技术特征：
技术总结
本发明涉及具有沿着晶体管单元区的过渡区中的晶体管单元和超结结构的半导体器件。半导体器件包括晶体管单元区（610）和过渡区（650）。晶体管单元区（610）包括超结结构（180）的第一部分和电连接第一负载电极（310）与晶体管单元（TC）的第一源极区段（111）的第一接触结构（315）。所述第一源极区段（111）形成在第一接触结构（315）的相对侧上。过渡区（650）直接邻接于晶体管单元区（610）并包括超结结构（180）的第二部分和电连接所述第一负载电极（310）与第二源极区段（112）的第二接触结构（316）。第二源极区段（316）仅在被定向到所述晶体管单元区（610）的第二接触结构（316）的侧面处形成。
技术研发人员：S.加梅里特;F.希尔勒
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.08.08