元件模块和功率模块的制作方法

本发明涉及元件模块和功率模块。

背景技术：

在电子设备、尤其是功率电子设备中，半导体器件、尤其是igbt、二极管、mosfet等等中的电流的接通和引导引起损耗功率。这种损耗功率必须由冷却器承担，使得这种半导体器件并不加热并且确保有效的运行。已知在下侧通过无缩孔的焊接、扩散焊接或烧结来将功率器件施加到基板（dcb、amb等）上，其中基板从它而言平面地连接到冷却器上。然而，在此冷却常常并不有效。这些功率器件的由此引起的加热常常导致功率器件的提高的故障率以及由于热降解引起的绝缘材料的过早失效。在上侧，功率器件的冷却通常是特别困难的，因为基于经常使用的打线接合或者细带接合技术来为了电绝缘而浇铸材料，该材料妨碍热能量排出。

技术实现要素：

因此，本发明的任务在于，说明一种元件模块以及功率模块，其中改善了器件的冷却。

本发明的任务通过具有权利要求1中说明的特征的元件模块以及具有权利要求9中说明的特征的功率模块得以解决。本发明的优选的改进方案从附属的从属权利要求、后面的描述和附图中得出。

根据本发明的元件模块具有带有至少一个电气的接触部的元件。在根据本发明的元件模块中，在至少一个接触部上连接至少一个开孔的用于电接触的接触件。此外，根据本发明的元件模块具有用于以冷却液对元件进行冷却的冷却系统。冷却系统包括一个或多个借助开孔的接触件的孔形成的冷却通道。

根据本发明，开孔的接触件在此因此不仅用于电接触，而是接触件也实现与冷却液的热接触。以这种方式可以直接在元件上进行散热，使得散热特别地有效。尤其是，散热不必经由多个层来进行，使得这些层的导热能力不会对可能的散热进行限制。相反，在根据本发明的元件模块的情况下以任意空间上接近于元件的方式借助冷却液来进行散热。由于有效的散热，明显提高元件模块的故障安全性以及必要时存在的绝缘材料的稳定性。

以适宜的方式，在根据本发明的元件模块情况下，接触件以电镀的方式和/或借助于烧结和/或借助于焊接和/或借助于扩散焊接和/或借助于挤压和/或借助于夹紧和/或借助于粘合连接到元件的至少一个接触部上。利用所提到的方法通过根据本发明的元件模块情况下的接触件同时保证特别良好的电接触以及用于散热的特别良好的热接触。有利地，在根据本发明的元件模块情况下，元件是集成电路。恰恰在集成电路的情况下，有效的散热是特别运行重要的。恰恰在本发明的这种改进方案中，因此根据本发明的可能的有效的散热是特别有利的。在根据本发明的元件模块的适宜的改进方案中，元件模块具有至少两个或更多元件，这些元件分别借助开孔的接触件连接到共同的电路板上。有利地，在本发明的这种改进方案中热量局部地在每个元件处直接排出，这明显提高元件模块的故障安全性。

以合适的方式在根据本发明的元件模块情况下，至少一个开孔的接触件由金属或者以金属，特别是镍和/或银和/或金和/或锌和/或铜构成，适宜地以海绵金属，特别是海绵铜的形式被构成。在根据本发明的元件模块的这种改进方案中，开孔的接触件以特别简单的方式导电地构造为电气的接触件。同时，提到的材料允许了开孔的构造。

优选地在根据本发明的元件模块中，至少一个开孔的接触件以织物状的和/或泡沫状的和/或网状的结构、特别是以金属网的形式构成的结构来构成。可替代地或附加地，开孔的接触件可以以导体框架堆叠的形式来构成。在这种改进方案中能够容易地保证接触件的开孔性。

以适宜的方式，“开孔的”在本申请的意义上应理解为，接触件的孔在其表面上形成入口，液体、例如冷却液能够从外部穿过该入口渗入到接触件中。理想地，接触件的开孔的材料此外具有开孔的结构，冷却液能够通过该结构有效地经过，优选这样地经过，使得冷却液流经该接触件。

以适宜的方式在根据本发明的元件模块情况下，根据本发明设置的开孔的接触件特别适用于引导冷却流体、特别是冷却流体通过其孔。

理想地在根据本发明的元件模块情况下，冷却系统包括热管。通过该热管实现特别有效的冷却循环。

根据本发明的功率模块如之前所描述地那样包括根据本发明的元件模块。优选地，在根据本发明的功率模块情况下，至少一个元件是功率元件。恰恰在功率模块的情况下，有效散热的问题更严重，因为在此存在特别大量的用于转换成热能的能量。在根据本发明的功率模块情况下，因此在根据本发明的元件模块情况下可能的有效散热是很大的优势。

