用于微波能量传输的微波集成电路（MMIC）镶嵌电互连的制作方法

技术特征：

技术总结
一种半导体结构，具有其中具有有源器件的半导体层。电介质结构设置在所述半导体层上方，该电介质结构中具有端部开口的沟槽。电互连层级设置在沟槽中并电连接到有源器件。多个叠置金属层设置在沟槽中。叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。

技术研发人员：J·R·拉罗什;J·P·贝当古;T·E·卡齐奥;K·P·叶
受保护的技术使用者：雷声公司
技术研发日：2016.05.31
技术公布日：2018.02.13