1.一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有：
提供一基底材料层；
形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中；
对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；以及
形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一非晶硅层的厚度小于300埃。
3.如权利要求1所述的方法，还包含形成一掩模层于该第二非晶硅层上。
4.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一同位(in situ)紫外线固化步骤。
5.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化步骤为一异位(ex situ)紫外线固化步骤。
6.如权利要求1所述的方法，该基底材料层包含有氮化硅或是氮碳化硅。
7.如权利要求1所述的方法，还包含形成多层非晶硅层，位于该第二非晶硅层上。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第二非晶硅层具有一平坦表面。
9.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的温度介于摄氏300-600度。
10.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的压力小于10托耳。
11.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线固化的时间小于5分钟。
12.如权利要求1所述的方法，其中该第一非晶硅层以及该第二非晶硅层是通过一等离子体辅助化学气相沉积步骤(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)的方式形成。
13.如权利要求12所述的方法，其中该PECVD的沉积气体包含有甲硅烷(SiH4)。