而发展成为主要通信方式之一。半导体激光器是光纤通信用的主要光源，是光纤通信的核心器件。现有的半导体激光器一般包括管座、管脚及设置在管座顶面的陶瓷垫片，其中所述陶瓷垫片上分别放置有主芯片及监控光电二极管(Monitoring Photodiode；MPD)，所述主芯片及所述MPD分别通过金属导线连接到相应的所述管脚。不过，由于金属导线具有较大的长度，在高频信号下会造成金属导线之间的干扰，同时会产生寄生电容电感，影响高频信号的传输效果。另外，当所述主芯片的正极与负极均设置在其正面时或分别设置在其正面与反面时，相同的所述陶瓷垫片就不能同时适用于上述两种情况，例如，当所述半导体激光器为10G以内的垂直腔面发射激光器(Vcsel激光器)时，所述主芯片的正极通常在其正面，所述主芯片的负极通常在其反面，当所述半导体激光器为14G及以上的Vcsel激光器时，所述主芯片的正极与负极通常均在其正面。

技术实现要素：

本实用新型的目的之一在于提供一种用于激光器的陶瓷垫片，能够减少高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响并适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。

本实用新型的目的之二在于提供一种激光器，能够减少高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响并适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。

为了实现上述目的之一，本实用新型的用于激光器的陶瓷垫片，所述激光器包括管座以及设于所述管座的若干管脚，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD(监控光电二极管)正极管脚及MPD负极管脚，所述用于激光器的陶瓷垫片包括：陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。

与现有技术相比，本实用新型的用于激光器的陶瓷垫片，通过所述金属镀层的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度并使金属导线的布局更加合理化，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响，进而满足高频信号的传输要求。另外，通过所述金属镀层的设置，使得所述陶瓷垫片能适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。

较佳地，所述第二金属镀层靠近所述第一金属镀层的一端形成有第二开口，所述第一金属镀层相应的形成有凸部，所述凸部位于所述第二金属镀层的第二开口处，藉此达成结构紧凑的效果。

较佳地，所述第一金属镀层、所述第二金属镀层、所述第三金属镀层及所述第四金属镀层整体呈横向对称结构，便于不同结构芯片的贴装。

具体地，所述第一金属镀层连接所述激光器负极管脚与所述主芯片的负极，所述第三金属镀层连接至所述激光器正极管脚，所述第四金属镀层连接至所述主芯片的正极。

具体地，所述主芯片的正极与负极均位于所述主芯片的正面，所述主芯片的正极与负极之一与所述第一金属镀层通过金属导线连接。

具体地，所述主芯片的正极与负极分别位于所述主芯片的正面与反面，所述主芯片的正极与负极之一位于所述主芯片反面并与所述第一金属镀层通过导电胶连接。

具体地，所述MPD的正极与负极之一位于所述MPD的正面，所述MPD的正极与负极之另一位于所述MPD反面并通过导电胶与所述第二金属镀层连接。

为了实现上述目的之二，本实用新型的激光器，包括：管座；若干管脚，设置在所述管座，所述若干管脚包括激光器正极管脚、激光器负极管脚、MPD正极管脚及MPD负极管脚；陶瓷垫片本体，设置在所述管座顶面且位于所述若干管脚之间；若干金属镀层，所述若干金属镀层包括布设在所述陶瓷垫片本体上的相互间隔的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层及第四金属镀层，所述第一金属镀层及所述第二金属镀层沿所述陶瓷垫片本体的纵向间隔设置，所述第一金属镀层位于所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之间，所述第二金属镀层位于所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之间，所述第一金属镀层的相背离所述第二金属镀层的一端形成第一开口，所述第三金属镀层及所述第四金属镀层分别设置在所述第一开口的两侧，所述第三金属镀层与所述第四金属镀层之间连接有薄模电阻；主芯片，设置在所述第一金属镀层上，所述主芯片的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层，所述第一金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之一，所述主芯片的正极与负极之另一通过金属导线连接至所述第四金属镀层，所述第三金属镀层通过金属导线连接至所述激光器正极管脚与所述激光器负极管脚之另一；MPD，设置在所述第二金属镀层上，所述MPD的正极与负极之一通过金属导线相应连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之一，所述MPD的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层，所述第二金属镀层通过金属导线连接至所述MPD正极管脚与所述MPD负极管脚之另一。

与现有技术相比，本实用新型的激光器，通过所述金属镀层的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度并使金属导线的布局更加合理化，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响，进而满足高频信号的传输要求。另外，通过所述金属镀层的设置，使得所述激光器能适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。

