本发明涉及串联太阳能电池。此外，本发明涉及制造这种串联太阳能电池的方法。
背景技术：
目前，由底部基于硅晶片的太阳能电池和顶部薄膜太阳能电池组成的串联式或更一般地多结太阳能电池被视为实现基于硅的晶片技术的更高效率的重要竞争者。串联式可具有两端子(2t)、三端子(3t)及四端子(4t)构型。通常不考虑3t构型，因为中间层需要电流传输。对于多结设备，2t概念在传承上是适用的，而3t和4t概念(及其组合)会导致将额外的透明电极和附随端子合并到设备堆栈中。
在串联太阳能电池中，透明电极存在于顶部电池中。大多数透明导体具有差的透光性，尤其是在高导电率下。尽管串联设备中的电流密度与单结设备相比较低，但是对于透明电极，光学和电学损耗之间的权衡总是存在。
前金属栅格允许更薄的透明电极层。虽然栅格不可避免地导致阴影损失，但由寄生吸收加上遮蔽引起的总损耗可小于无栅格概念。
薄膜太阳能电池中的吸收层存在另一缺点，特别是当钙钛矿层以串联构型应用时，因为在最先进的opv和钙钛矿电池中，顶部电极结合其光学性能可以达到的导电率相当差。
wo2015/017885公开了堆叠式太阳能电池设备，其提供具有光子接收表面和第一单同质结硅太阳能电池的光伏设备。第一单同质结硅太阳能电池包括具有相反极性的两个掺杂硅部分，并具有第一带隙(bandgap)。该光伏设备还包括第二太阳能电池结构，该第二太阳能电池结构具有带有钙钛矿结构的吸收材料并且具有大于第一带隙的第二带隙。该光伏设备布置成使得第一太阳能电池和第二太阳能电池中的每一个均吸收由光子接收表面接收的光子的一部分。
本发明的目的是克服或减轻现有技术的至少一个缺点。
技术实现要素：
该目的通过串联太阳能电池来实现，所述串联太阳能电池包括基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈；
基于硅晶片的太阳能电池具有用于接收辐射的第一晶片表面和与第一晶片表面相对的第二晶片表面；
薄膜太阳能电池结构具有用于接收辐射的第一膜表面和与第一膜表面相对的第二膜表面；
薄膜太阳能电池结构的第二膜表面与基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面接合，
基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈设置有至少一个导电元件，该至少一个导电元件延伸通过第一膜表面和第二晶片表面之间的堆栈，以及在第二晶片表面上设置有接触垫片，并且在第一膜表面和接触垫片之间形成导电路径，其中，硅晶片太阳能电池包括在第一电极层和第二电极层之间的基底导电层，以及第一电极层与基底导电层之间布置有钝化隧道层。
有利地，串联太阳能电池形成有底部基于硅晶片的太阳能电池和顶部薄膜太阳能电池结构之间的串联连接，其中，串联太阳能电池的辐射接收前表面上不需要外部布线，外部布线会遮蔽前表面并减小用于捕捉辐射的区域。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，导电元件布置在从第一膜表面延伸至第二晶片表面的通孔中。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第一晶片表面包含第一极性的第一电极层，以及第二晶片表面包含第二极性的第二电极层，第二极性与第一极性相反。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第一膜表面包含第一极性的第三电极层，以及第二膜表面包含第二极性的第四电极层。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，太阳能电池包括位于第一电极层与第四电极层之间的复合(recombination)层，用于电联接第一电极层和第四电极层。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，薄膜太阳能电池结构包括位于第三电极层和第四电极层之间的吸收层。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第一膜表面上布置有前接触结构，并且该前接触结构电联接至至少一个导电元件。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第二晶片表面上布置有后表面接触结构，该后表面接触结构与第二晶片表面上的至少一个接触垫片隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，导电元件通过隔离侧壁至少与吸收层和第四电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，导电元件还通过隔离侧壁与复合层和第一电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，导电元件还通过隔离侧壁与第三电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，导电元件还通过隔离侧壁与基底导电层和第二电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，在串联太阳能电池的边缘处，第一电极层、复合层、第四电极层、吸收层和第三电极层被边缘隔离层覆盖。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，在第二电极层与基底导电层之间布置有第二钝化隧道层。