附图说明

接下来根据附图中所示的实施例来进一步阐述本发明。其中：

图1示意性地以纵剖面示出具有根据本发明的元件模块的根据本发明的功率模块的第一实施例，该元件模块具有借助于元件模块的开孔的接触件所实现的冷却系统；

图2示意性地以纵剖面示出具有根据本发明的元件模块的根据本发明的功率模块的第二实施例，该元件模块具有借助于元件模块的开孔的接触件所构成的热管；以及

图3以纵剖面中的原理图示出根据图1和2的实施例的开孔的接触件的连接的细节。

具体实施方式

图1中所示出的功率元件10是具有绝缘的门电极的双极型晶体管（英文：insulatedgatebipolartransistor（绝缘栅双极型晶体管）：igbt）并且具有第一平坦侧面20和第二平坦侧面30，其互相背离。功率元件10的薄层状的平面接触部40、50沿着第一平坦侧面20和第二平坦侧面30延伸，平面接触部被构造为平面的芯片敷金属。在所示的实施例中，图1中的功率元件的在上侧布置的平面接触部40由铜组成，而功率元件的在下侧布置的平面接触部50由银组成。原则上，上侧的平面接触部40也可以由银或以银或者由alsicu或以alsicu、其他金属或其他导电材料构成，而下侧的平面接触部50也可以由金或以金和/或其他金属或者其他导电材料构成。

为了这些平面接触部40、50的接触，在紧贴平面接触部40、50的接触件60、70上放置开孔的材料，该材料基本上平面地沿着平面接触部40、50延伸。在所示实施例中，接触件60、70被构造为能传导的并且实现为海绵铜。理解为，在没有特意示出的另外对应于根据附图所阐述的实施例的其他实施例中，开孔的接触件60、70也可以由其他的开孔的能传导的材料组成，例如由织物或网或其他的多孔的结构所构成的铝或者钛接触件或者由其他金属或以其他金属所构成的接触件。例如，也可以将用能传导的材料局部地覆层的或者用能传导的颗粒所渗入的海绵聚合物用作接触件。在另外对应于所示实施例的其他实施例中，可以以导体框架的堆叠构成开孔的接触件。

功率元件10的平面接触部50之一面向具有由氮化铝（aln）组成的陶瓷芯100的陶瓷基板90的另一平面接触部80。原则上，在其他的、没有特意示出的实施例中，陶瓷芯100基本上可以由其他材料、例如另一种陶瓷材料或者聚合物，例如pcb或fr4组成。陶瓷基板90的另一平面接触部80被构造为表面的基板敷金属，在所示实施例中被构造为铜基板敷金属。功率元件10的朝向陶瓷基板90的平面接触部50和陶瓷基板90的另一平面接触部80互相平行延伸并且在此形成间隙。布置在那些面向陶瓷基板90的平面接触部50上的这样的接触件70完全地填充这些平坦的间隙并且全面地紧贴在功率元件10的这些平面接触部50以及在陶瓷基板90的另一平面接触部80上。接触件70因此布置用于接触功率元件10和陶瓷基板90。

开孔的接触件60、70以电镀的方式接触到相应基板或者芯片敷金属并且因此由于贯穿引导的金属接触部建立在相应平面接触部40、50、80之间的导电连接。

平面接触部40、50、80互相地电绝缘并且与必要时其他位于其周围的电位电绝缘，其方式为，在那些没有接触件60、70紧贴在其上的那些表面区域上的平面接触部40、50、80被用电绝缘材料包裹、在这里所描述的实施例中被用塑料包裹（在附图中并未明确示出）。

由于开孔的接触件60、70的电镀连接，金属，在所示实施例中是铜，被沉积在开孔的接触件60、70和平面接触部40、50、80之间的区域中（图3）。在所示实施例中，借助于所沉积的材料来构成如下层，这些层平面地沿着芯片敷金属或者陶瓷基板敷金属以及接触件60、70延伸。由于这种沉积，开孔的接触件60、70分别与功率元件连接。全部接触件60、70同时与其分别紧贴的相应平面接触部40、50、80连接。在没有特意示出的另外对应于所示的实施例的其他实施例中，接触件并不以电镀的方式连接，而是借助于烧结或焊接或扩散焊接或挤压或夹紧或粘合连接。

用陶瓷基板90和接触的功率元件10所构成的功率模块被布置在功率模块的冷却系统的流体流路径170中（图1）。功率模块的冷却系统被构造用于，沿着方向r穿过流体流路径170来引导冷却液。在所示实施例中，流体流路径170是空气流动路径。在没有特意示出的另外对应于所示的实施例的其他实施例中，设置另一流体流、例如冷却气体流或者冷却液体流，例如冷却水流，用于冷却。冷却液可以在流体流路径170中穿过开孔的接触件70，使得接触件70的开孔的材料构造冷却通道。理解为，在没有特意示出的其他实施例中，不必主动地借助于附加设置的流动装置来使冷却液流动。相反，流体流已经可以在一定程度上由于热对流来自主地形成。

在另外对应于图1中所示的实施例的、图2中所示的其他实施例中，热管180代替冷却循环的空气流而存在。热管180借助于在功率元件10和陶瓷基板90之间所布置的接触件70构成。热管180借助于开孔的接触件70构成。开孔的材料构成了热管180的内部。由于接触件70的材料的开孔性，冷却液可以穿流热管180。热管180为此具有液密的外罩182。这个外罩182在外周被施加，例如以电镀的方式或者通过镀层或焊接，使得冷却液无损失地穿过热管180来被引导。

热管180在此以已知的方式构成冷却液的冷却循环，其中由于蒸发和冷凝由其将热量吸收和释放。为此热管180在其远离功率元件10的末端上连接到冷却体185，使得冷却液在热管180的该远离的末端上冷凝。