专利名称：一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法
技术领域：
本发明涉及太阳电池制造技术领域，具体是一种具有掺杂中间层结构的非晶/微
晶硅叠层太阳电池及其制造方法。
背景技术：
太阳电池的研究已由第一代的单晶硅片太阳电池、第二代的低耗薄膜太阳能电池，发展到第三代的低耗、高效多结结构叠层薄膜太阳电池。从材料的可持续利用角度来考虑，显然氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳电池满足低成本、可持续生产、环保等要求，是今后发展的主要趋势之一。考虑到太多叠层会使得制备困难、不利因素难以控制及引起能耗的增加等，因此，双结的非晶硅/微晶硅(micromorph)叠层电池成为研究工作者目前的研究热点，也取得了较好的结果。 然而，目前micromorph叠层电池，得到稳定效率最好的结果为13%左右，远远未能达到人们所期望的目标。这是因为这种结构的电池存在两个方面的问题(l)本征层自身的缺陷，使得光生载流子复合；(2)来自micromorph叠层电池中顶电池和底电池的pn连结特性，在结附近产生反向电场，阻碍了导带中光生电子和价带中光生空穴分别向底电池和顶电池的收集。第一个问题，人们通过制备高质量的本征层材料和通过减薄子电池本征层厚度而得到较好的解决。但对于第二个问题，是目前micromorph叠层太阳电池的结构性缺陷，原因是这种结构的电池如附图1所示，顶电池的导带与底电池的价带相连接，顶电池导带中的光生电子就被带到底电池价带中的光生空穴附近，聚集在结附近的光生载流子阻碍着载流子向顶电池和底电池收集，从而影响电池的性能。这是目前双结串接micromorph叠层电池存在的基本问题之一 。 双结串接micromorph叠层太阳电池结构中，pn结厚度、顶电池和底电池i层厚度将剧烈地影响叠层电池I-v特性，因此，如何保持顶电池和底电池电流相匹配，从而保证叠层电池的优异性能，是目前双结micromorph叠层电池存在的第三个基本问题。
朱诚等人提出用11+-3-51:11/^+-3-51:11隧道结串联顶电池和底电池，解决光生载流子在pn结内部反向电场作用而影响其有效收集的问题。这种方法只能较为有效地解决光生载流子的收集效率问题，但不能解决叠层电池内部陷光问题。另外，国外的一些研究机构提出用Zn0薄膜作为micromorph叠层电池中间层，来解决这种叠层电池的内部陷光问题。这种方法只能较为有效地解决叠层电池内部陷光问题，但不能解决光生载流子的收集效率问题。因此，以上提及的方法都不能综合地解决前面提及的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用高透光性、高电导性、优异陷光性、良好隧穿性的隧道结串联非晶硅/微晶硅叠层电池顶电池和底电池，提高光生载流子收集效率、获得电池优异性能的一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法。 本发明的技术方案是一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，由透明导电膜、非晶硅顶电池窗口层、非晶硅顶电池本征层、非晶硅顶电池n型层、掺杂中间层、微晶硅底电池P型层、底微晶硅电池本征层、微晶硅底电池n型层、背反射层和背
电极层串接组成，其特征在于所述掺杂中间层是兼备陷光性能和隧穿性能的特殊结构n+-ZnO: Al/p+- ii c-Si : H隧道结。 所述n+-ZnO:Al/p+i c-Si:H隧道结中的n+-ZnO:Al层为通过铝掺杂氧化锌所获得的薄膜。 所述！1+-2110^1/^+-11 c-Si:H隧道结中的p+_ P c_Si :H层为通过重p型掺杂氢化微晶硅所获得的薄膜。 所述透明导电膜为SnO^F薄膜；非晶硅顶电池窗口层为p-a-SiC:H、 p-a-Si:H薄膜；非晶硅顶电池本征层为i-a-Si:H薄膜；非晶硅顶电池n型层为n-a-Si :H薄膜；微晶硅底电池P型层为P-P c-Si:H薄膜；微晶硅底电池本征层为i-y c-Si:H薄膜；微晶硅底电池n型层为n-y c-Si:H薄膜；背反射层为具有绒面结构氧化锌薄膜；背电极层为铝电极。
制备上述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池的方法为由三个真空室的PECVD系统和一个真空室的磁控溅射系统组成的混合型薄膜制备系统，具体步骤为 (1)装片将通过半导体清洗工艺处理过的glass/SnO^F透明导电膜(SnO^F薄膜厚度为0. 8 m)，放置在PECVD系统的p型掺杂真空室，其中样品可通过机械手移动到PECVD系统的本征层真空室； (2)非晶硅顶电池窗口层将各真空室预抽至1.0X10—卞a后，再将制备窗口层的真空室抽至4. 2X10—乍a，衬底温度加热至250°C 35(TC，放电功率为380 500mW/cm、反应压为80 100Pa，甲烷与硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4])为1. 2 3 (其中，SiH4为6 15sccm，CH4为7. 2 18sccm)，氢稀释比([H2] / [CH4+SiH4])为12 15 (其中，SiH4为6 7. 5sccm， CH4为7. 2 9sccm， H2为158 198sccm)，掺杂气体为氢稀释硼烷(0. 5% B2H6，流量为3 5sccm)，沉积时间约为4 6分钟，此为窗口层制备。然后缓慢关闭甲烷和硼烷气体，并适当调节放电功率(保持辉光亮度基本一致)，沉积时间约为3 5分钟；