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，吸收层包括选自以下群组中的一种，该群组包括钙钛矿材料层、cigs化合物层、基于薄膜硅的层、基于iii-v半导体的层、基于inp、ingap或gaas化合物或基于纳米线的层。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第三电极层包括选自以下群组的材料，该群组包括：对于p型电极层：p型掺杂质的a-si:h、p型纳米晶钢硅、微晶硅和多晶硅、螺形ometad、共轭聚合物、pedot、氧化镍、氧化钼或p型透明导电氧化物，以及对于n型电极层：n型掺杂的asi:h、n型纳米晶硅、微晶硅和多晶硅、n掺杂的zno、tio2、ito或其他透明导电氧化物、tco。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，复合层包括选自以下群组中的材料，该群组包括tco，非定形、纳米晶、微晶或多晶态高掺杂变性(degenerate)硅或n+纳米晶siox:h。
根据一方面，本发明提供如上所述的串联太阳能电池，其中，第一电极层和/或第二电极层包括掺杂的多晶硅层和基于氧化硅的钝化隧道层的一个双层。
此外，本发明涉及用于制造串联太阳能电池方法，该方法包括：
形成基于硅晶片的太阳能电池，其具有用于接收辐射的第一晶片表面和与第一晶片表面相对的第二晶片；
在基于硅晶片的太阳能电池上布置具有用于接收辐射的第一膜表面和与第一膜表面相对的第二膜表面的薄膜太阳能电池结构，使得薄膜太阳能电池结构的第二膜表面与基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面接合，提供基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈，该堆栈具有至少一个导电元件，所述至少一个导电元件延伸通过第一膜表面和第二晶片表面之间的堆栈，以及
在第二晶片表面上为导电元件提供至少一个接触垫片，以在第一膜表面和接触垫片之间形成导电路径，其中，基于硅晶片的太阳能电池包括位于第一电极层和第二电极层之间的基底导电层，并且该方法包括在第一电极层和基底导电层之间形成钝化隧道层。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，其中，在基于硅晶片的太阳能电池上布置薄膜太阳能电池结构包括在基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面侧通过逐层形成过程来制造薄膜太阳能电池结构的步骤。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，其中，在基于硅晶片的太阳能电池上布置薄膜太阳能电池结构包括单独形成薄膜太阳能电池结构的步骤，接着是将薄膜太阳能电池结构堆叠在基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面侧上的步骤。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，还包括：形成从第一膜表面延伸至第二晶片表面的通孔，将导电元件布置在通孔中，以从第一膜表面延伸至第二晶片表面。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在第一晶片表面中或第一晶片表面上形成第一极性的第一电极层，以及在第二晶片表面中或第二晶片表面上形成第二极性的第二电极层，第二极性与第一极性相反。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在第一膜表面中或第一膜表面上形成第一极性的第三电极层，以及在第二膜表面中或第二膜表面上形成第二极性的第四电极层。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在第一电极层上形成复合层，使得复合层布置在第一电极层与第四电极层之间的串联太阳能电池中，用于电联接第一电极层和第四电极层。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，其中，薄膜太阳能电池结构包括位于第三电极层与第四电极层之间的吸收层。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在第一膜表面上布置前接触结构，该前接触结构电联接至至少一个导电元件。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括在第二晶片表面上布置后接触结构，该后接触结构与至少一个接触垫片隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：通过隔离侧壁提供导电元件至少与吸收层和第四电极层的隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：，还通过隔离侧壁使导电元件与复合层和第一电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：还通过隔离侧壁使导电元件与第三电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：还通过隔离侧壁使导电元件与基底导电性层和第二电极层隔离。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在串联太阳能电池的边缘处，通过边缘隔离层覆盖第一电极层、复合层、第四电极层、吸收层和第三电极层。
