技术特征：
技术总结
本发明涉及以下技术，即，在对半导体装置施加高电压的测试时，为了防止损伤波及到探针，对在探针的附近产生点破坏进行抑制。在半导体装置的测定方法中，半导体装置具备：半导体衬底(1)；外延层(2)；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3)，其在外延层的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)；阳极电极(12)；以及阴极电极(13)。使探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个第2导电型区域的轮廓的范围内的阳极电极的上表面接触，施加电压。
技术研发人员：大久野幸史;鹿间省三;樽井阳一郎
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2016.09.01
技术公布日：2019.04.16