(3)非晶硅顶电池本征层将制备窗口层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa，衬底温度加热至200 25(TC，放电功率为80 100mW/cm2，反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为6 8sccm，氢气体流量为60 80sccm，沉积时间为25 30分钟； (4)非晶硅顶电池n型层将制备本征层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭本征层的真空室与n型层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2X 10—乍a，衬底温度加热至180 200°C ，放电功率为80 90mW/cm2，反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为6 8sccm，氢气体流量为60 80sccm， 1% PH3气体流量为8 10sccm，沉积时间为4 6分钟；
(5)铝掺杂氧化锌层将n型层的真空室再次抽真空至4. 2X 10—4Pa，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4.2X10—4Pa。溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999 %的铝掺杂氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99 %的高纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气，溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率150 200W、溅射温度180 190。C、溅射时间1800s 1900s、 Ar : 02比为30sccm : 2sccm 60sccm : 4sccm ; (6)重掺杂氢化微晶硅将磁控溅射真空室再次抽真空至4. 2X 10—4Pa，打开所有真空室互联通道，由机械手将样品移动至制备窗口层的真空室，并关闭所有真空室互联通道，将真空抽至4. 2X10—乍a，衬底温度加热至180 190。C，放电功率为800 1100mW/cm2，反应压为120 130Pa，SiH4为1 1. 5sccm，H2为120 180sccm，掺杂气体为氢稀释硼烷(1. 5% 82116，流量为7 9sccm)，沉积时间约为2 4分钟; (7)微晶硅底电池P型层将硼烷流量降为2 4sccm，在3 5分钟的沉积时间
内，缓慢关闭硼烷气体，并适当调节放电功率(保持辉光亮度基本一致)； (8)微晶硅底电池本征层将制备窗口层的真空室再次抽真空至4.2X10-4Pa，打
开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真
空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa，衬底温度加热
至170 180。C，放电功率为800 1100mW/cm、反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为1
2sccm，氢气体流量为90 150sccm，沉积时间为70 80分钟； (9)微晶硅底电池n型层将制备本征层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭n型层的真空室与本征层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa。衬底温度加热至170 180。C，放电功率为800 1100mW/cm、反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为1 2sccm，氢气体流量为90 150sccm，沉积时间为3 5分钟； (10)背反射层将n型层制备真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4.2X10—4Pa。溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999%的氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99%的高纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气，溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率150 200W、溅射温度160 170。C、溅射时间3600s 3800s、Ar : 02比为30sccm : lsccm 60sccm : 3sccm ;
(11)背电极层待真空室内温度降到室温后，打开真空室，取出样品后即刻在蒸发台内蒸发铝电极。 所述铝掺杂氧化锌陶瓷耙中铝含量为2 3wt% 。 由于ZnO薄膜中存在一些位于填隙位置上的本征点缺陷或者杂质原子使得本征ZnO是一种n型半导体材料，而Al是ZnO中的n型掺杂剂，可通过Al掺杂的方法，获得重掺杂n+型ZnO:Al薄膜材料，该薄膜材料的可见光透过率达90 %以上、电阻率可低于9. 7X10—4Q. cm并且具有非常优异的陷光效果。这种薄膜材料结合重掺杂p+型y c-Si:H可制备出性能优异的n+p+隧道结(即n+-ZnO:Al/p+-ii c-Si:H)。用n+-ZnO:Al/p+-y c-Si :H隧道结连接mi cromorph叠层电池顶电池和底电池，即a-Si : H/n+_ZnO: A1 /p+- y c_Si : H/ii c-Si:H电池，其具有两方面的优势(l)使micromorph叠层电池结构p-i-n/p-i-n变为p-i-n/n+-p+/p-i-n结构，使micromorph叠层电池因其pn连结特性而影响光生载流子的收