根据一方面，本发明提供如上所述的方法，包括：在第二电极层与基底导电层之间形成第二钝化隧道层。
有利的实施方式由从属权利要求进一步限定。
附图说明
下面将参考附图，仅通过示例的方式描述本发明的实施方式，附图本质上示意图，因此不一定按比例绘制。此外，附图中的相同附图标记涉及相同元件。
图1示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面；
图2示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面；
图3示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面；
图4示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面；
图5示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面，
以及
图6示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池的截面。
具体实施方式
图1示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池100的截面。
串联太阳能电池100包括基于晶体硅晶片的太阳能电池110和薄膜太阳能电池结构130。
太阳能电池110、130中的每个均包括后表面和用于接收辐射作为能量源的前表面。在每个的前表面上布置有顶部电极，并在后表面上布置底部电极。
基于硅晶片的太阳能电池110包括在其前表面112上作为顶部电极的、第一极性的第一电极层114(即，第一导电类型的第一掺杂层)，并包括在其后表面116上作为底部电极的、第二极性的第二电极层118(即，第二导电类型的第二掺杂层)，第二极性与第一极性相反。例如，第一导电类型为p型，则第二导电类型为n型(或反之亦然)。
在第一电极层114与第二电极层118之间，基于硅晶片的太阳能电池包括基底导电层115。
薄膜太阳能电池结构130包括在其前表面132上作为顶部电极的第一极性(即，第一导电类型)的第三电极层134，并包括在其后表面136上作为底部电极的第二极性的第四电极层138，第二极性与第一极性相反。
在第三电极层134与第四电极层138之间，薄膜太阳能电池结构包括吸收层135。
薄膜太阳能电池结构堆叠在基于硅晶片的太阳能电池上，其中，薄膜太阳能电池结构130的底部电极(第四电极)138与基于硅晶片的太阳能电池110的顶部电极(第一电极)114接合。
在第一电极层114与第四电极层138之间，布置有复合层120，用于电联接薄膜太阳能电池结构130和基于硅晶片的太阳能电池110。
以这种方式，获得基于硅晶片的太阳能电池110与薄膜太阳能电池结构130之间的串联连接。
另外，串联太阳能电池100布置为后接触式太阳能电池布置。串联太阳能电池的顶部电极(即，薄膜太阳能电池130的第三电极层134)与基于硅晶片的太阳能电池110的后表面116之间布置有至少一个导电元件140，该至少一个导电元件140延伸通过基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈。
根据实施方式，导电元件140是导电通孔结构，其包括延伸通过基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈的通孔，以及基本上填充通孔的导电材料。
导电元件140电联接至前第三电极层134。在后表面116上，在导电元件140上设置端子或接触件142。接触件142通过间隙144或通过其他绝缘方式与后表面电极层118隔离。
以这种方式，导电元件140在前第三电极层134和接触件142之间形成导电路径。
在硅晶片太阳能电池110的后表面116上，后表面接触结构146设置为相对于接触件142的反电极。后表面接触结构可例如包括全区域金属化或(印刷的)接触栅格或本领域技术人员已知的任何其他接触结构。
有利地，根据本发明的串联太阳能电池100提供了在串联太阳能电池100的辐射接收前表面上不需要外部布线，外部布线会遮蔽前表面并减小用于捕捉辐射的区域。
在如图1所示的实施方式中，导电元件140接触从两极的从前表面到后表面的所有电极层，这可能导致内部短路。根据实施方式，第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、第一电极层114均设置为具有高电阻率的层，这将短路限制到导电元件140附近的有限区域。基本原理是这些层不需要横向导电性。在串联太阳能电池中，这些层仅配置为基本上在从前到后的方向上传输电流，因此它们可以被调整为低导电性，例如，通过限制厚度和/或通过控制掺杂水平，这二者也有利于层的透明度(用于将顶部电池未使用的光朝向底部电池传送)。通常，例如透明氧化物中以及硅中的高导电性伴随着更高的吸光度，这是由提供导电性所必需的自由载流子引起的。
导电层、第四电极层138、复合层120和第一电极层114可以非常薄，例如，在1nm和200nm之间。作为示例，作为太阳能电池中的、具有横向传输性能的电极材料的透明导电氧化物通常具有1-100欧姆/平方的薄层电阻。如果第四电极层138使用了透明导电氧化物，则其可以具有100-10000欧姆/平方或更高的薄层电阻。
