技术特征：
技术总结
一种静电放电ESD保护电路(110)包含有源分流晶体管(125)、第一下拉晶体管(204)及第二下拉晶体管(206)。所述有源分流晶体管(125)耦合在第一I/O垫(52a)与参考电压之间。所述第一下拉晶体管(204)连接到所述参考电压。所述第二下拉晶体管(206)连接到所述第一下拉晶体管(204)及所述第一I/O垫(52a)。所述第一下拉晶体管(204)及所述第二下拉晶体管(206)处于隔离深n阱(220)的分离隔离槽中。
技术研发人员：安东尼奥·加莱拉诺;戴显治
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2019.11.01