6集效率问题得到解决；(2)n+-Zn0:Al/p+i c-Si:H隧道结，是很好的内部陷光材料，解决了micromorph叠层电池内部陷光问题。 应用这种满足高透光性、高电导特性、优异陷光特性和良好隧穿性能要求的n+-ZnO:Al/p+- y c_Si :H隧道结，来连接micromorph叠层电池的顶电池和底电池，做成非晶硅/11+-2110^1/^+1(3-51:11/微晶硅结构叠层电池，并结合电流匹配技术，上述提及的双结micromorph叠层太阳电池的三个基本问题得到了很好的解决，实验室小样品的电池转换效率达到13.6%。
附图1为太阳电池中p-n连接结构示意图。
附图2太阳电池结构示意图。
具体实施例方式
由三个真空室的PECVD系统和一个真空室的磁控溅射系统组成的混合型薄膜制备系统，制备的太阳电池结构如附图2所示，具体步骤为 (1)装片将通过半导体清洗工艺处理过的glass/SnO^F透明导电膜1(Sn(^:F薄膜厚度为0. 8 m)，放置在PECVD系统的p型掺杂真空室，其中样品可通过机械手移动到PECVD系统的本征层真空室； (2)非晶硅顶电池窗口层2 :将各真空室预抽至1.0X10—3Pa后，再将制备窗口层的真空室抽至4. 2X10—乍a，衬底温度加热至30(TC，放电功率为390mW/cm2，反应压为100Pa，甲烷与硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4])为2(其中，SiH4为7sccm， CH4为14sccm)，氢稀释比([H2]/[CH4+SiH4])为13(其中，SiH4为7sccm，CH4为8sccm，H2为195sccm)，掺杂气体为氢稀释硼烷(0. 5% B^e，流量为4sccm)，沉积时间约为5分钟，此为窗口层制备。然后缓慢关闭甲烷和硼烷气体，并适当调节放电功率(保持辉光亮度基本一致)，沉积时间约为5分钟； (3)非晶硅顶电池本征层3 :将制备窗口层的真空室再次抽真空至4. 2X10—4Pa，
打开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4.2X10—4Pa。衬底温度加热至24(TC，放电功率为90mW/cm、反应压为80Pa，硅烷气体流量为8sccm，氢气体流量为70sccm，沉积时间为28分钟； (4)非晶硅顶电池n型层4 :将制备本征层的真空室再次抽真空至4. 2X 10—4Pa，打开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭本征层的真空室与n型层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2X 10—乍a，衬底温度加热至19(TC，放电功率为90mW/ci^，反应压为80Pa，硅烷气体流量为7sccm，氢气体流量为70sccm， 1% PH3气体流量为10sccm，沉积时间为6分钟; (5)铝掺杂氧化锌层11 :将n型层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4.2X10—4Pa。溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999 %的铝掺杂氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99%的高
7纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气。溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率200W、溅射温度180。C、溅射时间1900s、Ar/02比为60sccm/4sccm ; (6)重掺杂氢化微晶硅层12 :将磁控溅射真空室再次抽真空至4. 2X 10—4Pa，打开所有真空室互联通道，由机械手将样品移动至制备窗口层的真空室，并关闭所有真空室互
联通道，将真空抽至4. 2X 10—乍a，衬底温度加热至18(TC，放电功率为800mW/cm2，反应压为120Pa，SiH4为lsccm，H2为120sccm，掺杂气体为氢稀释硼烷(1. 5% 82116，流量为8sccm)，沉积时间约为3分钟； (7)微晶硅底电池P型层6 :将硼烷流量降为4sccm，在5分钟的沉积时间内，缓慢关闭硼烷气体，并适当调节放电功率(保持辉光亮度基本一致)； (8)微晶硅底电池本征层7 :将制备窗口层的真空室再次抽真空至4. 2X 10-4Pa，打开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa，衬底温度加热至17(TC，放电功率为900mW/cm2，反应压为70Pa，硅烷气体流量为lsccm，氢气体流量为100sccm，沉积时间为80分钟； (9)微晶硅底电池n型层8 :将制备本征层的真空室再次抽真空至4. 2X 10—4Pa，打开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭n型层的真空室与本征层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa。衬底温度加热至17(TC，放电功率为1100mW/cm、反应压为80Pa，硅烷气体流量为2sccm，氢气体流量为150sccm，沉积时间为5分钟; (10)背反射层9 :将n型层制备真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4. 2X 10—4Pa。溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999%的氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99%的高纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气。溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率170W、溅射温度16(TC、溅射时间3700s、Ar : 02比为30sccm : lsccm ; (11)背电极层10 :待真空室内温度降到室温后，打开真空室，取出样品后即刻在蒸发台内蒸发铝电极。 以上为合肥皖仪科技有限公司生产的型号为WYCD500-I1的由三个真空室的PECVD系统和一个真空室的磁控溅射系统组成的混合型薄膜制备系统制备，对于不同的制备系统，可按以上列出的技术参数范围内进行a-Si:H/n+-ZnO:Al/p+-ii c-Si:H/ii c-Si:H叠层电池制备。
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权利要求
一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，由透明导电膜(1)、非晶硅顶电池窗口层(2)、非晶硅顶电池本征层(3)、非晶硅顶电池n型层(4)、掺杂中间层(5)、微晶硅底电池p型层(6)、微晶硅底电池本征层(7)、微晶硅底电池n型层(8)、背反射层(9)和背电极层(10)串接组成，其特征在于所述掺杂中间层是n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H隧道结。
2. 根据权利要求1所述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，其特 征在于所述11+-2110^1/^+-11 (3-51:11隧道结中的11+-2110^1层为通过铝掺杂氧化锌所获得 的薄膜(11)。
3. 根据权利要求1所述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，其特 征在于所述n+-ZnO: Al/p+- y c-Si : H隧道结中的p+_ y c-Si : H层为通过重p型掺杂氢化微 晶硅所获得的薄膜(12)。
4. 根据权利要求1所述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，其 特征在于所述透明导电膜(1)为SnO^F薄膜；非晶硅顶电池窗口层(2)为p-a-SiC:H、 p-a-Si:H薄膜；非晶硅顶电池本征层(3)为i_a_Si :H薄膜；非晶硅顶电池n型层(4)为 n-a-Si:H薄膜；微晶硅底电池P型层(6)为p-y c-Si:H薄膜；微晶硅底电池本征层(7)为 i-iic-Si:H薄膜；微晶硅底电池n型层(8)为n_ y c_Si :H薄膜；背反射层(9)为具有绒面 结构氧化锌薄膜；背电极层(10)为铝电极。
5. 根据权利要求1所述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池，其制 造方法为由三个真空室的PECVD系统和一个真空室的磁控溅射系统组成的混合型薄膜制备系 统，具体步骤为(1) 、装片将通过半导体清洗工艺处理过的glasS/Sn02:F透明导电膜(1)，放置在 PECVD系统的p型掺杂真空室，其中样品可通过机械手移动到PECVD系统的本征层真空室；(2) 、非晶硅顶电池窗口层(2):将各真空室预抽至1.0X10—3Pa后，再将制备窗口层的 真空室抽至4. 2X10—乍a，衬底温度加热至250°C 35(TC，放电功率为380 500mW/cm、反 应压为80 100Pa，甲烷与硅烷气体流量比为1. 2 3，氢稀释比为12 15，掺杂气体为氢 稀释硼烷，沉积时间约为4 6分钟，此为窗口层制备。然后缓慢关闭甲烷和硼烷气体，并 适当调节放电功率，沉积时间约为3 5分钟；(3) 、非晶硅顶电池本征层(3):将制备窗口层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打 开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真 空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa，衬底温度加热 至200 25(TC，放电功率为80 100mW/cm2，反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为6 8sccm，氢气体流量为60 80sccm，沉积时间为25 30分钟；(4) 、非晶硅顶电池n型层(4):将制备本征层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打 开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭本征层的真空 室与n型层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2X 10—乍a，衬底温度加热至 180 200°C ，放电功率为80 90mW/cm2，反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为6 8sccm， 氢气体流量为60 80sccm， 1% PH3气体流量为8 10sccm，沉积时间为4 6分钟；(5) 、铝掺杂氧化锌层(11):将n型层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4. 