串联太阳能电池100可根据用于制造串联太阳能电池的方法进行制造，包括：
形成基于硅晶片的太阳能电池110，其具有用于接收辐射的第一晶片表面112和与第一晶片表面相对的第二晶片116；
形成薄膜太阳能电池结构130，其具有用于接收辐射的第一膜表面132和与第一膜表面相对的第二膜表面136；
将薄膜太阳能电池布置在基于硅晶片的太阳能电池上，使得薄膜太阳能电池结构130的第二膜表面136与基于硅晶片的太阳能电池110的第一晶片表面112接合，
提供基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈，该堆栈具有至少一个导电元件140，其中，该至少一个导电元件140延伸通过第一膜表面132和第二晶片表面118之间的堆栈，以及
在第二晶片表面118处为导电元件140设置接触件142，从而在第一膜表面132和接触件142之间形成导电路径。根据实施方式，该方法包括在通孔中形成导电元件140。
因此，该方法还包括形成从第一膜表面延伸至第二晶片表面的通孔，以及随后在通孔中布置导电元件，以从第一膜表面延伸至第二晶片表面。
通孔可通过“通孔钻孔”方法形成。
通过使用逐层形成过程在基于硅晶片的太阳能电池的顶表面上形成薄膜太阳能电池，薄膜太阳能电池结构可布置在基于硅的太阳能电池的顶表面上。可替代地，基于硅晶片的太阳能电池上的薄膜太阳能电池结构可以单独形成，然后在其形成之后，在第一电极层和复合层的顶部的、基于硅晶片的太阳能电池的顶表面侧(即第一晶片表面侧)上堆叠为完整的薄膜太阳能电池结构。
图2示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池200的截面。
串联太阳能电池200具有与如上参照图1描述的串联太阳能电池100相同的层状结构。此外，导电元件140设置有隔离侧壁148，隔离侧壁148将导电元件140至少与吸收层135、第四电极层138、复合层120和第一电极层114隔离。在该实施方式中，第三电极层134与导电元件140电连接。
因此，在实施方式中，所述制造方法包括在形成第三电极层之前，在吸收层135、第四电极层138、复合层120和第一电极层114的堆栈中形成通孔。在形成通孔之后，吸收层135、第四电极层138、复合层120和第一电极层114的侧壁被隔离材料148覆盖。接着，在该通孔中形成导电元件40。然后，在吸收层135上形成第三电极层134，使得第三电极层134接触导电元件140的附近端部。
通孔中的隔离材料148可以通过印刷过程、配制过程等沉积，或者通过气相过程(例如，化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)基础技术)沉积。
图3示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池300的截面。
串联太阳能电池300具有与如上参照图1描述的串联太阳能电池100相同的层状结构。此外，导电元件140设置有隔离侧壁148，隔离侧壁148将导电元件140与第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120和硅晶片的第一电极层114隔离。
根据该实施方式，第三电极层134设置有前表面接触结构150，该前表面接触结构150与第三电极层134电接触，并且还与导电元件140电连接。
前表面接触结构150通常是布置在第三电极层140上的导电线或阵列的图案化网格。网格150可包括(丝网或模板)印刷网格或例如在透明基体中印刷或施加的基于银的纳米线网格。
前表面接触结构150也可应用于如上参照图1或图2描述的实施方式中的一个或多个。
因此，在实施方式中，所述制造方法包括在第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120和第一电极层114的堆栈中形成通孔。在形成通孔之后，第三电极层134、吸收层135，第四电极层138、复合层120和第一电极层114的侧壁被隔离材料148覆盖。接着，在该通孔中形成导电元件140。
在进一步的步骤中，在第三电极层上形成电极线的网格150，使得网格与导电元件140接触。
作为隔离侧壁148的应用的替代，导电元件140可包括插塞膏料，该插塞膏料固有地不接触基于硅晶片的太阳能电池110和薄膜太阳能电池结构130的堆栈中的一个或多个(优选所有)层。
图4示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池400的截面。
根据该实施方式的串联太阳能电池400具有与如上参照图1描述的串联太阳能电池100相同的层状结构。此外，导电元件140设置有隔离侧壁148，该隔离侧壁148将导电元件140至少与第三电极层134、吸收层135、第四电极层138，复合层120、第一电极层114和基底导电层115隔离。在该实施方式中，第三电极层134设置有前表面接触结构150，该前表面接触结构150与第三电极层134电接触，并且还与导电元件140电连接。
因此，在实施方式中，所述制造方法包括在第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120、第一电极层114和基底导电层115的堆栈中形成通孔。在形成通孔之后，第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120、第一电极层114和基底导电层115的侧壁被隔离材料148覆盖。接着，在该通孔中形成导电元件140。
