技术特征：
技术总结
一种气敏层的材料为Nb2O5的CMOS气体传感器，其中CMOS气体传感器包括：衬底；位于部分衬底表面的多晶硅栅；位于部分衬底表面的多晶硅加热层；位于衬底上的介质层；位于所述介质层内的MOS器件互连结构以及传感器互连结构；位于所述介质层表面以及第一顶层金属互连层表面的钝化层；位于所述第二顶层金属互连层表面的气敏层；环绕所述气敏层且位于传感器区上方的沟槽；被所述沟槽环绕的悬空结构，所述悬空结构与传感器区的衬底之间具有隔热区域，且所述悬空结构底部与介质层底部齐平。本发明气体传感器的形成工艺与MOS器件的形成工艺完全兼容，将气体传感器和MOS器件集成在同一芯片上，缩小芯片面积，降低功耗、提高集成度和产量。
技术研发人员：骆兴芳;袁彩雷;俞挺
受保护的技术使用者：江西师范大学
技术研发日：2015.01.29
技术公布日：2017.08.18