2X10—乍a，溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999 %的铝掺杂氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99 %的高纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气，溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率150 200W、溅射温度180 190。C、溅射时间1800s 1900s、 Ar : 02比为30sccm : 2sccm 60sccm : 4sccm ;(6) 、重掺杂氢化微晶硅(12):将磁控溅射真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开所有真空室互联通道，由机械手将样品移动至制备窗口层的真空室，并关闭所有真空室互联通道，将真空抽至4. 2X10—乍a，衬底温度加热至180 190。C，放电功率为800 1100mW/cm2，反应压为120 130Pa， SiHH4为1 1. 5sccm， H2为120 180sccm，掺杂气体为氢稀释硼烷，沉积时间约为2 4分钟；(7) 、微晶硅底电池P型层(6):将硼烷流量降为2 4sccm，在3 5分钟的沉积时间内，缓慢关闭硼烷气体，并适当调节放电功率；(8) 、微晶硅底电池本征层(7):将制备窗口层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与本征层制备真空室通道，用机械手将样品移动至本征层制备真空室，关闭窗口层的真空室与本征层制备真空室通道，将本征层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa，衬底温度加热至170 180。C，放电功率为800 1100mW/cm、反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为1 2sccm，氢气体流量为90 150sccm，沉积时间为70 80分钟；(9) 、微晶硅底电池n型层(8):将制备本征层的真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与n型层制备真空室通道，用机械手将样品移动至n型层制备真空室，关闭n型层的真空室与本征层制备真空室通道，将n型层制备真空室抽真空至4. 2 X 10—4Pa。衬底温度加热至170 180。C，放电功率为800 1100mW/cm、反应压为70 80Pa，硅烷气体流量为1 2sccm，氢气体流量为90 150sccm，沉积时间为3 5分钟；(10) 、背反射层(9):将n型层制备真空室再次抽真空至4.2X10—乍a，打开与磁控溅射真空室通道，用机械手将样品移动至磁控溅射真空室，关闭n型层制备真空室与磁控溅射真空室的通道，将磁控溅射真空室抽真空至4.2X10—乍a，溅射耙材料用直径为50mm、厚度为5mm、纯度为99. 999%的氧化锌陶瓷靶，反应气体为纯度99. 99%的高纯02，溅射气体为纯度99. 999%的氩气，溅射参数为溅射压力为lpa、射频功率150 200W、溅射温度160 170。C、溅射时间3600s 3800s、Ar : 02比为30sccm : lsccm 60sccm : 3sccm ;(11) 、背电极层(10):待真空室内温度降到室温后，打开真空室，取出样品后即刻在蒸发台内蒸发铝电极。
6.根据权利要求5所述一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池的制造方法，其特征在于所述铝掺杂氧化锌陶瓷耙中铝含量为2 3wt%。
全文摘要
本发明涉及一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法，采用中间层为n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H薄膜(11)(12)结构的重掺杂n+p+隧道结串联非晶/微晶硅叠层电池顶电池和底电池，制备得到a-Si:H/n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H/μc-Si:H结构叠层电池，该电池利用ZnO:Al的重掺杂n+型半导体特征及其良好的导电性和陷光作用，做成n+-ZnO:Al/p+-μc-Si:H薄膜(11)(12)结构的重掺杂n+p+隧道结，既能解决传统非晶硅叠层电池的光生载流子收集效率问题，又能实现叠层电池内部陷光，提高电池对入射光吸收效率，电池转换效率达到13.6％。
文档编号H01L31/0336GK101777593SQ20101004585
公开日2010年7月14日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者胡跃辉 申请人:景德镇陶瓷学院