在进一步的步骤中，在第三电极层上形成电极线的网格150，使得网格与导电元件140接触。
图5示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池500的截面。
串联太阳能电池500具有与如上参照图3描述的串联太阳能电池300相同的层状结构。此外，在串联太阳能电池500的外围边缘502处，在硅晶片的第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120和硅晶片的第一电极层114的边缘上布置边缘隔离壁160。
因此，在实施方式中，所述制造方法包括在串联太阳能电池500的外围边缘502处，在第三电极层134、吸收层135、第四电极层138、复合层120和第一电极层114的相应外围边缘处形成边缘隔离壁160。
应用边缘隔离以防止例如由于工艺问题(如溢出)引起的顶部太阳能电池130和底部太阳能电池110之间在边缘处的不期望的电接触(分流)。
边缘隔离壁160可与通孔中的隔离侧壁148同时形成，但也可以如本领域技术人员将理解的在制造过程的不同阶段形成。根据实施方式，边缘隔离壁160通过印刷过程形成。
此外，应当理解，边缘隔离壁160可结合如上参照图1、图2和图4描述的其他实施方式中的一个或多个来应用。
图6示出根据本发明的实施方式的串联太阳能电池600的截面。
根据该实施方式的串联太阳能电池600具有与如上参照图1描述的串联太阳能电池100相同的层状结构。此外，串联太阳能电池600包括第一钝化隧道层162，该第一钝化隧道层162布置在基于硅晶片的太阳能电池110的第一电极层114与基底导电层115之间。
在实施方式中，第一钝化隧道层162是基于氧化硅、siox:h或sic，或本征非晶硅a-si:h(厚度在0.5nm和3nm之间)或基于钼氧化物moox的薄层。
除第一钝化隧道层之外或作为另外一种选择，基于硅晶片的太阳能电池110可包括第二钝化隧道层164。第二钝化隧道层164布置在基于硅晶片的太阳能电池110的第二电极层118与基底导电层115之间。
在实施方式中，制造串联太阳能电池的方法将包括在制造基于硅晶片的太阳能电池110期间在第一电极层114和基底导电层115之间形成第一钝化隧道层162。另外地或可替代地，该方法可包括在制造基于硅晶片的太阳能电池110期间在第二电极层114和基底导电层115之间形成第二钝化隧道层164。
本领域技术人员将理解，第一钝化隧道层162和/或第二钝化隧道层164还可结合如参照图1、图2、图3、图4和图5描述的其他实施方式中的一个或多个进行应用。
薄膜太阳能电池结构可包括作为吸收层的钙钛矿材料层。可替代地，但不限于此，吸收层可包括cigs化合物、基于薄膜硅的层、基于cdte的层、基于iii-v半导体的层，或基于inp、ingap或gaas化合物或基于纳米线。
第一电极层114和第二电极层118可以是扩散的，或离子注入的，或沉积的，或是外延层或包括异质结，例如，根据极性具有掺杂的非晶硅或其组合，具有p型或n型掺杂。在异质结结构的情况下，沉积层可以是掺杂的非晶硅，或掺杂的纳米晶或多晶硅或其组合。
特别有益的组合是基于氧化硅的钝化隧道层162和/或钝化隧道层164与掺杂的基于多晶硅的第一电极层114和/或第二电极层118的组合。多晶硅层可以被充分掺杂，以实现载流子选择性钝化电极，同时具有高光学透明度，特别是在串联的底部硅太阳能电池所关注的波长区域中，以及具有高横向电阻率，其与第一电极层114特别相关。
第三电极层134可包括选自以下群组的材料，该群组包括：对于p型电极层：p型掺杂的a-si:h、p型纳米晶硅、微晶硅和多晶硅、螺旋ometad、共轭聚合物、pedot、氧化镍、氧化钼或p型透明导电氧化物，以及对于n型电极层：n型掺杂的asi:h、n型纳米晶硅、微晶硅和多晶硅、n掺杂的zno、tic、ito或其他透明导电氧化物、tco。
同样地，第四电极层138可选自与第三电极层134相同的材料，但是为相反的导电类型/极性类型。
复合层120可包括选自以下群组的材料，该群组包括tco、高掺杂(变性)硅(非晶、纳米晶、微晶或多晶)或n+纳米晶siox:h或任何其他的材料，该任何其他透明材料结合用于引入辐射的足够透明度和用于电荷载流子的足够复合率。
在基于硅晶片的太阳能电池110可能为异质结型太阳能电池的情况下，通常为第一电极层114的一部分的tco层可与复合层120结合，或也可用作为复合层。
基底导电层115可以是本征硅半导体层(i型层)，或相对低掺杂的p型层或n型层，该p型层或n型层具有与第一电极层114和/或第二电极层118的掺杂水平相比相对低的掺杂水平。
应当理解，串联太阳能电池可包括位于堆栈的顶部的防反射层(未示出)。
本领域技术人员将理解，基于硅晶片的太阳能电池可具有抛光表面或纹理化表面，薄膜太阳能电池结构布置在该表面上。
在前面对附图的描述中，已参照本发明的具体实施方式描述了本发明。然而，显而易见的是，在不脱离如所附权利要求中概述的本发明的范围的情况下，可以对其进行各种修改和变化。
另外，在不脱离本发明的实质范围的情况下，可以进行许多修改，以使具体情况或材料适应本发明的教导。因此，意图是本发明不限于所公开的具体实施方式，而是本发明将包括落入所附权利要求的范围内的所有实施方式。
具体地，可以对本发明的各个方面的具体特征进行组合。通过添加针对本发明的另一方面描述的特征，可以进一步有利地增强本发明的一个方面。