技术特征：
技术总结
根据一个实施方式，半导体装置具备：第1导电型的基板、设于基板上方的第1电极、设于基板上方的第2电极、设于基板与第1电极之间并电连接于第1电极的第1导电型的第1半导体区域、设于基板与第2电极之间的第2导电型的第2半导体区域、设于第1半导体区域与第2半导体区域之间以及基板与第2电极之间并电连接于第2电极的第2导电型的第3半导体区域、设于第2半导体区域与第2电极之间并电连接于第2电极的第1导电型的第4半导体区域、设于基板与第2半导体区域之间且第2导电型杂质浓度高于第2半导体区域以及第3半导体区域的第2导电型的第5半导体区域、以及设于第2半导体区域与第3半导体区域之间的第1导电型的第6半导体区域。
技术研发人员：崔秀明
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2018.03.23