1.一种半导体晶圆的加工方法，其特征在于，在所述晶圆的待加工表面进行预处理形成加工轨迹；所述加工轨迹未及所述晶圆的边缘。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的加工方法，其特征在于，所述加工轨迹边缘和所述晶圆边缘之间的最大距离为0.3－3mm。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的加工方法，其特征在于，所述加工轨迹边缘和所述晶圆边缘之间的最大距离为0.5－1mm。
4.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，该方法包括权利要求1－3任一项所述的半导体晶圆的加工方法。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在一半导体衬底表面生长外延层，在所述外延层上生长保护层；
2)在所述保护层上预设刻蚀区，通过刻蚀去除所述预设刻蚀区的保护层后沉积金属层并退火处理以形成肖特基接触硅化物；
3)再利用与所述预设刻蚀区相匹配的光刻版和权利要求1－3任一项所述半导体晶圆的加工方法在晶圆上形成用于切割所述晶圆的加工轨迹；
4)将具有加工轨迹的晶圆正面覆膜后进行晶圆背面的腐蚀处理。
6.根据权利要求5所述的肖特基二级管的制备方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括以下步骤：
在沉积金属层并经退火处理后的晶圆表面涂覆光刻胶，用与所述预设刻蚀区相匹配的光刻版进行光刻、显影、刻蚀形成加工轨迹；
所述光刻版的图形区域尺寸小于所述晶圆的表面尺寸。
7.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中还包括有去除加工轨迹边缘至晶圆边缘之间区域的保护层的步骤。
8.根据权利要求4－7任一项所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述晶圆为N型硅片；
优选地，所述外延层为N型外延层；
优选地，所述保护层为二氧化硅层。
9.根据权利要求8所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述金属层中用的金属为银、铝、金、钛或钴。
10.权利要求1－3任一项所述的半导体晶圆的加工方法在制备肖特基三极管中的应用。