附图说明

图1是本实用新型陶瓷垫片的一实施例的示意图。

图2是本实用新型激光器的一实施例的示意图。

图3是本实用新型激光器的另一实施例的示意图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

图1至图3揭示了一种陶瓷垫片10及具有所述陶瓷垫片10的激光器100/100’。所述激光器100/100’包括管座20、若干管脚及设置在所述管座20顶面且位于所述若干管脚之间的所述陶瓷垫片10。所述若干管脚包括激光器正极管脚31、激光器负极管脚32、MPD正极管脚33及MPD负极管脚34。

所述陶瓷垫片10包括陶瓷垫片本体11，所述陶瓷垫片本体11上布设有相互间隔的第一金属镀层12、第二金属镀层13、第三金属镀层14及第四金属镀层15。其中，所述第一金属镀层12及所述第二金属镀层13沿所述陶瓷垫片本体11的纵向间隔设置，所述第一金属镀层12上设有主芯片17，所述第二金属镀层13上设有MPD 18，所述第一金属镀层12的相背离所述第二金属镀层13的一端形成第一开口120，所述第三金属镀层14及所述第四金属镀层15分别设置在所述第一开口120的两侧，所述第三金属镀层14与所述第四金属镀层15之间连接有薄模电阻16，通过所述薄模电阻16的设置可实现相应的阻抗匹配，另外，根据实际需要可设置不同电阻值的所述薄模电阻16。具体地，所述第二金属镀层13靠近所述第一金属镀层12的一端形成有第二开口130，所述第一金属镀层12相应的形成有凸部121，所述凸部121位于所述第二金属镀层13的第二开口130处，藉此达成结构紧凑的效果。具体地，所述第一金属镀层12、所述第二金属镀层13、所述第三金属镀层14及所述第四金属镀层15整体呈横向对称结构，进而方便不同结构的芯片贴装与打线。

当所述陶瓷垫片10装设在所述管座20后，所述第一金属镀层12位于所述激光器正极管脚31与所述激光器负极管脚32之间，所述第二金属镀层13位于所述MPD正极管脚33与所述MPD负极管脚34之间。其中所述主芯片17的正极与负极之一电性连接至所述第一金属镀层12，所述第一金属镀层12通过金属导线40连接至所述激光器正极管脚31与所述激光器负极管脚32之一，所述主芯片17的正极与负极之另一通过金属导线40连接至所述第四金属镀层15，所述第三金属镀层14通过金属导线40连接至所述激光器正极管脚31与所述激光器负极管脚32之另一，所述MPD 18的正极与负极之一通过金属导线40相应连接至所述MPD正极管脚33与所述MPD负极管脚34之一，所述MPD 18的正极与负极之另一电性连接至所述第二金属镀层13，所述第二金属镀层13通过金属导线40连接至所述MPD正极管脚33与所述MPD负极管脚34之另一；优先地，所述第一金属镀层12连接所述激光器负极管脚32与所述主芯片17的负极，所述第三金属镀层14连接至所述激光器正极管脚31，所述第四金属镀层15连接至所述主芯片17的正极；具体地，当所述主芯片17的正极与负极均位于所述主芯片17的正面时(请参阅图2)，所述主芯片17的正极与负极之一与所述第一金属镀层12通过金属导线40连接，当所述主芯片17的正极与负极分别位于所述主芯片17的正面与反面时(请参阅图3)，所述主芯片17的正极与负极之一位于所述主芯片17反面并与所述第一金属镀层12通过导电胶(优选为银胶)连接，例如，当所述激光器100为10G以内的Vcsel激光器(垂直腔面发射激光器)时，所述主芯片17的正极位于其正面，所述主芯片17的负极位于其反面，当所述激光器100为14G或以上的Vcesl激光器时，所述主芯片17的正极与负极均位于其正面；具体地，所述MPD 18的正极与负极分别设置在其正面与反面，所述MPD 18的正极与负极之另一位于所述MPD 18反面并通过导电胶(优选为银胶)与所述第二金属镀层13连接。

与现有技术相比，本实用新型的所述陶瓷垫片10及所述激光器100/100’通过所述金属镀层12、13、14、15的导通作用，有效缩短了芯片与管脚之间金属导线的长度并使金属导线的布局更加合理化，减少了高频信号下产生的金属导线间的干扰及寄生电容电感等的影响，进而满足高频信号的传输要求。另外，通过所述金属镀层12、13、14、15的设置，使得所述陶瓷垫片10能适用芯片的正极与负极均设置在正面或分设在正面与反面的情况。

以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。