1.一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、NP-PN外延结构的生长；
S11、将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中，采用有缓冲buffer层的外延程序生长，生长采用氢气作为载气，使用Ga源、In源、N源和P型掺杂剂、N型掺杂剂，衬底在反应室内经过高温热处理去除表面杂质；
S12、采用二步法生长，先生长一层10～50nm的低温GaN缓冲层buffer，然后升温生长4μm的N型GaN材料。 LED结构的样品在此基础上继续生长由1～100个周期InxGa1-xN/GaN构成的有源区量子阱，其上是10～50nm的P型AlGaN电子阻挡层，最后生长400nm～550nm的P型GaN接触层；
S13、继续在步骤S2中的结构上面生长10～50nm的P型AlGaN电子阻挡层，然后生长1～100个周期的GaN/InyGa1-yN构成的有源区，最后生长200nm～400nm的N型GaN接触层；
S2、芯片制程；
S21、完成步骤S1中的外延生长后，分别通过mesa-1光刻、mesa-1刻蚀和通过mesa-2光刻、mesa-2刻蚀，然后通过NP光刻、镀金属Ni/Cu后，剥离清洗，最后在芯片表面沉积一层SiO2保护层，去除电极表面的SiO2，成为成品芯片。
2.根据权利要求1所述的一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S11中的图形化蓝宝石衬底可以替换为SiC衬底或Si衬底。
3.根据权利要求1所述的一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S11中的Ga源、In源、N源分别为三甲基镓、三甲基铟和氨气。
4.根据权利要求1所述的一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S11中的P型掺杂剂、N型掺杂剂分别是二茂镁和硅烷。
5.根据权利要求1所述的一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的外延结构可以替换制成PN-NP结构或NP-PN-NP，并且后面每增加一层外延结构，发光层增加一层。