技术总结
本发明公开了一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，包括以下步骤：将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中，采用二步法生长，先生长P型GaN接触层，继续在P型GaN接触层结构上面生长P型AlGaN电子阻挡层，然后生长GaN/InyGa1‑yN构成的有源区，最后生长N型GaN接触层；通过光刻、刻蚀和NP光刻、镀金属Ni/Cu后，剥离清洗，最后在芯片表面沉积一层SiO2保护层，去除电极表面的SiO2，成为成品芯片。本发明制作的单颗芯片可以发出多种波长的光，使芯片的颜色更加丰富，并且芯片光效高，后期应用灵活便捷，降低了成本，应用前景广阔。
技术研发人员：侯想
受保护的技术使用者：福建中晶科技有限公司
文档号码：201710065573
技术研发日：2017.02.06
技术公布日：2017.05.31